磁传感器装置制造方法及图纸

本发明专利技术的磁传感器装置具有自旋阀型的磁阻效应元件，并且能够向该磁阻效应元件的自由层稳定地施加偏置磁场，其具备：自旋阀型的磁阻效应元件；基板，其配置有磁阻效应元件；电源，其供给施加于磁阻效应元件的实质上恒定的电流；以及磁场产生部，其被设置成串联连接于施加于磁阻效应元件的电流的电流路径，并且能够向至少一部分的磁阻效应元件施加偏置磁场，磁场产生部位于一部分的磁阻效应元件的附近，并且位于与基板不同的层。

【技术实现步骤摘要】
磁传感器装置
本专利技术涉及一种磁传感器装置。
技术介绍
近年来，在各种用途中，使用了用于检测物理量(例如，根据移动体的旋转移动或直线移动引起的位置或移动量(变化量)等)的物理量检测装置(位置检测装置)。作为该物理量检测装置，已知有具备能够检测外部磁场的变化的磁传感器的装置，并且可以从磁传感器输出相应于外部磁场的变化的传感器信号。磁传感器具有检测被检测磁场的磁传感器元件，作为相关的磁传感器元件，已知有磁阻相应于外部磁场的变化而变化的自旋阀型的磁阻效应元件(AMR元件、GMR元件、TMR元件等)等。自旋阀型的磁阻效应元件由至少具有：能够使磁化方向相应于外部磁场而变化的自由层；磁化方向被固定的磁化固定层；以及介于自由层和磁化固定层之间的非磁性层的层叠结构而构成。在具有这种结构的磁阻效应元件中，通过自由层的磁化方向与磁化固定层的磁化方向所成的角度决定该磁阻效应元件的电阻值。另外，由于自由层的磁化方向相应于外部磁场而变化，并且由此自由层与磁化固定层的磁化方向所成的角度变化，因此，磁阻效应元件的电阻值变化。通过该电阻值的变化，可以输出相应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁传感器装置，其特征在于，/n具备：/n自旋阀型的磁阻效应元件；/n基板，其配置有所述磁阻效应元件；/n电源，其供给施加于所述磁阻效应元件的实质上恒定的电流；以及/n磁场产生部，其被设置成串联连接于施加于所述磁阻效应元件的所述电流的电流路径，并且能够向至少一部分的磁阻效应元件施加偏置磁场，/n所述磁场产生部位于所述一部分的磁阻效应元件的附近，并且位于与所述基板不同的层。/n

【技术特征摘要】
20190311 JP 2019-0439761.一种磁传感器装置，其特征在于，
具备：
自旋阀型的磁阻效应元件；
基板，其配置有所述磁阻效应元件；
电源，其供给施加于所述磁阻效应元件的实质上恒定的电流；以及
磁场产生部，其被设置成串联连接于施加于所述磁阻效应元件的所述电流的电流路径，并且能够向至少一部分的磁阻效应元件施加偏置磁场，
所述磁场产生部位于所述一部分的磁阻效应元件的附近，并且位于与所述基板不同的层。


2.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，
所述磁阻效应元件曲折状地构成为具有：具有第一端部和第二端部，并且排列于规定的方向的多个长条状部；以及连接在所述长条状部的排列方向上相邻的两个所述长条状部的所述第一端部之间或所述第二端部之间的折返部，
所述磁场产生部位于所述折返部的附近。


3.根据权利要求2所述的磁传感器装置，其特征在于，
所述磁阻效应元件以使连接所述长条状部的所述第一端部之间或所述第二端部之间的多个所述折返部排列于规定的方向的方式曲折状地构成，
所述磁场产生部位于所述折返部的附近。


4.根据权利要求3所述的磁传感器装置，其特征在于，
所述磁场产生部以沿所述多个折返部的排列方向的方式位于所述多个折返部的附近。


5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：太田尚城，蔡永福，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP