一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测系统及其制备方法技术方案

本发明专利技术公开了一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测系统及其制备方法，是在玻璃衬底的上、下表面对称设置有由两二硒化钯薄膜与n‑型超薄硅片构成金属半导体金属肖特基结的一对颜色探测单元。本发明专利技术的颜色探测系统可探测的波长范围包括460‑810nm，跨越了整个可见光区域又涉及一部分近红外波段，且该系统具有准确性和重复性高的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测系统及其制备方法
本专利技术属于光电探测
，具体涉及一种颜色探测系统及其制备方法。
技术介绍
光电探测器是通过光电效应将光信号转换为电信号的光电子器件，其本质是由于光辐射的作用导致了吸光材料导电率的变化。它广泛应用于射线测量和探测、工业自动化控制、导弹制导、夜视技术等民用或军用领域。根据探测器的应用范围，目前光电探测器可以分为紫外光电探测器(波长10-400nm)、可见光电探测器(400-780nm)和红外光电探测器(780nm-20μm)等类型。颜色探测器属于光电探测器的一种，其不仅可以实现光信号的探测，还能实现波长的有效识别。低成本高性能颜色探测器在人工智能辅助驾驶、图像传感、光通信、火灾检测、生物医学成像、环境监测、空间探测与安全检测等诸多科学研究与工业
有重要的应用价值，因而得到了人们广泛的关注。目前，在应用广泛的可见光-近红外光波段(波长<1100nm)，基于晶体硅的光电探测器占据主要的市场份额。硅作为一种重要的半导体材料，一直推动着半导体工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测系统，其特征在于：包括玻璃衬底(1)，在所述玻璃衬底(1)的上、下表面对称设置有两颜色探测单元；/n所述颜色探测单元包括固定在玻璃衬底表面的n-型超薄硅片(2)，在所述n-型超薄硅片(2)上铺设有一对二硒化钯薄膜(3)；两二硒化钯薄膜(3)的一侧分别超出所述n-型超薄硅片(2)的区域、位于玻璃衬底(1)上，且在其超出区域设有二硒化钯接触电极(4)；在所述颜色探测单元中，由两二硒化钯薄膜与n-型超薄硅片构成金属半导体金属肖特基结；/n当光从上颜色探测单元的上方，向下逐层照射所述颜色探测系统时，上颜色探测单元与下颜色探测单元的电流比，随被探测...

【技术特征摘要】
1.一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测系统，其特征在于：包括玻璃衬底(1)，在所述玻璃衬底(1)的上、下表面对称设置有两颜色探测单元；
所述颜色探测单元包括固定在玻璃衬底表面的n-型超薄硅片(2)，在所述n-型超薄硅片(2)上铺设有一对二硒化钯薄膜(3)；两二硒化钯薄膜(3)的一侧分别超出所述n-型超薄硅片(2)的区域、位于玻璃衬底(1)上，且在其超出区域设有二硒化钯接触电极(4)；在所述颜色探测单元中，由两二硒化钯薄膜与n-型超薄硅片构成金属半导体金属肖特基结；
当光从上颜色探测单元的上方，向下逐层照射所述颜色探测系统时，上颜色探测单元与下颜色探测单元的电流比，随被探测光波长的增大而减小，从而可根据电流比识别被探测光的波长。


2.根据权利要求1所述的颜色探测系统，其特征在于：所述玻璃衬底(1)的厚度为0.8-1mm。


3.根据权利要求1所述的颜色探测系统，其特征在于：所述n-型超薄硅片(2)采用厚度为15-25μm、电阻率为1-7Ω/cm的n-型轻掺杂硅片。
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗林保，付灿，李家祥，王俊杰，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34