一种隐形防伪印章及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种隐形防伪印章及其制备方法，制备方法包括以下步骤：将聚二甲基硅氧烷和固化剂混匀，脱泡，待气泡完全消失后取出并平铺在玻璃板上，二次脱泡，再倒入模具中固化成型，得贴片；将贴片清洗并吹干，氧等离子体处理，再浸泡，冲洗、吹干；在聚二甲基硅氧烷表面打印掩膜，激光刻蚀，置于氮气氛围中，通入混合气体，加热，降温后取出印章，清洗，得隐形防伪印章。本发明专利技术还包括采用上述方法制得的隐形防伪印章。本发明专利技术的印章主要通过表面的亲水/疏水间隔来实现转印，而在印章表面将会是一整块光滑均匀的平面，无法通过照片实现对印章的仿制，从而达到防伪的效果，且制备方法流程简单，所需时间较短，有效解决了印章易被伪造等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种隐形防伪印章及其制备方法
本专利技术涉及印章制备
，具体涉及一种隐形防伪印章及其制备方法。
技术介绍
在我国，印章是人们的工作与生活中经常用到的工具，包括政府或者企业的工作开展、运营或经营当中都涉及到印章的使用。印章具有法律效力，对于个人、企业或是政府来说是很重要的凭证，因此常有不法分子为了牟利制作假印章，这也造成了非常严重的社会影响与经济损失。于是，实现印章的防伪是非常重要的事情。目前来说，印章的防伪策略主要包括三个方面：(1)防伪数字，即防伪码，这个数字前几位是由印章管理单位的统一编号，后几位是印章刻制公司的流水编号，具有唯一性与可查询性；(2)防伪字体，印章的字体是专业的防伪字体，难以被仿制；(3)印章的防伪线，即在印章边缘或者字体上，图形上具有一些不规制的白色缺口，从而对防伪造成了一定的难度。然而，以上传统的防伪方法，都仅能实现一定程度上的印章防伪。在得以获得印章表面的高清照片的情况下，印章仍然有很大概率可以被伪造。于是，目前也出现了将芯片植入印章当中的防伪方法，然而即使是芯片也是有可能复制的，或者与印章产生分离。为了解决该问题，需要专利技术一种“看不见”的印章，即隐形防伪印章。
技术实现思路
针对现有技术中的上述不足，本专利技术提供了一种隐形防伪印章及其制备方法，隐形防伪印章主要通过表面的亲水/疏水间隔来实现转印，而在印章表面将会是一整块光滑均匀的平面，无法通过照片实现对印章的仿制，从而达到防伪的效果，且印章的制备方法流程简单，所需时间较短，有效解决了印章易被伪造等问题。为实现上述目的，本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种隐形防伪印章的制备方法，依次包括以下步骤：(1)贴片制备：将聚二甲基硅氧烷和固化剂按质量比2～10:1混匀，然后放入真空干燥箱内脱泡1～2h，待气泡完全消失后取出并平铺在玻璃板上，二次脱泡20～40min，再倒入模具中，在60～75℃温度下固化成型2～4h，得贴片；(2)氧等离子体处理：将步骤(1)所得贴片清洗并吹干，然后氧等离子体处理30～60s，再放入0.4～0.6wt％十二烷基硫酸钠溶液中浸泡20～40s，最后依次经冲洗、吹干，得聚二甲基硅氧烷表面；其中，氧等离子体处理时射频功率为120～140W，氧气流量为150～160sccm；(3)接枝疏水分子：采用水溶性聚合物在步骤(2)所得聚二甲基硅氧烷表面3D打印掩膜，然后置于氮气氛围中，通入混合气体，在60～80℃下加热60～120min，降温至室温后取出印章，最后用去离子水清洗2～4次，得隐形防伪印章；其中，混合气体通过以下方法制备得到：将疏水分子加热至气态，然后与氮气按体积比1:1混合，得混合气体。进一步，聚二甲基硅氧烷粘度为10～2000mPa.s。进一步，固化剂为道康宁184固化剂、正硅酸乙酯或二月二丁基肉桂酸锡。进一步，步骤(2)中，贴片依次经去离子水、丙酮和无水乙醇超声清洗1～2次，压缩空气吹干。进一步，步骤(2)中，最后用去离子水冲洗20～40s，氮气吹干。进一步，混合气体气流量为0.1～0.2L/min。进一步，疏水分子为三甲氧基(1H，1H，2H，2H-十七氟癸基)硅烷、三甲氧基(1H,1H,2H,2H-九氟己基)硅烷或三甲氧基(1H，1H，2H，2H-十三氟正辛基)硅烷。进一步，水溶性聚合物为聚乙烯亚胺、聚丙烯酰胺或甲氧基封端的聚乙二醇。采用上述的隐形防伪印章的制备方法制得的隐形防伪印章。综上所述，本专利技术具有以下优点：1、本专利技术的隐形防伪印章主要通过表面的亲水/疏水间隔来实现转印，而在印章表面将会是一整块光滑均匀的平面，无法通过照片实现对印章的仿制，从而达到防伪的效果，制备方法流程简单，所需时间较短，有效解决了印章易被伪造等问题。2、在制备时以聚二甲基硅氧烷为原材料，通过与固化剂交联成型，制备得印章表面贴片，不同的聚二甲基硅氧烷和固化剂的质量比，所得贴片硬度也不同，可以制得不同手感的印章；随后对贴片进行氧等离子体处理，使整个贴片变为超亲水，且表面含有大量-OH，使得聚二甲基硅氧烷表面达到良好的亲水性且不出现裂纹。在进行印章制备时，不采用传统雕刻工艺。首先将与印章贴片表面契合的掩模贴在印章表面，随后通过激光刻蚀的方式将掩模刻掉多余部分，完成刻字；然后将贴有掩模的印章贴片置于反应腔体中，通过化学气相沉积的方法(CVD)，将疏水分子(如三甲氧基(1H,1H,2H,2H-十七氟癸基)硅烷等)接枝于印章贴片表面，随后将掩模取掉即可完成印章制备。该制备工艺流程简单易控制，能够快速制得隐形防伪印章，提高印章的制备效率。3、在打印掩膜时选用水溶性聚合物目的有二，一是在氧等离子体处理后，材料表面为亲水性，利用水溶性聚合物与表面相容性更好，粘附性更强；二是在最后一步去除掩模的过程中，可以直接通过水洗的操作进行去除，便于去除。本专利技术利用材料的亲水和疏水作用，实现了表面的光滑隐形，材料在接触墨水或印油后，可以完成特定的图案的转印，实现印章的隐形防伪，难以仿制伪造。附图说明图1为隐形防伪印章的制备流程示意图。具体实施方式实施例1一种隐形防伪印章，其制备方法，依次包括以下步骤：(1)贴片制备：将聚二甲基硅氧烷和道康宁184固化剂按质量比2:1混匀，然后放入真空干燥箱内脱泡1h，待气泡完全消失后取出并平铺在玻璃板上，二次脱泡20min，再倒入模具中，在60℃温度下固化成型2h，得贴片；(2)氧等离子体处理：将步骤(1)所得贴片依次经去离子水、丙酮和无水乙醇超声清洗2次，压缩空气吹干，然后氧等离子体处理30s，再放入0.5wt％十二烷基硫酸钠溶液中浸泡20s，最后用去离子水冲洗20s，氮气吹干，得聚二甲基硅氧烷表面；其中，氧等离子体处理时射频功率为120W，氧气流量为150sccm；(3)接枝疏水分子：采用聚乙烯亚胺在步骤(2)所得聚二甲基硅氧烷表面3D打印掩膜，然后置于氮气氛围中，通入混合气体，在60℃下加热120min，降温至室温后取出印章，最后用去离子水清洗3次，得隐形防伪印章；其中，混合气体通过以下方法制备得到：将三甲氧基(1H，1H，2H，2H-十七氟癸基)硅烷加热至气态，然后与氮气按体积比1:1混合，得混合气体；混合气体气流量为0.1L/min。实施例2一种隐形防伪印章，其制备方法，依次包括以下步骤：(1)贴片制备：将聚二甲基硅氧烷和道康宁184固化剂按质量比4:1混匀，然后放入真空干燥箱内脱泡2h，待气泡完全消失后取出并平铺在玻璃板上，二次脱泡20～40min，再倒入模具中，在70℃温度下固化成型3h，得贴片；(2)氧等离子体处理：将步骤(1)所得贴片依次经去离子水、丙酮和无水乙醇超声清洗2次，压缩空气吹干，然后氧等离子体处理40s，再放入0.5wt％十二烷基硫酸钠溶液中浸泡30s，最后用去离子水冲洗30s，氮气吹干，得聚二甲基硅氧烷表面；其中，氧等离子体处理时射频功率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种隐形防伪印章的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：/n(1)贴片制备：将聚二甲基硅氧烷和固化剂按质量比2～10:1混匀，然后放入真空干燥箱内脱泡1～2h，待气泡完全消失后取出并平铺在玻璃板上，二次脱泡20～40min，再倒入模具中，在60～75℃温度下固化成型2～4h，得贴片；/n(2)氧等离子体处理：将步骤(1)所得贴片清洗并吹干，然后氧等离子体处理30～60s，再放入0.4～0.6wt％十二烷基硫酸钠溶液中浸泡20～40s，最后依次经冲洗、吹干，得聚二甲基硅氧烷表面；其中，氧等离子体处理时射频功率为120～140W，氧气流量为150～160sccm；/n(3)接枝疏水分子：采用水溶性聚合物在步骤(2)所得聚二甲基硅氧烷表面3D打印掩膜，然后置于氮气氛围中，通入混合气体，在60～80℃下加热60～120min，降温至室温后取出印章，最后用去离子水清洗2～4次，得隐形防伪印章；其中，所述混合气体通过以下方法制备得到：将疏水分子加热至气态，然后与氮气按体积比1:1混合，得混合气体。/n

【技术特征摘要】
1.一种隐形防伪印章的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：
(1)贴片制备：将聚二甲基硅氧烷和固化剂按质量比2～10:1混匀，然后放入真空干燥箱内脱泡1～2h，待气泡完全消失后取出并平铺在玻璃板上，二次脱泡20～40min，再倒入模具中，在60～75℃温度下固化成型2～4h，得贴片；
(2)氧等离子体处理：将步骤(1)所得贴片清洗并吹干，然后氧等离子体处理30～60s，再放入0.4～0.6wt％十二烷基硫酸钠溶液中浸泡20～40s，最后依次经冲洗、吹干，得聚二甲基硅氧烷表面；其中，氧等离子体处理时射频功率为120～140W，氧气流量为150～160sccm；
(3)接枝疏水分子：采用水溶性聚合物在步骤(2)所得聚二甲基硅氧烷表面3D打印掩膜，然后置于氮气氛围中，通入混合气体，在60～80℃下加热60～120min，降温至室温后取出印章，最后用去离子水清洗2～4次，得隐形防伪印章；其中，所述混合气体通过以下方法制备得到：将疏水分子加热至气态，然后与氮气按体积比1:1混合，得混合气体。


2.如权利要求1所述的隐形防伪印章的制备方法，其特征在于，所述聚二甲基硅氧烷粘度为10～2000mPa.s。

【专利技术属性】
技术研发人员：王东升，毛礼俊，熊超越，古良鸿，郑永豪，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51