【技术实现步骤摘要】
存储位元的制备方法及MRAM的制备方法
本专利技术涉及半导体存储芯片制造领域，具体而言，涉及一种存储位元的制备方法及MRAM的制备方法。
技术介绍
磁性随机存储器(MRAM)以磁性隧道结(MTJ)作为信息存储位元，利用其TMR电阻值的高低态记录信息0和1，具有读写速度快，非易失，抗辐照等优良属性，是极具潜力的下一代非易失性存储技术。然而，MRAM的制备工艺集成技术面临着诸多难题：1)MTJ刻蚀难度大，为了避免RIE化学腐蚀破坏其电磁性能，MTJ刻蚀一般采用IBE方法，然而由于上方覆盖金属顶电极，且形成MTJ的材料也具有金属元素，导致IBE刻蚀伴随着侧壁金属沉积和等离子体轰击现象，会带来严重的短路和磁性破坏；2)RIE化学刻蚀中的化学腐蚀或者IBE等离子体物理刻蚀中的等离子体轰击会破坏MTJ侧壁的表面磁性层，磁性破坏层的电阻、TMR及热稳定性等性能相对于正常MTJ都有恶化；同时，磁性破坏层内存在的卤素元素或者氧、氮离子会在后续的高温处理或者使用过程中通过扩散等形式影响成品器件的性能或寿命。专利技...
【技术保护点】
1.一种存储位元的制备方法，包括形成磁隧道结的步骤，其特征在于，在形成所述磁隧道结的步骤之后，所述制备方法还包括以下步骤：/n对所述磁隧道结的侧壁进行氧化，以形成位于所述磁隧道结外侧的氧化层；/n去除所述氧化层。/n
【技术特征摘要】
1.一种存储位元的制备方法，包括形成磁隧道结的步骤，其特征在于，在形成所述磁隧道结的步骤之后，所述制备方法还包括以下步骤：
对所述磁隧道结的侧壁进行氧化，以形成位于所述磁隧道结外侧的氧化层；
去除所述氧化层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述隧道结的步骤包括：
在底电极上顺序形成隧道结材料层和顶电极材料层；
将所述顶电极材料层图形化，以形成顶电极；
以所述顶电极为掩膜对所述隧道结材料层进行刻蚀，以形成所述磁隧道结，优选地，对所述隧道结材料进行第一离子束刻蚀。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度小于5nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述磁隧道结放置于包含氧气的第一气体氛围下以将所述侧壁氧化，优选所述第一气体氛围的温度为20～250℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用含氧等离子体对所述磁隧道结进行表面氧化处理以将所述侧壁氧化，优选所述表面氧化处理的温度为20～250℃。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，对所述氧化层进行第二离子束刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：李辉辉，王曙光，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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