温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种MRAM器件的制造方法，包括：在底电极上依次形成MTJ元件层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；图形化第二硬掩膜层，依次刻蚀第二硬掩膜层及第一硬掩膜层；去除剩余的第二硬掩膜层；沉积一保护层，所述保护层覆盖剩余的第一硬掩膜层的侧壁和表...该专利属于中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。