【技术实现步骤摘要】
串联的晶体管相关申请的交叉引用本申请要求于2019年4月26日提交的法国专利申请No.1904484的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
本公开总体上涉及电子设备,并且更特别地涉及集成一个或多个包括连接焊盘的输入-输出电路的芯片。
技术介绍
包括所谓的“不耐电”连接焊盘的集成在芯片中的输入-输出电路是已知的。这些不耐电的焊盘通常具有防止可能的电流注入的方法。在某些情况下,经由连接焊盘的电流注入对于芯片产生有害影响。因此,所期望的是通过使用二极管来防止这些电流注入。使用这些二极管杆的一个缺点是,这限制了由电路可允许的输入电压范围。这种限制有时对某些需要更大的电压范围的应用是有害的。包括所谓的“耐电”连接焊盘的输入-输出电路也是已知的。与装配有不耐电焊盘的电路相比,借助于这些装配有耐电焊盘的电路可以在冒着降低芯片和施加到焊盘上的信号退化的风险的情况下扩大可容许的输入电压的范围。针对特定的应用,尤其是有可能使这些耐电焊盘的电势远高于用于供应芯片的电源电势。然而,在某些应用中,不耐电焊盘不能由耐电焊盘取代。 ...
【技术保护点】
1.一种设备,包括:/n第一晶体管;/n第二晶体管,连接到所述第一晶体管;以及/n第三晶体管,连接到所述第二晶体管;/n其中所述晶体管以串联连接而被连接,以及/n其中所述第三晶体管被配置为通过数字信号而被控制。/n
【技术特征摘要】
20190426 FR 19044841.一种设备,包括:
第一晶体管;
第二晶体管,连接到所述第一晶体管;以及
第三晶体管,连接到所述第二晶体管;
其中所述晶体管以串联连接而被连接,以及
其中所述第三晶体管被配置为通过数字信号而被控制。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述晶体管是MOS晶体管。
3.根据权利要求2所述的设备,
其中所述第一晶体管是P型晶体管,
其中所述第二晶体管是N型晶体管,以及
其中所述第三晶体管是N型晶体管。
4.根据权利要求1所述的设备,
其中所述第二晶体管的漏极被连接到所述第一晶体管的漏极,以及
其中所述第二晶体管的源极被连接到所述第三晶体管的漏极。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述第三晶体管的源极被配置为接收参考电势。
6.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的共用栅极以及所述第三晶体管的源极被配置为接收DC电压。
7.根据权利要求1所述的设备,其中在所述串联连接中的电流通过所述数字信号以接通/关断方式控制。
8.根据权利要求1所述的设备,其中所述设备被配置为基于控制所述第三晶体管的所述数字信号的状态来用作二极管或用作开路。
9.根据权利要求1所述的设备,其中所述设备由三个晶体管构成。
10.一种电子芯片,包...
【专利技术属性】
技术研发人员:N·弗洛伊德瓦奥克斯,L·洛佩兹,
申请(专利权)人:意法半导体鲁塞公司,
类型:发明
国别省市:法国;FR
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