一种多层链式铁电存储器制造技术

本实用新型专利技术公开一种多层链式铁电存储器，通过叠层的结构，增加了存储密度，包括多个串联的栅极耦合至字线的晶体管，与晶体管串联的位选管，耦合至位选管栅极的源极选择线，耦合至位选管源极的位线，耦合至晶体管的板线以及耦合至晶体管源极和/或漏极的由多层电极及铁电材料交替沉积形成的电容结构。

【技术实现步骤摘要】
一种多层链式铁电存储器
本技术涉及半导体
，特别涉及一种多层链式铁电存储器。
技术介绍
铁电存储器(FeRANM或FRAM：FerroelectricRandomAccessMemeory)是将铁电薄膜与C晶体工艺集成所制成的非易失性存储器。铁电存储器利用了铁电材料的极化可随电场进行反转并在断电时仍可保持的特性，因此具有RAM高速度的同时，也具有ROM的非易失性。铁电存储器可以在非常低的电能需求下进行快速的存储，相较于EEPROM及FLASH，其信息写入速度快100倍以上，然而功耗要低50-100倍，同时可擦写次数要高出106倍。基于上述特性，铁电存储器可广泛应用于小型智能设备中，例如手机、智能卡、ATM机、POS机已经门禁系统等。传统的铁电存储器的结构及电路结构如图1及图2所示，包括板线(PL：PlateLine)101、字线(WL：WordLine)102、位线(BL：BitLine)103、铁电电容104以及场效应管(晶体管)105。对于这种结构来说，在制造过程中，为了达到一定的铁电性，所述铁电电容104必须要达到一定的面积本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层链式铁电存储器，包括N个串联的存储单元及与所述存储单元连接的位选管，其中：/n任一存储单元包括：/n晶体管，包括源极、漏极和栅极，其中所述栅极与存储单元的字线连接；/n铁电电容，包括下电极、上电极和位于下电极和上电极之间的铁电材料层，其中所述下电极与所述晶体管的源极或漏极连接，所述上电极与所述晶体管的漏极或源极连接；/n所述位选管包括栅极、源极及漏极，其中所述栅极耦合至源极选择线；/n其特征在于，所述N个存储单元的铁电电容堆叠设置，且相邻的铁电电容共用一个电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种多层链式铁电存储器，包括N个串联的存储单元及与所述存储单元连接的位选管，其中：
任一存储单元包括：
晶体管，包括源极、漏极和栅极，其中所述栅极与存储单元的字线连接；
铁电电容，包括下电极、上电极和位于下电极和上电极之间的铁电材料层，其中所述下电极与所述晶体管的源极或漏极连接，所述上电极与所述晶体管的漏极或源极连接；
所述位选管包括栅极、源极及漏极，其中所述栅极耦合至源极选择线；
其特征在于，所述N个存储单元的铁电电容堆叠设置，且相邻的铁电电容共用一个电极。


2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，各铁电电容的电极长度不同，每个电极均有部分暴露面，所述暴露面通过导电材料与对应晶体管的源极或漏极连接。


3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述暴露面位于各上电极及下电极的边缘，各存储单元的铁电电容的电极呈阶梯状排布。


4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述晶体管的源极与相...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴晓望，刘藩东，
申请(专利权)人：珠海拍字节信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44