半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术所涉及的半导体装置具有：半导体基板，其具有主电流流过的有效区域和包围有效区域的无效区域；上表面电极层，其设置于半导体基板的上表面；以及背面电极层，其设置于半导体基板的背面，半导体基板具有：寿命控制层，其设置于有效区域，该寿命控制层与周围相比晶体缺陷密度较高；测定层，其设置于无效区域的上表面侧；以及晶体缺陷层，其设置于无效区域，该晶体缺陷层与周围相比晶体缺陷密度高，上表面电极层具有在测定层之上设置的多个测定用电极，测定层至少在设置多个测定用电极的部分具有导电层，从与半导体基板的上表面垂直的方向观察，晶体缺陷层设置于多个测定用电极之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法。
技术介绍
在专利文献1中，公开了能够直接对产品用晶片的载流子寿命进行评价的寿命评价用TEG(TestElementGroup)以及评价方法。在专利文献1的评价方法中，对通过实物TEG的测量以及模拟而分别得到的导通电压值彼此进行比较，对寿命值进行推测。专利文献1：日本特开平10-178079号公报
技术实现思路
在制造半导体装置时，有时在晶片之上形成用于进行产品管理的多种多样的监视装置。另外，载流子的寿命通常是与功率器件的各种特性相关的重要要素。这里，当在制造工艺的最后工序中进行寿命评价的情况下，存在难以迅速反馈的问题。另外，通常作为寿命的评价方法，有时对将多个制造参数合计后的某个特性值或者代替值进行测定。在该情况下，有可能难以提高评价精度。就专利文献1的TEG而言，能够对寿命控制层本身的特性进行测定。但是，由于在专利文献1中对产品本身进行加工，因此有可能对产品的特性产生影响。另外，由于通过模拟得到寿命值本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：/n半导体基板，其具有主电流流过的有效区域和包围所述有效区域的无效区域；/n上表面电极层，其设置于所述半导体基板的上表面；以及/n背面电极层，其设置于所述半导体基板的背面，/n所述半导体基板具有：/n寿命控制层，其设置于所述有效区域，该寿命控制层与周围相比晶体缺陷密度高；/n测定层，其设置于所述无效区域的上表面侧；以及/n晶体缺陷层，其设置于所述无效区域，该晶体缺陷层与周围相比晶体缺陷密度高，/n所述上表面电极层具有在所述测定层之上设置的多个测定用电极，/n所述测定层至少在设置所述多个测定用电极的部分具有导电层，/n从与所述半导体基板的上表面垂直的方向观察...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体基板，其具有主电流流过的有效区域和包围所述有效区域的无效区域；
上表面电极层，其设置于所述半导体基板的上表面；以及
背面电极层，其设置于所述半导体基板的背面，
所述半导体基板具有：
寿命控制层，其设置于所述有效区域，该寿命控制层与周围相比晶体缺陷密度高；
测定层，其设置于所述无效区域的上表面侧；以及
晶体缺陷层，其设置于所述无效区域，该晶体缺陷层与周围相比晶体缺陷密度高，
所述上表面电极层具有在所述测定层之上设置的多个测定用电极，
所述测定层至少在设置所述多个测定用电极的部分具有导电层，
从与所述半导体基板的上表面垂直的方向观察，所述晶体缺陷层设置于所述多个测定用电极之间。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述晶体缺陷层与所述寿命控制层相比设置于上方。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述晶体缺陷层设置于所述测定层。


4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述测定层包含第1测定层和第2测定层，
所述晶体缺陷层设置于所述第1测定层，不设置于所述第2测定层。


5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述测定层包含第1测定层和第2测定层，
所述晶体缺陷层包含：
第1晶体缺陷层，其设置于所述第1测定层；以及
第2晶体缺陷层，其设置于所述第2测定层的正下方。


6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述测定层包含第1测定层、第2测定层和第3测定层，
所述晶体缺陷层包含：
第1晶体缺陷层，其设置于所述第1测定层；以及
第2晶体缺陷层，其设置于所述第2测定层的正下方。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述导电层形成于第1导电型的半导体层的上表面侧，是第2导电型，
所述测定层包含：在两端设置的所述导电层、和所述半导体层中的被...

【专利技术属性】
技术研发人员：田渕慎一，阿多保夫，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP