一种高纯镓的制备装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种高纯镓的制备装置，包括结晶槽、介质循环槽和放置装置。结晶槽底部为锥形，锥形底部设置有流通孔；介质循环槽包括从下至上依次分布在结晶槽外部n个独立的介质循环槽，其中n为整数，5≤n≤10，每个介质循环槽都有独立的进口和出口，n个介质循环槽的体积和与结晶槽体积比例为0.4～0.7:1，第n介质循环槽与结晶槽的高度比例为0.01～0.1:1；放置装置包括放置开关、放置管和推进器，放置开关设置在放置管的上部，推进器位于放置管内；流通孔与放置管连接，流通孔的孔径小于晶种尺寸，流通孔下部与放置开关上部的空间能够容纳晶种；放置开关打开时能够使推进器将晶种推入到流通孔下部；所述结晶槽、放置装置均为非极性塑料材质。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯镓的制备装置
本技术涉及高纯镓制备装置领域，特别是涉及一种高纯镓的制备装置。
技术介绍
高纯镓是一种用于制备GaAs，GaN和Cu(InGa)Se2等半导体化合物的关键基础材料。这些半导体化合物广泛应用于半导体产业和光伏产业等。中国是全球最大的镓生产国，供应全球需求的70％以上。粗镓由于杂质含量高，应用受到限制，附加值低。为提高镓的附加价值，扩展其应用范围，工业上利用粗镓为原料，通过不同的提纯方法制备高纯镓(6N以上)。目前，制备高纯镓的技术主要可分为两大类：间接提纯法和直接提纯法。三氯化镓提纯法(专利US4666575)和有机化合物热分解法(专利CN103114214A)是间接提纯法。间接提纯法操作过程复杂，不易控制，容易受制于试剂的纯度，生产过程有毒副产品，环境不友好。直接提纯法相对于间接提纯法而言，具有工艺较简单，效率较高，在工业生产中最为常用。其中，真空蒸馏法(专利US4362560A1和专利CN206783742U)利用了镓金属的高沸点(2400℃)特性，能较好地去除易挥发杂质，但设备能耗高(800～1000℃本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纯镓的制备装置，其特征在于，包括结晶槽、介质循环槽和放置装置；所述结晶槽底部为锥形，锥形底部设置有流通孔；所述介质循环槽包括n个独立的介质循环槽，n个所述介质循环槽从下至上依次分布在结晶槽外部，其中n为整数，5≤n≤10，每个介质循环槽都有独立的进口和出口，n个所述介质循环槽的体积和与结晶槽体积比例为0.4～0.7:1，第n介质循环槽与结晶槽的高度比例为0.01～0.1:1；所述放置装置包括放置开关、放置管和推进器，放置开关设置在放置管的上部，推进器位于放置管内；所述流通孔与放置管连接，流通孔的孔径小于晶种尺寸，流通孔下部与放置开关上部的空间能够容纳晶种；所述放置开关打开时能够使推进...

【技术特征摘要】
1.一种高纯镓的制备装置，其特征在于，包括结晶槽、介质循环槽和放置装置；所述结晶槽底部为锥形，锥形底部设置有流通孔；所述介质循环槽包括n个独立的介质循环槽，n个所述介质循环槽从下至上依次分布在结晶槽外部，其中n为整数，5≤n≤10，每个介质循环槽都有独立的进口和出口，n个所述介质循环槽的体积和与结晶槽体积比例为0.4～0.7:1，第n介质循环槽与结晶槽的高度比例为0.01～0.1:1；所述放置装置包括放置开关、放置管和推进器，放置开关设置在放置管的上部，推进器位于放置管内；所述流通孔与放置管连接，流通孔的孔径小于晶种尺寸，流通孔下部与放置开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：王友彬，洪标，韦悦周，王欣鹏，詹锋，何春林，
申请(专利权)人：广西大学，
类型：新型
国别省市：广西;45