阵列式MEMS传感器SPI并行数据采集电路及采集方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列式MEMS传感器SPI并行数据采集电路及采集方法，实现了并行同步获取多个MEMS传感器数据，通过SPI通信总线并行同步获取多个MEMS传感器的设计方案及数据采集时序；设计了信号驱动与电平转换电路；给出了并行数据预处理及解析方案。其可以在同一时刻同步采集多个MEMS传感器数据，具有通信稳定、便于独立操作等优点。

【技术实现步骤摘要】
阵列式MEMS传感器SPI并行数据采集电路及采集方法
本专利技术涉及MEMS传感器系统
，具体涉及一种阵列式MEMS传感器SPI并行数据采集电路及采集方法。
技术介绍
当前MEMS传感器正越来越多的被应用到军民及工业领域，其高性价比、低功耗特性越来越具有更加广阔的应用前景。由于MEMS传感器在测量精度、测量噪声等方面存在较大的缺陷，因此在实际使用过程中受到限制。当前，提升MEMS传感器测量精度、减小其测量噪声多从结构设计和电路系统着手，这从一定程度上提升了MEMS传感器性能，随之而来的也是MEMS传感器良率的降低、成本提高，这不利于MEMS传感器的应用。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种阵列式MEMS传感器SPI并行数据采集电路及采集方法，其为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种阵列式MEMS传感器SPI并行数据采集电路，包括：传感器模块，所述传感器模块包括多个阵列式排布的MEMS传感器，每个所述MEMS传感器上皆连接有主机控制线、时钟线、片选线和用于采集传感器数据的数据线；...

【技术保护点】
1.一种阵列式MEMS传感器SPI并行数据采集电路，其特征在于，包括：/n传感器模块，所述传感器模块包括多个阵列式排布的MEMS传感器，每个所述MEMS传感器上皆连接有主机控制线、时钟线、片选线和用于采集传感器数据的数据线；/n控制器，所述控制器包括第一I/O端口、第二I/O端口、第三I/O端口和多个第四I/O端口，每个所述MEMS传感器的主机控制线皆与第一I/O端口电性连接，每个所述MEMS传感器的时钟线皆与第二I/O端口电性连接，每个所述MEMS传感器的片选线皆与第三I/O端口电性连接，所述第四I/O端口与所述数据线一一对应电性连接；/n其中，所述控制器通过控制主机控制线、时钟线和片选线的...

【技术特征摘要】
1.一种阵列式MEMS传感器SPI并行数据采集电路，其特征在于，包括：
传感器模块，所述传感器模块包括多个阵列式排布的MEMS传感器，每个所述MEMS传感器上皆连接有主机控制线、时钟线、片选线和用于采集传感器数据的数据线；
控制器，所述控制器包括第一I/O端口、第二I/O端口、第三I/O端口和多个第四I/O端口，每个所述MEMS传感器的主机控制线皆与第一I/O端口电性连接，每个所述MEMS传感器的时钟线皆与第二I/O端口电性连接，每个所述MEMS传感器的片选线皆与第三I/O端口电性连接，所述第四I/O端口与所述数据线一一对应电性连接；
其中，所述控制器通过控制主机控制线、时钟线和片选线的电信号并采集数据线的传输数据以实现阵列式MEMS传感器的数据采集。


2.如权利要求1所述的阵列式MEMS传感器SPI并行数据采集电路，其特征在于，还包括信号驱动与电平转换电路，其用于提高第一I/O端口、第二I/O端口和第三I/O端口对MEMS传感器的驱动能力，并进行电平转换。


3.如权利要求2所述的阵列式MEMS传感器SPI并行数据采集电路，其特征在于，所述信号驱动与电平转换电路包括多个驱动子电路；
所述驱动子电路位于所述MEMS传感器的信号线与所述控制器上对应的端口之间，其中，所述信号线为主机控制线、时钟线、片选线或数据线，所述主机控制线与控制器上的第一I/O端口对应，所述时钟线与第二I/O端口对应，所述片选线与第三I/O端口对应，所述数据线与第四I/O端口对应。


4.如权利要求3所述的阵列式MEMS传感器，其特征在于，所述驱动子电路包括第一上拉电阻、第二上拉电阻和场效应管；
所述场效应管的栅极和第一上拉电阻的第一端皆与控制器的电源端电性连接，所述场效应管的源极与信号线对应的控制器的I/O端口和第一电阻的第二端电性连接；
所述第二上拉电阻的第一端与所述场效应管的漏极和信号线电性连接，所述第二上拉电阻的第二端与MEMS传...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐祥，朱辰霄，颜陆胜，申佼杰，刘健明，戴瑄辰，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32