六方6H型钡锗氧化物、其制备方法、烧结体和靶技术

提供一种具有3～4eV带隙的钡锗氧化物、其制备方法、烧结体及靶。本发明专利技术的钡锗氧化物至少含有Ba(钡)、Ge(锗)和O(氧)，包含由通式ABO

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】六方6H型钡锗氧化物、其制备方法、烧结体和靶
本专利技术涉及一种钡锗氧化物、其制备方法、其烧结体及其靶，特别是涉及一种六方6H型(6H)钡锗氧化物、其制备方法、其烧结体及其靶。
技术介绍
在诸如智能电话和平板电脑之类的移动信息终端的显示器中，使用了透明导电材料。由于当前使用的透明导电材料主要包括诸如氧化铟之类的稀有金属作为主要成分，因此需要在考虑资源的情况下寻找替代材料。例如，与Si属于同一族的Ba(钡)和Si(硅)以及Ge(锗)是丰富的资源，因此优选开发使用这些元素的材料。已经开发出由具有立方晶系、三方(9R)晶系或六方(6H)晶系中钙钛矿结构的BaSiO3表示的氧化物(例如，参见非专利文献1和2)。根据非专利文献1，可以获得由立方晶系中BaSiO3表示的氧化物，但是它在大气压下将变为非晶态，因此不能被利用作为透明导电物质。根据非专利文献2，可以获得由9R型和6H型的BaSiO3表示的氧化物，但是它们在大气压下将变为非晶态，因此不能被利用。已经开发出由具有六方(9H)晶系或六方(6H)晶系中钙钛矿结构的BaGeO3表示的氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钡锗氧化物，包含由通式ABO

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180412 JP 2018-0764751.一种钡锗氧化物，包含由通式ABO3表示的晶体，其中，A至少包括Ba，B至少包括Ge；
并且，由ABO3表示的晶体具有六方6H型钙钛矿结构。


2.根据权利要求1所述的钡锗氧化物，
其中，由ABO3表示的晶体具有空间群P63/mmc的对称性，且晶格常数a、b和c分别满足：
a＝0.56006±0.05nm，
b＝0.56006±0.05nm，和
c＝1.3653±0.1nm。


3.根据权利要求1或2所述的钡锗氧化物，包含2.5eV以上4eV以下的范围内的带隙。


4.根据权利要求3所述的钡锗氧化物，包含2.5eV以上3.5eV以下的范围内的带隙。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的钡锗氧化物，其中，所述A进一步包含选自由La镧、Ce铈、Pr镨、Nd钕、Sm钐、Eu铕、Gd钆、Tb铽、Dy镝、Ho钬、Er铒、Tm铥、Lu镥、Y钇、Sc钪和In铟所组成的组中的至少一种元素。


6.根据权利要求5所述的钡锗氧化物，其中，所述A中进一步包含的至少一种元素的含量为0.05mol％以上15mol％以下的范围。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的钡锗氧化物，其中，所述B进一步包含Si。


8.一种制备钡锗氧化物的方法，包括以下步骤：
在900℃以上2300℃以下的温度范围内且在7.5GPa以上45GPa以下的压力范围内，对包含由至少具有正交晶体的BaGeO3表示的钡锗氧化物的原料粉末进行处理。


9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述处理的步骤是通过高温高压处理法来或冲击压缩法使用...

【专利技术属性】
技术研发人员：游佐齐，宫川仁，
申请(专利权)人：国立研究开发法人物质·材料研究机构，
类型：发明
国别省市：日本;JP