【技术实现步骤摘要】
一种多串电池组及其均衡开关
本申请涉及电池管理
，特别涉及一种多串电池组及其均衡开关。
技术介绍
由于在生产制造和使用过程中的差异，动力电池单体间存在天然的不一致性，主要表现在单体容量、内阻、自放电率、充放电效率等方面。不同电池单体间的差异，必然会导致动力电池包容量的损失，进而造成电池组的寿命下降，因此，业界多利用均衡电路来实现电池组中电池单体间的电压均衡。最简单的均衡电路是负载消耗型均衡电路，即，在每个电池的两极并联上分流电阻，并在回路中串联上用于控制的均衡开关。当某节电池的电压过高时，打开均衡开关，分流电阻接入电路，充电电流通过分流电阻分流，如此电压高的电池充电电流小，电压低的电池充电电流大，从而实现电池电压均衡。均衡开关具体可基于开关管而实现。图1是现有技术中常用的一种N型均衡开关，包括NMOS管NMBLD1A和NMBLD1B、偏置电阻Ri1以及齐纳二极管ZD01，IN为控制端外接的偏置电流，VBP为均衡开关的正连接端，VBN为均衡开关的负连接端。相类似地，图2是现有技术中常用的一种P型均衡开关，包括PM...
【技术保护点】
1.一种均衡开关，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、衬源短接的第一MOS管和第二MOS管和第三MOS管、以及衬源不短接的第四MOS管；/n所述第一电阻的第一端作为所述均衡开关的第一连接端，所述第一电阻的第二端与所述第一MOS管的栅极连接；/n所述第二电阻的第一端作为所述均衡开关的第二连接端，所述第二电阻的第二端与所述第二MOS管的栅极连接；/n所述第一MOS管的源极、所述第二MOS管的源极、所述第三MOS管的源极均与所述第四MOS管的衬底连接；所述第四MOS管的栅极与所述第三电阻的第一端连接，并作为所述均衡开关的控制端；/n所述第一MOS管的漏极、所述第四MO...
【技术特征摘要】
1.一种均衡开关，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、衬源短接的第一MOS管和第二MOS管和第三MOS管、以及衬源不短接的第四MOS管；
所述第一电阻的第一端作为所述均衡开关的第一连接端，所述第一电阻的第二端与所述第一MOS管的栅极连接；
所述第二电阻的第一端作为所述均衡开关的第二连接端，所述第二电阻的第二端与所述第二MOS管的栅极连接；
所述第一MOS管的源极、所述第二MOS管的源极、所述第三MOS管的源极均与所述第四MOS管的衬底连接；所述第四MOS管的栅极与所述第三电阻的第一端连接，并作为所述均衡开关的控制端；
所述第一MOS管的漏极、所述第四MOS管的漏极均与所述第二电阻的第一端连接；所述第二MOS管的漏极、所述第三MOS管的漏极、所述第四MOS管的源极、所述第三电阻的第二端均与所述第一电阻的第一端连接。
2.根据权利要求1所述的均衡开关，其特征在于，还包括第一齐纳二极管、第二齐纳二极管和第三齐纳二极管；
所述第一齐纳二极管的第一端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一齐纳二极管的第二端与所述第一MOS管的源极连接；
所述第二齐纳二极管的第一端与所述第二MOS管的栅极连接，所述第二齐纳二极管的第二端与所述第二MOS管的源极连接；
所述第三齐纳二极管的第一端与所述第四MOS管的栅极连接，所述第三齐纳二极管的第二端与所述第四MOS管的源极连接。
3.根据权利要求2所述的均衡开关，其特征在于，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管均为NMOS型；
所述均衡开关的第一连接端为负连接端，所述均衡开关的第二连接端为正连接端，所述均衡开关为N型均衡开关；
所述第一齐纳二极管的第一端、所述第二齐纳二极管的第一端、所述第三齐纳二极管的第一端均为阴极；所述第一齐纳二极管的第二端、所述第二齐纳二极管的第二端、所述第三齐纳二极管的第二端均为阳极。
4.根据权利要求2所述的均衡开关，其特征在于，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管均为PMOS型；...
【专利技术属性】
技术研发人员：王婉贞，
申请(专利权)人：南京苏梦电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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