【技术实现步骤摘要】
复合IGBT结构、基于复合IGBT结构的模拟系统及其控制方法
本专利技术涉及逆变器控制策略以及逆变器中IGBT模块诊断
，特别涉及复合IGBT结构、基于复合IGBT结构的模拟系统及其控制方法。
技术介绍
在二十一世纪的今天，电能已成为当前最重要的能源之一，它深深地影响和改变着人们的生活和生产方式。中国作为全球人口第一的超级大国，全球第二大的经济体，对电力有着持续增长的需求。为了保障人民正常的生产生活，社会稳定持续的发展，对我国的电力系统提出了较高的要求，电力系统稳定持续的运行显得异常重要。逆变器作为电力系统中实现电能转换的装置，是整个电力系统中必不可少的重要部分。由于逆变器中的开关元器件一直工作在高频高压下，其损耗和故障往往难以避免。一旦这些开关元器件发生损耗和故障将会对整个电力系统带来难以估量的损害，甚至会使整个系统崩溃，给人们的生活生产带来严重的影响和经济损失，所以对逆变器中的开关电子元器件进行故障诊断尤为重要。然而在现实生活中，由于逆变器一直工作在高压、高频的条件下，很难将电路中的开关元器件的各种...
【技术保护点】
1.一种复合IGBT结构，其特征在于，由主IGBT模块和辅IGBT模块串联而成：所述主IGBT模块的发射极和所述辅IGBT模块的发射极相连，所述主IGBT模块的集电极作为复合IGBT结构的输入端口，所述辅IGBT模块的集电极作为复合IGBT结构的输出端口，所述主IGBT模块的门级和所述辅IGBT模块的门级均为复合IGBT结构的控制端口，所述主IGBT模块和所述辅IGBT模块对称等效。/n
【技术特征摘要】
1.一种复合IGBT结构，其特征在于，由主IGBT模块和辅IGBT模块串联而成：所述主IGBT模块的发射极和所述辅IGBT模块的发射极相连，所述主IGBT模块的集电极作为复合IGBT结构的输入端口，所述辅IGBT模块的集电极作为复合IGBT结构的输出端口，所述主IGBT模块的门级和所述辅IGBT模块的门级均为复合IGBT结构的控制端口，所述主IGBT模块和所述辅IGBT模块对称等效。
2.一种基于如权利要求1所述的复合IGBT结构的模拟系统，其特征在于，包括：
逆变器模块，具有所述复合IGBT结构；
微控制器，包括PWM模块以及GPIO模块，所述PWM模块向所述复合IGBT结构中的主IGBT模块提供控制信号，所述GPIO模块向所述复合IGBT结构中的辅IGBT模块提供控制信号；
逆变器工作模式显示与控制模块，包括显示部分和控制部分，所述显示部分实时显示所述逆变器模块的工作状态，所述控制部分改变所述逆变器模块的工作状态，所述控制部分发出控制信号传输至所述微控制器；
IGBT驱动模块，与所述微控制器连接，所述IGBT驱动模块包括主IGBT驱动部分和辅IGBT驱动部分，所述主IGBR驱动部分控制复合IGBT结构中的主IGBT模块，所述辅IGBT驱动部分控制复合IGBT结构中的辅IGBT模块。
3.如权利要求2所述的基于复合IGBT结构的模拟系统，其特征在于，还包括：弱电控制系统电源模块、直流母线电源模块以及驱动供电模块，所述弱电控制系统电源模块分别与所述逆变器工作模式显示与控制模块和微控制器连接，所述直流母线电源模块与所述逆变器模块连接，所述驱动供电模块与所述IGBT驱动模块连接。
4.如权利要求2所述的基于复合IGBT结构的模拟系统，其特征在于，所述微控制器还包括通讯模块，通过所述通讯模块将所述微控制器与所述逆变器工作模式显示与控制模块连接。
5.如权利要求2所述的基于复合IGBT结构的模拟系统，其特征在于，所述工作状态包括：正常工作状态、IGBT信号缺失故障状态以及IGBT开路故障状态。
6.如权利要求2所述的基于复合IGBT结构的模拟系统，其特征在于，主IGBT驱动部分将所述微控制器的PWM模块输出的弱电信号调理到可以驱动...
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