磁场感测装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种磁场感测装置，包括至少一磁阻传感器以及磁化方向设定元件。磁化方向设定元件设置于至少一磁阻传感器旁。磁化方向设定元件具有彼此相对的电流入口与电流出口。至少一磁阻传感器位于电流入口与电流出口之间，且至少一磁阻传感器的至少一部分的正投影与磁化方向设定元件的正投影重叠。磁化方向设定元件还包括多个电流路径调整结构。多个电流路径调整结构位于电流入口与至少一磁阻传感器之间的区域且用以界定来自电流入口的电流的电流分布。

【技术实现步骤摘要】
磁场感测装置
本专利技术涉及一种磁场感测装置。
技术介绍
当检测外部磁场时，磁场感测装置会通过内部的磁化方向设定元件产生一设定磁场以使磁阻传感器沿着其延伸方向磁化，并藉此来设定磁阻传感器的磁化方向。通常的做法是在磁阻传感器旁设置一个施加电流的导体以产生设定磁场来磁化磁阻传感器。一般来说，当电流进入导体后，大部分的电流会由电流入口并以最小阻抗路径在导体内部行进而前往电流出口，由于上述几何关系与电流的传递方式，导致电流集中经过导体的部分区域而造成导体内部电流密度分布不均匀。此外，电流的行进方向也会随着其行进路线而改变。因此，导体不同区域所产生的磁场强度与磁场方向有可能是不同的。上述的现象导致了磁阻传感器无法均匀地磁化，而影响后续磁场感测装置的量测结果。
技术实现思路
本专利技术提供一种磁场感测装置，其内部的磁阻传感器可均匀地磁化而具有精确的量测结果。本专利技术的一实施例中提供一种磁场感测装置，包括至少一磁阻传感器以及磁化方向设定元件。磁化方向设定元件设置于至少一磁阻传感器旁。磁化方向设定元件具有彼此相对的电流入口本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁场感测装置，包括：/n至少一磁阻传感器；以及/n磁化方向设定元件，设置于所述至少一磁阻传感器旁，所述磁化方向设定元件具有彼此相对的电流入口与电流出口，所述至少一磁阻传感器位于所述电流入口与所述电流出口之间，且所述至少一磁阻传感器的至少一部分的正投影与所述磁化方向设定元件的正投影重叠，/n其中，所述磁化方向设定元件还包括多个电流路径调整结构，且所述多个电流路径调整结构位于所述电流入口与所述至少一磁阻传感器之间的区域且用以界定来自所述电流入口的电流的电流分布。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁场感测装置，包括：
至少一磁阻传感器；以及
磁化方向设定元件，设置于所述至少一磁阻传感器旁，所述磁化方向设定元件具有彼此相对的电流入口与电流出口，所述至少一磁阻传感器位于所述电流入口与所述电流出口之间，且所述至少一磁阻传感器的至少一部分的正投影与所述磁化方向设定元件的正投影重叠，
其中，所述磁化方向设定元件还包括多个电流路径调整结构，且所述多个电流路径调整结构位于所述电流入口与所述至少一磁阻传感器之间的区域且用以界定来自所述电流入口的电流的电流分布。


2.如权利要求1所述的磁场感测装置，其特征在于，所述多个电流路径调整结构包括彼此不同的第一电流路径调整结构、第二电流路径调整结构以及第三电流路径调整结构。


3.如权利要求2所述的磁场感测装置，其特征在于，所述第一电流路径调整结构包括至少一开口。


4.如权利要求3所述的磁场感测装置，其特征在于，所述至少一开口的形状包括圆形、椭圆形、三角形、四边形或多边形。


5.如权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁辅德，
申请(专利权)人：爱盛科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71