一种铁电存储器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种铁电存储器，其包括铁电存储单元，所述铁电存储单元包括：电容器，所述电容器包括下电极、上电极以及布置在下电极与上电极之间的铁电层；第一晶体管，所述第一晶体管的源极电连接到位线，第一晶体管的栅极电连接到第一字线，第一晶体管的漏极电连接到所述电容器的下电极；以及第二晶体管，所述第二晶体管的源极电连接到位线，第二晶体管的栅极电连接到第二字线，第二晶体管的漏极电连接到所述电容器的下电极，其中所述电容器的上电极连接到板线。

【技术实现步骤摘要】
一种铁电存储器
本技术涉及存储器领域。具体而言，本技术涉及一种新型铁电存储器。
技术介绍
铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器。当电场被施加到铁电晶体管时，中心原子顺着电场停在第一低能量状态位置，而当电场反转被施加到同一铁电晶体管时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动并停在第二低能量状态。大量中心原子在晶体单胞中移动耦合形成铁电畴，铁电畴在电场作用下形成极化电荷。铁电畴在电场下反转所形成的极化电荷较高，铁电畴在电场下无反转所形成的极化电荷较低，这种铁电材料的二元稳定状态使得铁电可以作为存储器。当移去电场后，中心原子处于低能量状态保持不动，存储器的状态也得以保存不会消失，因此可利用铁电畴在电场下反转形成高极化电荷，或无反转形成低极化电荷来判别存储单元是在“1”或“0”状态。铁电畴的反转不需要高电场，仅用一般的工作电压就可以改变存储单元是在“1”或“0”的状态；也不需要电荷泵来产生高电压数据擦除，因而没有擦写延迟的现象。这种特性使铁电存储器在掉电后仍能够继续保存数据，写入速度快且具有无限次写入寿命，不容易写坏。并且，与现有的非易失性内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铁电存储器，其特征在于，包括铁电存储单元，所述铁电存储单元包括：/n电容器，所述电容器包括下电极、上电极以及布置在下电极与上电极之间的铁电层；/n第一晶体管，所述第一晶体管的源极电连接到位线，第一晶体管的栅极电连接到第一字线，第一晶体管的漏极电连接到所述电容器的下电极；以及/n第二晶体管，所述第二晶体管的源极电连接到位线，第二晶体管的栅极电连接到第二字线，第二晶体管的漏极电连接到所述电容器的下电极，/n其中所述电容器的上电极连接到板线。/n

【技术特征摘要】
1.一种铁电存储器，其特征在于，包括铁电存储单元，所述铁电存储单元包括：
电容器，所述电容器包括下电极、上电极以及布置在下电极与上电极之间的铁电层；
第一晶体管，所述第一晶体管的源极电连接到位线，第一晶体管的栅极电连接到第一字线，第一晶体管的漏极电连接到所述电容器的下电极；以及
第二晶体管，所述第二晶体管的源极电连接到位线，第二晶体管的栅极电连接到第二字线，第二晶体管的漏极电连接到所述电容器的下电极，
其中所述电容器的上电极连接到板线。


2.如权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，所述第一晶体管是NMOS晶体管，所述第二晶体管是PMOS晶体管。


3.如权利要求2所述的铁电存储器，其特征在于，当将“1”写入铁电存储单元时，在所述第一晶体管的栅极连接的第一字线上施加正电压，第一晶体管开启，所述位线接地，所述板线上施加正电压。


4.如权利要求2所述的铁电存储器，其特征在于，当将“0”写入铁电存储单元时，在第二晶体管的栅极连接的第二字线上施加负电压，第二晶体管开启，所述位线上施加正电压，所述板线接地。


5.如权利要求1所述的铁电存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘藩东，华文宇，马科，
申请(专利权)人：珠海拍字节信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44