【技术实现步骤摘要】
充电电路
本公开涉及集成电路设计
,具体地,涉及一种充电电路。
技术介绍
宽带电力线载波HPLC通信模块中,需要利用超级电容充放电管理机制来实现停电上报的功能。超级电容充电一般采用恒流(CC)恒压(CV)的充电方式,该方式在充电初期采用恒定的大电流充电,当电容电压达到预设充电终止电压时,此时充电电流减小至零,并维持预设充电终止电压不变,即从恒流模式转换到恒压模式。然而,在相关技术中仅能实现对待充电装置(例如超级电容)进行恒压充电。在相关技术中对待充电装置进行恒压充电时,需要增加专用的充电芯片,专用的充电芯片在过压时,起到保护的作用,但是这种芯片成本极高,且不能实现对待充电装置进行恒流充电的目的。
技术实现思路
本公开的目的是提供一种充电电路,以解决相关技术中存在的问题。为了实现上述目的,本公开提供一种充电电路,包括:恒压充电模块和恒流充电模块,其中,所述恒压充电模块与所述恒流充电模块相连;所述恒压充电模块,用于获取待充电装置的当前电压大小,并确定所述待充电装置的当前电压是否小于参考电压,在确定所述当前电压小于所述参考电压的情况下,产生用于指示所述恒流充电模块对所述待充电装置进行恒流充电的控制指令;所述恒流充电模块,用于响应于所述控制指令,根据恒定充电电流对所述待充电装置进行恒流充电。可选地,所述恒压充电模块包括比较单元和分流支路,其中,所述比较单元和所述分流支路相连,所述分流支路与所述待充电装置并联;所述比较单元,用于确定所述待充电装置的当前电压是否小于所述参 ...
【技术保护点】
1.一种充电电路,其特征在于,包括:恒压充电模块和恒流充电模块,其中,所述恒压充电模块与所述恒流充电模块相连;/n所述恒压充电模块,用于获取待充电装置的当前电压大小,并确定所述待充电装置的当前电压是否小于参考电压,在确定所述当前电压小于所述参考电压的情况下,产生用于指示所述恒流充电模块对所述待充电装置进行恒流充电的控制指令;/n所述恒流充电模块,用于响应于所述控制指令,根据恒定充电电流对所述待充电装置进行恒流充电;/n所述恒压充电模块包括比较单元和分流支路,其中,所述比较单元和所述分流支路相连,所述分流支路与所述待充电装置并联;/n所述比较单元为运算放大器,所述分流支路为第一N型MOS管;/n其中,所述运算放大器的同相输入端连接所述待充电装置的电压输入端,以获取所述待充电装置的当前电压,所述运算放大器的反相输入端连接参考电压端,以获取所述待充电装置的参考电压;/n所述第一N型MOS管的栅极与所述运算放大器的输出端相连,所述第一N型MOS管的漏极与所述恒流充电模块相连,所述第一N型MOS管的源极接地。/n
【技术特征摘要】
1.一种充电电路,其特征在于,包括:恒压充电模块和恒流充电模块,其中,所述恒压充电模块与所述恒流充电模块相连;
所述恒压充电模块,用于获取待充电装置的当前电压大小,并确定所述待充电装置的当前电压是否小于参考电压,在确定所述当前电压小于所述参考电压的情况下,产生用于指示所述恒流充电模块对所述待充电装置进行恒流充电的控制指令;
所述恒流充电模块,用于响应于所述控制指令,根据恒定充电电流对所述待充电装置进行恒流充电;
所述恒压充电模块包括比较单元和分流支路,其中,所述比较单元和所述分流支路相连,所述分流支路与所述待充电装置并联;
所述比较单元为运算放大器,所述分流支路为第一N型MOS管;
其中,所述运算放大器的同相输入端连接所述待充电装置的电压输入端,以获取所述待充电装置的当前电压,所述运算放大器的反相输入端连接参考电压端,以获取所述待充电装置的参考电压;
所述第一N型MOS管的栅极与所述运算放大器的输出端相连,所述第一N型MOS管的漏极与所述恒流充电模块相连,所述第一N型MOS管的源极接地。
2.根据权利要求1所述的充电电路,其特征在于,所述运算放大器,用于确定所述待充电装置的当前电压是否小于所述参考电压,并在确定所述当前电压小于所述参考电压的情况下,控制所述第一N型MOS管断开,以由所述恒流充电模块根据所述恒定充电电流对所述待充电装置进行恒流充电。
3.根据权利要求2所述的充电电路,其特征在于,所述运算放大器,还用于在确定所述当前电压大于或等于所述参考电压的情况下,控制所述第一N型MOS管导通,以通过所述第一N型MOS管对所述恒定充电电流进行分流;
所述恒流充电模块,还用于根据分流后的充电电流对所述待充电装置进行恒压充电。
4.根据权利要求1所述的充电电路,其特征在于,所述恒流充电模块包括:供电电源、电流偏置电路、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第一P型MOS管和第二P型MOS管;
所述电流偏置电路的一端与所述供电电源相连,以产生所述恒定充电电流;
所述电流偏置电路的另一端分别与所述恒压充电模块、所述第二N型MOS管的漏极和栅极、以及所述第三N型MOS管的栅极相连;
所述第二N型...
【专利技术属性】
技术研发人员:王本川,
申请(专利权)人:北京思凌科半导体技术有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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