MRAM器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种MRAM器件的制造方法，包括：在底电极上依次形成MTJ元件层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；图形化第二硬掩膜层，依次刻蚀第二硬掩膜层及第一硬掩膜层；去除剩余的第二硬掩膜层；沉积一保护层，所述保护层覆盖剩余的第一硬掩膜层的侧壁和表面以及MTJ元件层的表面；对保护层进行刻蚀，只保留覆盖于剩余的第一硬掩膜层的侧壁的保护层；以剩余的第一硬掩膜层及其侧壁的保护层为硬掩膜，刻蚀MTJ元件层，得到MTJ预制件；去除覆盖于剩余的第一硬掩膜层的侧壁的保护层；以剩余的第一硬掩膜层为硬掩膜，刻蚀MTJ预制件，得到与剩余的第一硬掩膜层的侧壁平齐的MTJ元件。本发明专利技术能够降低MTJ元件的侧壁损伤，提高MRAM器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
MRAM器件的制造方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种MRAM器件的制造方法。
技术介绍
磁性随机存取存储器(MagneticRandomAccessMemory，MRAM)具有高速读写、非易失性、低功耗、接近无限次反复擦写等优点，具有广阔的应用前景。MRAM的核心存储部分是磁性隧道结(MagneticTunnelJunction，MTJ)元件，MTJ元件的性能直接影响MRAM的性能。在现有工艺下，制造MRAM时需要对沉积的MTJ元件层进行刻蚀，从而得到MTJ元件。但是现有的刻蚀工艺，不论是采用反应离子刻蚀(ReactiveIonEtch，RIE)还是离子束刻蚀(IonBeamEtch，IBE)，最终得到的MTJ元件的侧壁都会有较大损伤，进而影响MRAM的性能。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种MRAM器件的制造方法，能够降低MTJ元件的侧壁损伤，提高MRAM器件的可靠性。本专利技术提供一种MRAM器件的制造方法，包括：在底电极上依次形成MTJ元件层、第一硬掩膜层和第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MRAM器件的制造方法，其特征在于，包括：/n在底电极上依次形成MTJ元件层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；/n图形化所述第二硬掩膜层，依次刻蚀所述第二硬掩膜层及所述第一硬掩膜层；/n去除剩余的第二硬掩膜层；/n沉积一保护层，所述保护层覆盖剩余的第一硬掩膜层的侧壁、剩余的第一硬掩膜层的表面以及所述MTJ元件层的表面；/n对所述保护层进行刻蚀，只保留覆盖于所述剩余的第一硬掩膜层的侧壁的保护层；/n以所述剩余的第一硬掩膜层及其侧壁的保护层为硬掩膜，刻蚀所述MTJ元件层，得到MTJ预制件；/n去除覆盖于所述剩余的第一硬掩膜层的侧壁的保护层；/n以所述剩余的第一硬掩膜层为硬掩膜，刻蚀所述MTJ预...

【技术特征摘要】
1.一种MRAM器件的制造方法，其特征在于，包括：
在底电极上依次形成MTJ元件层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；
图形化所述第二硬掩膜层，依次刻蚀所述第二硬掩膜层及所述第一硬掩膜层；
去除剩余的第二硬掩膜层；
沉积一保护层，所述保护层覆盖剩余的第一硬掩膜层的侧壁、剩余的第一硬掩膜层的表面以及所述MTJ元件层的表面；
对所述保护层进行刻蚀，只保留覆盖于所述剩余的第一硬掩膜层的侧壁的保护层；
以所述剩余的第一硬掩膜层及其侧壁的保护层为硬掩膜，刻蚀所述MTJ元件层，得到MTJ预制件；
去除覆盖于所述剩余的第一硬掩膜层的侧壁的保护层；
以所述剩余的第一硬掩膜层为硬掩膜，刻蚀所述MTJ预制件，得到与所述剩余的第一硬掩膜层的侧壁平齐的MTJ元件。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层采用等离子体增强原子层沉积或者等离子体增强化学气相沉积的方法进行沉积。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层的材料包括SiO2、SiN、SiC、SiON和SiCN中的任意一种。


4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨成成，刘瑞盛，
申请(专利权)人：中电海康集团有限公司，浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33