一种MOS管公母铆钉固紧结构制造技术

本实用新型专利技术涉及MOS管固紧技术领域，且公开了一种MOS管公母铆钉固紧结构，包括固定板，所述固定板的正面固定连接有安装板，所述安装板的顶部开设有均匀分布的安装孔，所述安装孔内壁两侧的底部均固定连接有承接板，所述安装孔的内部活动连接有MOS管本体。该MOS管公母铆钉固紧结构，通过承接板对MOS管本体进行支撑，然后通过母铆钉、公铆钉和连接块将其固定在安装块的顶部，使其安装更为便利，再通过手动拨动L型限位板，使其内侧与MOS管本体的顶部接触，从而通过L型限位板对MOS管本体进行限位，避免其在使用过程中随意上下移动，使其安装更为稳固，从而达到了结构简单，安装更为便利且稳固性更加高的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种MOS管公母铆钉固紧结构
本技术涉及MOS管固紧
，具体为一种MOS管公母铆钉固紧结构。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道，改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻，这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管，如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小，这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管，统称为PMOS晶体管。现有技术中的MOS管在安装时一般是通过螺钉将其固定在安装板上，这种连接方式安装较为不便且不够稳固，MOS管在使用过程中容易发生偏移而影响其使用效果，所以现在提出一种MOS管公母铆钉固紧结构来解决上述问题。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本技术提供了一种MO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOS管公母铆钉固紧结构，包括固定板(1)，其特征在于：所述固定板(1)的正面固定连接有安装板(2)，所述安装板(2)的顶部开设有均匀分布的安装孔(7)，所述安装孔(7)内壁两侧的底部均固定连接有承接板(5)，所述安装孔(7)的内部活动连接有MOS管本体(9)，所述MOS管本体(9)的正面电连接有二极管(14)，所述MOS管本体(9)的底部与承接板(5)的顶部接触，所述MOS管本体(9)背面的底部固定连接有连接块(13)，所述连接块(13)的顶部活动连接有公铆钉(12)，所述安装孔(7)内壁背面的底部固定连接有安装块(6)，所述安装块(6)的顶部开设有第二通孔(11)，所述固定板(1)...

【技术特征摘要】
1.一种MOS管公母铆钉固紧结构，包括固定板(1)，其特征在于：所述固定板(1)的正面固定连接有安装板(2)，所述安装板(2)的顶部开设有均匀分布的安装孔(7)，所述安装孔(7)内壁两侧的底部均固定连接有承接板(5)，所述安装孔(7)的内部活动连接有MOS管本体(9)，所述MOS管本体(9)的正面电连接有二极管(14)，所述MOS管本体(9)的底部与承接板(5)的顶部接触，所述MOS管本体(9)背面的底部固定连接有连接块(13)，所述连接块(13)的顶部活动连接有公铆钉(12)，所述安装孔(7)内壁背面的底部固定连接有安装块(6)，所述安装块(6)的顶部开设有第二通孔(11)，所述固定板(1)的正面并位于安装板(2)的下方固定连接有定位板(3)，所述定位板(3)的底部活动连接有与MOS管本体(9)对应的母铆钉(4)，所述母铆钉(4)的顶端贯穿第二通孔(11)并与公铆钉(12)铆接，所述安装板(2)的顶部并位于安装孔(7)的两侧均活动连接有L型限位板(8)，所述L型限位板(8)的内侧与MOS管本体(9)的顶部接触，所述L型限位板(8)的底部固定连接有滑块(17)，所述安装板(2)的顶部开设有与滑块(17)对应的滑槽(16...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱超，
申请(专利权)人：苏州羽帆新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32