存储位元的制备方法及MRAM的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种存储位元的制备方法及MRAM的制备方法。该制备方法包括形成磁隧道结的步骤，在形成磁隧道结的步骤之后，制备方法还包括以下步骤：对磁隧道结的侧壁进行气体钝化处理，以减少侧壁表面的悬挂键。本发明专利技术通过上述气体钝化处理，不仅能够减少侧壁表面的悬挂键，还能够去除表面杂质，并填充表层内部、表面的空位，从而降低缺陷密度，提高了器件稳定性，缓解了刻蚀损伤对TMR等性能参数的影响，能够降低器件阵列的TMR减损率、TMR离散值、临界电压离散值，提高临界磁场。

【技术实现步骤摘要】
存储位元的制备方法及MRAM的制备方法
本专利技术涉及半导体存储芯片制造领域，具体而言，涉及一种存储位元的制备方法及MRAM的制备方法。
技术介绍
存储芯片是计算机的重要组成部分，影响着整个计算机的速度、集成和功耗。在目前的计算机内部，存储器分为两部分，硬盘和缓存。硬盘容量大、断电数据不丢失，但速度慢。即使是较先进的固态硬盘NANDFlash也不能避免。缓存速度快，如DRAM和SRAM，但容量小、断电数据丢失。随着芯片特征尺寸的逐渐缩小，NAND、DRAM和SRAM面临功耗大、面积大等一系列难以克服的困难。MRAM是目前最有潜力的下一代存储芯片。它汇集了DRAM的高集成特性、SRAM的高速特性，还拥有Flash的非易失性，理论上具有无限次数读写能力，具备功耗低的特点，有望成为下一代“通用存储器”。目前，世界上领先的半导体公司都开始了MRAM的试制或量产。隧道结刻蚀是MRAM制造当中的两大难题之一。隧道结是MRAM的核心器件层，由十几种金属，堆叠成几十层的膜结构，最薄的一层厚度只有几个埃米。它是数据保存的载体。隧道结刻蚀的任务是将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储位元的制备方法，包括形成磁隧道结的步骤，其特征在于，在形成所述磁隧道结的步骤之后，所述制备方法还包括以下步骤：/n对所述磁隧道结的侧壁进行气体钝化处理，以减少所述侧壁表面的悬挂键。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储位元的制备方法，包括形成磁隧道结的步骤，其特征在于，在形成所述磁隧道结的步骤之后，所述制备方法还包括以下步骤：
对所述磁隧道结的侧壁进行气体钝化处理，以减少所述侧壁表面的悬挂键。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述隧道结的步骤包括：
在底电极上顺序形成隧道结材料层和第一掩膜材料层；
将所述第一掩膜材料层图形化，以形成第一掩膜层；
通过所述第一掩膜层对所述隧道结材料层进行刻蚀，以形成所述磁隧道结。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，对所述隧道结材料层进行离子束刻蚀，以形成所述磁隧道结，优选采用惰性气体进行所述离子束刻蚀。


4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，对所述隧道结材料层进行反应离子刻蚀，以形成所述磁隧道结，优选所述反应离子刻蚀的等离子体源选自电容耦合源、电感耦合源和电子回旋共振源中的任一种，优选所述反应离子刻蚀的反应气体为氟基气体和/或氯基气体。


5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用包括钝化气体的钝化用气体对所述磁隧道结进行气体钝化处理，优选所述钝化气体选自氢气、氘气、氨气和氘化氨中的任一种或多种。


6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述钝化用气体还包括载气，优选所述载气氦气、氖气、氩气、氙气...

【专利技术属性】
技术研发人员：王曙光，李辉辉，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33