一种多路源缓冲器电路制造技术

技术编号:26384527 阅读:35 留言:0更新日期:2020-11-19 23:53
本发明专利技术公开了一种多路源缓冲器电路,包括单个缓冲器电路和多个缓冲器电路;单个缓冲器电路包括MN4和MP4,MN4和MP4由3.3V以下的低压器件来实现;多个缓冲器电路包括由多个缓冲器电路共用的偏置电路,偏置电路分为两个部分组成:一部分由放大器A1,A2和A3,MOS管MNb,偏置电流IBN组成;另外一部分由放大器A4,A5和A6,MOS管MPb,偏置电流IBP组成。本发明专利技术通过采用低压器件,在相同面积的情况下,匹配性能可提高3到4倍,其次,通过采用新的偏置电路,可严格控制缓冲器输入级提供偏置电流器件的漏端和栅端的工作电压,保证每一个缓冲器的工作电压都相同,显著提高通道之间的一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种多路源缓冲器电路
本专利技术涉及源缓冲器电路
,具体为一种多路源缓冲器电路。
技术介绍
在显示驱动芯片中,其中一个很重要的功能模块就是源驱动模块,如图1所示,源驱动模块的驱动部分(也叫源缓冲器电路),是用模拟电路来实现的,用于驱动屏幕上的源级线路。根据显示分辨率的不同,源驱动的通道数会不同,但数量一般都是几百到几千的量级。如图2所示,是现有源缓冲器电路的轨到轨输入级电路示意图,其中MN1和MN2是NMOS输入差分对,MN3是NMOS偏置电路,MP1和MP2是PMOS输入差分对,MP3是PMOS偏置电路,所有器件均是5V或5V以上的器件,为了节省芯片面积,其中产生VN1和VP1的偏置电压的电路由多路缓冲器共用。按照缓冲器输出驱动电压范围的要求,源缓冲器电路基本上都是用工作电压在5V以上的器件来实现,这种实现方式目前存在着一些问题:第一个是5V或5V以上的器件之间匹配性能差,会导致通道之间的一致性差,其中一个解决的办法是增大器件的面积,但由于通道数量多这样会显著增加芯片的面积,进而增加芯片的成本。第二个是缓冲器通道数量几百本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多路源缓冲器电路,包括NMOS输入差分对MN1和MN2,NMOS偏置电路MN3,PMOS输入差分对MP1和MP2,PMOS偏置电路MP3;所述MN1、MN2和MN3,MP1、MP2和MP3均由5V或5V以上的器件来实现,其特征在于,还包括单个缓冲器电路和多个缓冲器电路;/n其中,单个缓冲器电路还包括MN4和MP4,MN4和MP4由3.3V以下的低压器件来实现,所述MN4的一端接地VSS,另一端与偏置电压VN1连接,与MN4连接的MN3上还连接有偏置电压VN2;所述MP4的一端接电源VDD,另一端与偏置电压VP1连接,与MP4连接的MP3上还连接有偏置电压VP2;/n多个缓冲器电路还包括...

【技术特征摘要】
1.一种多路源缓冲器电路,包括NMOS输入差分对MN1和MN2,NMOS偏置电路MN3,PMOS输入差分对MP1和MP2,PMOS偏置电路MP3;所述MN1、MN2和MN3,MP1、MP2和MP3均由5V或5V以上的器件来实现,其特征在于,还包括单个缓冲器电路和多个缓冲器电路;
其中,单个缓冲器电路还包括MN4和MP4,MN4和MP4由3.3V以下的低压器件来实现,所述MN4的一端接地VSS,另一端与偏置电压VN1连接,与MN4连接的MN3上还连接有偏置电压VN2;所述MP4的一端接电源VDD,另一端与偏置电压VP1连接,与MP4连接的MP3上还连接有偏置电压VP2;
多个缓冲器电路还包括由多个缓冲器电路共用的偏置电路,偏置电路分为两个部分组成:一部分由放大器A1,A2和A3,MOS管MNb,偏置电流IBN组成;另外一部分由放大器A4,A5和A6,MOS管MPb,偏置电流IBP组成;
其中,A1、A3和MNb用于实现VN2的电压等于VREFN的电压,VN2根据VREFN的电压调节;A2作为一个电压缓冲器,用于驱动缓冲器1到N的MN14、MNn4...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡海军夏群兵陈昌彦李得全陈光明
申请(专利权)人:深圳市爱协生科技有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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