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本实用新型涉及一种离子束刻蚀旋转平台，属于半导体加工领域。旋转平台的上部结构上端面设有基座；基座上端面设有静电卡盘，静电卡盘的下端面内设有若干条静电卡盘内冷却水道；上部结构与下部结构的轴向中心处设有与其内腔体相互贯通的旋转磁流体轴；上部结构...
该专利属于北京鲁汶半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京鲁汶半导体科技有限公司授权不得商用。

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