一种离子束刻蚀旋转平台制造技术

本实用新型专利技术涉及一种离子束刻蚀旋转平台，属于半导体加工领域。旋转平台的上部结构上端面设有基座；基座上端面设有静电卡盘，静电卡盘的下端面内设有若干条静电卡盘内冷却水道；上部结构与下部结构的轴向中心处设有与其内腔体相互贯通的旋转磁流体轴；上部结构的下端设有延伸部，延伸部延伸至下部结构的腔体内；下部结构的腔体内高扭矩电机；高扭矩电机布置在下部结构的腔体内，高扭矩电机与旋转磁流体轴相连并驱动转动；旋转磁流体轴的顶端与静电卡盘相固定；上部结构的腔体内位于基座的下端面设有顶针装置。离子束刻蚀旋转平台为上下圆柱体结构，结构紧凑、简单，区分明显，旋转平台为上下圆柱体结构，结构区分明显，重量较小，安装维护方便。

【技术实现步骤摘要】
一种离子束刻蚀旋转平台
本技术提供了一种离子束刻蚀旋转平台，属于半导体加工领域。
技术介绍
在离子束刻蚀系统（IBE）中，旋转平台是核心部件之一。离子束刻蚀平台是一个复杂的自动化系统，涉及气、电、液等系统的集成。由于涉及系统较多，且保持精密的运动性能，因此对于旋转平台的要求至关重要。通常旋转平台包含，中空电机，用于平台旋转，动力传递；旋转接头，用于气、电、液的传递；静电卡盘或者机械卡盘，用于放置晶圆；顶针系统，用于晶圆的传输交互；旋转磁流体轴，用于隔离大气和真空的旋转运动等。现有的结构存在如下问题：1.旋转平台体型较大，使得整个腔室空间变大，从而整机占地较大，在珍贵的无尘室内，广受诟病。2.旋转平台较重，从而维护组装较麻烦。3.内部空间狭小，操作维护不方便，4.存在电机散热问题，长时间运行电机容易阻转，5.旋转平台涉及水电气的连接，系统较多，装配复杂，平台旋转时，系统误差大，平台旋转轴向径向跳动大，影响刻蚀均匀性。6.传统旋转平台通常采用的伺服电机和减速器或者中空电机等驱动载台旋转，由于减本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子束刻蚀旋转平台，其特征在于：该旋转平台分为上部结构、下部结构；上部结构、下部结构内均为腔体结构；上部结构的上端面设有基座；基座上端面设有静电卡盘，静电卡盘的下端面内设有若干条静电卡盘内冷却水道；上部结构与下部结构的轴向中心处设有与其内腔体相互贯通的旋转磁流体轴；上部结构的下端设有延伸部，该延伸部延伸至下部结构的腔体内；下部结构的腔体内高扭矩电机；高扭矩电机布置在下部结构的腔体内，高扭矩电机与旋转磁流体轴相连并驱动转动；旋转磁流体轴的顶端与静电卡盘相固定；上部结构的腔体内位于基座的下端面设有顶针装置。/n

【技术特征摘要】
1.一种离子束刻蚀旋转平台，其特征在于：该旋转平台分为上部结构、下部结构；上部结构、下部结构内均为腔体结构；上部结构的上端面设有基座；基座上端面设有静电卡盘，静电卡盘的下端面内设有若干条静电卡盘内冷却水道；上部结构与下部结构的轴向中心处设有与其内腔体相互贯通的旋转磁流体轴；上部结构的下端设有延伸部，该延伸部延伸至下部结构的腔体内；下部结构的腔体内高扭矩电机；高扭矩电机布置在下部结构的腔体内，高扭矩电机与旋转磁流体轴相连并驱动转动；旋转磁流体轴的顶端与静电卡盘相固定；上部结构的腔体内位于基座的下端面设有顶针装置。


2.根据权利要求1所述的离子束刻蚀旋转平台，其特征在于：所述的旋转磁流体轴的位于下部结构的部分设有若干个环形通槽；若干个所述的环形通槽布置在旋转磁流体轴的圆周面；环形通槽内设有通孔，旋转磁流体轴内开设有若干个与若干个环形通槽相通的独立通道；该独立通道包括液体独立通道与气体独立通道；所述的基座内开设与顶针装置及磁流体轴相互连通的介质通道；
所述的上部结构面向下部结构的衔接面靠近旋转磁流体轴处设有高扭矩电机冷却水道，下部结构的腔体侧壁位于高扭矩电机定子部设有冷却水道。


3.根据权利要求2所述的离子束刻蚀旋转平台，其特征在于：所述的静电卡盘内的冷却水道成螺旋环形布置，所述的基座内开...

【专利技术属性】
技术研发人员：程实然，郭颂，陈兆超，李娜，王铖熠，刘海洋，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：北京鲁汶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11