写入到交叉点非易失性存储器制造技术

本申请案涉及写入到交叉点非易失性存储器。描述针对非易失性存储器阵列的用于在目标存储器单元的重复存取操作期间防止对非目标存储器单元的干扰的方法、系统及装置。多个存储器单元可与共同导电线电子通信，且每一存储器单元可具有电非线性选择组件。在对目标存储器单元的存取操作(例如，读取或写入操作)之后，可通过将放电电压施加到所述共同导电线将非目标存储器单元放电。所述放电电压可(例如)具有与所述存取电压相反的极性。在其它实例中，可在存取尝试之间建立延迟以便将所述非目标存储器单元放电。

【技术实现步骤摘要】
写入到交叉点非易失性存储器分案申请的相关信息本案是分案申请。本分案的母案是申请日为2017年6月2日、申请号为201780040056.1、专利技术名称为“写入到交叉点非易失性存储器”的专利技术专利申请案。交叉参考本专利申请案主张2017年6月2日申请的标题为“写入到交叉点非易失性存储器(WritingtoCross-PointNon-VolatileMemory)”的第PCT/US2017/035762号PCT申请案的优先权，所述申请案主张由王(Wang)等人在2016年6月29日申请的标题为“写入到交叉点非易失性存储器(WritingtoCross-PointNon-VolatileMemory)”的第15/197,416号美国专利申请案的优先权，所述申请案中每一者转让给其受让人，且所述申请案中的每一者以其全文引用方式明确并入本文中。

涉及写入到交叉点非易失性存储器。
技术介绍
以下大体上涉及存储器装置，且更具体来说，涉及操作非易失性存储器阵列。存储器装置广泛地用于在各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物)中存储信息。信息通过编程存储器装置的不同状态来存储。举例来说，二进制装置具有两种状态，通常由逻辑“1”或逻辑“0”标示。在其它系统中，可存储两种以上状态。为存取经存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的经存储状态。为存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。存在多种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、只读存储器(ROM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它存储器。存储器装置可为易失性或非易失性的。即使在不存在外部电源的情况下，非易失性存储器，例如，FeRAM，也可在延长的时间周期内维持其经存储逻辑状态。易失性存储器装置，例如，DRAM，可随着时间的推移丢失其经存储状态，除非其通过外部电源周期性地刷新。改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保持、减少电力消耗或降低制造成本以及其它度量。在一些存储器架构中，多个存储器单元可与共同导电线电子通信。读取或写入存储器单元中的一者可影响其它非目标存储器单元。举例来说，重复地供能给共同导电线以读取或写入存储器单元中的一者可干扰或损坏非目标存储器单元中的经存储逻辑值。这可降低存储器阵列的性能或甚至危害存储器阵列的操作。
技术实现思路
描述了一种方法。在一些实例中，所述方法可包含：将第一电压施加到第一导电线，所述第一导电线与铁电存储器单元电子通信，所述铁电存储器单元与选择组件电子通信，其中所述第一电压在存取操作期间施加；将第二电压施加到第二导电线，所述第二导电线与所述选择组件电子通信，其中所述第二电压在所述存取操作期间施加，且其中在所述存取操作期间跨越所述铁电存储器单元及所述选择组件的电压包括所述第一电压与所述第二电压之间的差；及在所述存取操作之后的放电操作期间将第三电压施加到所述第一导电线，其中所述第三电压的振幅是至少部分基于所述选择组件的阈值电压。描述了一种方法。在一些实例中，所述方法可包含：在存取操作期间将存取电压施加到与选择组件电子通信的铁电存储器单元，其中所述存取电压的振幅大于所述选择组件的阈值电压；及在所述存取操作之后将第一放电电压施加到所述铁电存储器单元，其中所述第一放电电压的极性与所述存取电压的极性相反，且其中所述第一放电电压的振幅小于所述选择组件的所述阈值电压。描述了一种方法。在一些实例中，所述方法可包含：对包括多个铁电存储器单元的存储器阵列的第一铁电存储器单元执行第一存取操作；至少部分基于执行所述第一存取操作启动计时器；及至少部分基于所述计时器超过阈值对所述存储阵列的第二铁电存储器单元执行第二存取操作，其中所述阈值是至少部分基于所述第一铁电存储器单元的放电速率。描述了一种方法。在一些实例中，所述方法可包含：在存取操作期间将存取电压施加到与选择组件电子通信的铁电存储器单元，其中所述存取电压的振幅大于所述选择组件的阈值电压；至少部分基于施加所述存取电压使计数器递增；及至少部分基于所述计数器超过阈值将放电电压施加到所述铁电存储器单元，其中所述放电电压的极性与所述存取电压的极性相反，且其中所述放电电压的振幅小于所述选择组件的所述阈值电压。描述了一种设备。在一些实例中，所述设备可包含：铁电存储器单元及选择组件，其与第一导电线及第二导电线电子通信且定位于第一导电线与第二导电线之间；及控制器，其与所述第一导电线及所述第二导电线电子通信。在一些实例中，所述控制器可操作以：在存取操作期间将第一电压施加到所述第一导电线；在所述存取操作期间将第二电压施加到所述第二导电线，其中在所述存取操作期间跨越所述铁电存储器单元及所述选择组件的电压包括所述第一电压与所述第二电压之间的差值；及在所述存取操作之后的放电操作期间将第三电压施加到所述第一导电线，其中所述第三电压的振幅是至少部分基于所述选择组件的阈值电压。描述了一种设备。在一些实例中，所述设备可包含：用于将第一电压施加到第一导电线的构件，所述第一导电线与铁电存储器单元电子通信，所述铁电存储器单元与选择组件电子通信，其中所述第一电压在存取操作期间施加；用于将第二电压施加到第二导电线的构件，所述第二导电线与所述选择组件电子通信，其中所述第二电压在所述存取操作期间施加，且其中在所述存取操作期间跨越所述铁电存储器单元及所述选择组件的电压包括所述第一电压与所述第二电压之间的差值；及用于在所述存取操作之后的放电操作期间将第三电压施加到所述第一导电线的构件，其中所述第三电压的振幅是至少部分基于所述选择组件的阈值电压。附图说明本文的揭示内容涉及且包含以下图：图1说明根据本专利技术的各种实施例的支持将非目标存储器单元放电的实例存储器阵列；图2说明根据本专利技术的各种实施例的支持将非目标存储器单元放电的实例存储器阵列及电压绘图；图3说明根据本专利技术的各种实施例的支持将非目标存储器单元放电的铁电存储器单元的实例滞后绘图；图4说明根据本专利技术的各种实施例的非目标存储器单元的实例充电及放电；图5A到5D说明根据本专利技术的各种实施例的支持将非目标存储器单元放电的实例放电电压的绘图；图6说明根据本专利技术的各种实施例的包含支持将非目标存储器单元放电的存储器阵列的系统；图7说明根据本专利技术的各种实施例的支持将非目标存储器单元放电的存储器阵列；图8说明根据本专利技术的各种实施例的包含支持将非目标存储器单元放电的存储器阵列的系统；及图9A到12是说明根据本专利技术的各种实施例的用于将非目标存储器单元放电的一种方法或多种方法的流程图。具体实施方式在存储器单元的存取操作(例如，读取或写入操作)之后，可在后一存取操作之前将非目标存储器单元放电。多个存储器单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n铁电存储器单元；/n第一导电线，其与所述铁电存储器单元电子通信；/n第二导电线，其与所述铁电存储器单元电子通信；/n偏置组件，其经配置以经由所述第一导电线和所述第二导电线将存取电压施加到所述铁电存储器单元；及/n计数器，其与所述第一导电线、所述第二导电线和所述偏置组件电子通信，所述计数器经配置以至少部分地基于所述偏置组件将所述存取电压施加到所述铁电存储器单元而递增一值。/n

【技术特征摘要】
20160629 US 15/197,4161.一种设备，其包括：
铁电存储器单元；
第一导电线，其与所述铁电存储器单元电子通信；
第二导电线，其与所述铁电存储器单元电子通信；
偏置组件，其经配置以经由所述第一导电线和所述第二导电线将存取电压施加到所述铁电存储器单元；及
计数器，其与所述第一导电线、所述第二导电线和所述偏置组件电子通信，所述计数器经配置以至少部分地基于所述偏置组件将所述存取电压施加到所述铁电存储器单元而递增一值。


2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
存储器控制器，其中所述存储器控制器包括所述计数器。


3.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
与所述第一导电线和所述第二导电线接触的柱，其中所述柱包括第一电极、选择组件和所述铁电存储器单元，其中所述铁电存储器单元包括第二电极、铁电存储器元件和第三电极。


4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
与所述偏置组件电子通信的电压调节器。


5.根据权利要求1所述的设备，其中所述计数器包括计时器，所述计时器经配置以至少部分地基于所述偏置组件将所述存取电压施加到所述铁电存储器单元而启动。


6.根据权利要求5所述的设备，其中所述计时器包括递增计时器、递减计时器或上述两者。


7.一种方法，其包括：
在存取操作期间跨越存储器单元施加存取电压；
至少部分地基于施加所述存取电压而修改监控装置的值；及
至少部分地基于所述监控装置的所述值超过阈值而将放电电压施加到与所述存储器单元电子通信的导电线。


8.根据权利要求7所述的方法，其中所述监控装置是计数器且修改所述监控装置的所述值包括递增所述计数器的值。


9.根据权利要求7所述的方法，其中述监控装置是计时器且修改所述监控装置的所述值包括启动所述计时器，且其中所述阈值至少部分地基于所述存储器单元的放电速率。


10.根据权利要求7所述的方法，其中所述阈值至少部分地基于所述存储器单元的放电速率或基于所述存储器单元的存取尝试的速率或基于上述两者。


11.一种设备，其包括：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王蓓，A·卡德罗尼，W·肯尼，A·约翰逊，D·V·N·拉马斯瓦米，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US