一种隐形防伪印章及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种隐形防伪印章及其制备方法，制备方法包括以下步骤：将聚二甲基硅氧烷和固化剂混匀，脱泡，待气泡完全消失后取出并平铺在玻璃板上，二次脱泡，再倒入模具中固化成型，得贴片；将贴片清洗并吹干，氧等离子体处理，再浸泡，冲洗、吹干；在聚二甲基硅氧烷表面打印掩膜，激光刻蚀，置于氮气氛围中，通入混合气体，加热，降温后取出印章，清洗，得隐形防伪印章。本发明专利技术还包括采用上述方法制得的隐形防伪印章。本发明专利技术的印章主要通过表面的亲水/疏水间隔来实现转印，而在印章表面将会是一整块光滑均匀的平面，无法通过照片实现对印章的仿制，从而达到防伪的效果，且制备方法流程简单，所需时间较短，有效解决了印章易被伪造等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种隐形防伪印章及其制备方法
本专利技术涉及印章制备
，具体涉及一种隐形防伪印章及其制备方法。
技术介绍
在我国，印章是人们的工作与生活中经常用到的工具，包括政府或者企业的工作开展、运营或经营当中都涉及到印章的使用。印章具有法律效力，对于个人、企业或是政府来说是很重要的凭证，因此常有不法分子为了牟利制作假印章，这也造成了非常严重的社会影响与经济损失。于是，实现印章的防伪是非常重要的事情。目前来说，印章的防伪策略主要包括三个方面：(1)防伪数字，即防伪码，这个数字前几位是由印章管理单位的统一编号，后几位是印章刻制公司的流水编号，具有唯一性与可查询性；(2)防伪字体，印章的字体是专业的防伪字体，难以被仿制；(3)印章的防伪线，即在印章边缘或者字体上，图形上具有一些不规制的白色缺口，从而对防伪造成了一定的难度。然而，以上传统的防伪方法，都仅能实现一定程度上的印章防伪。在得以获得印章表面的高清照片的情况下，印章仍然有很大概率可以被伪造。于是，目前也出现了将芯片植入印章当中的防伪方法，然而即使是芯片也是有可能复制的，或者与印章产生分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种隐形防伪印章的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：/n(1)贴片制备：将聚二甲基硅氧烷和固化剂按质量比2～10:1混匀，然后放入真空干燥箱内脱泡1～2h，待气泡完全消失后取出并平铺在玻璃板上，二次脱泡20～40min，再倒入模具中，在60～75℃温度下固化成型2～4h，得贴片；/n(2)氧等离子体处理：将步骤(1)所得贴片清洗并吹干，然后氧等离子体处理30～60s，再放入0.4～0.6wt％十二烷基硫酸钠溶液中浸泡20～40s，最后依次经冲洗、吹干，得聚二甲基硅氧烷表面；其中，氧等离子体处理时射频功率为120～140W，氧气流量为150～160sccm；/n(3)接枝疏水分子：采用...

【技术特征摘要】
1.一种隐形防伪印章的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：
(1)贴片制备：将聚二甲基硅氧烷和固化剂按质量比2～10:1混匀，然后放入真空干燥箱内脱泡1～2h，待气泡完全消失后取出并平铺在玻璃板上，二次脱泡20～40min，再倒入模具中，在60～75℃温度下固化成型2～4h，得贴片；
(2)氧等离子体处理：将步骤(1)所得贴片清洗并吹干，然后氧等离子体处理30～60s，再放入0.4～0.6wt％十二烷基硫酸钠溶液中浸泡20～40s，最后依次经冲洗、吹干，得聚二甲基硅氧烷表面；其中，氧等离子体处理时射频功率为120～140W，氧气流量为150～160sccm；
(3)接枝疏水分子：采用水溶性聚合物在步骤(2)所得聚二甲基硅氧烷表面3D打印掩膜，然后置于氮气氛围中，通入混合气体，在60～80℃下加热60～120min，降温至室温后取出印章，最后用去离子水清洗2～4次，得隐形防伪印章；其中，所述混合气体通过以下方法制备得到：将疏水分子加热至气态，然后与氮气按体积比1:1混合，得混合气体。


2.如权利要求1所述的隐形防伪印章的制备方法，其特征在于，所述聚二甲基硅氧烷粘度为10～2000mPa.s。

【专利技术属性】
技术研发人员：王东升，毛礼俊，熊超越，古良鸿，郑永豪，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51