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本发明提供了一种存储位元的制备方法及MRAM的制备方法。该制备方法包括形成磁隧道结的步骤，在形成磁隧道结的步骤之后，制备方法还包括以下步骤：对磁隧道结的侧壁进行氧化，以形成位于磁隧道结外侧的氧化层；去除氧化层。上述制备方法通过对磁隧道结表面...
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