一种晶片研磨油及其制备方法技术

技术编号:26364501 阅读:24 留言:0更新日期:2020-11-19 23:33
本发明专利技术公开了一种晶片研磨油及其制备方法,涉及半导体材料技术领域。本发明专利技术的一种晶片研磨油,所述研磨油包括以下质量百分比的原料:8%~10%壬二酸酰胺钠、8%~10%月桂二酸钠、10%~20%单乙醇胺、15%~25%三乙醇胺、35%~59%水,具体的,该研磨油包括一下质量百分比的原料:8%壬二酸酰胺钠、8%月桂二酸钠、10%单乙醇胺、25%三乙醇胺、49%水,且本发明专利技术的研磨油的制备方法为:按照比例,称取各原料,先将壬二酸酰胺钠加入水中,持续搅拌至完全溶解后,加入月桂二酸钠,搅拌溶解,再加入单乙醇胺、三乙醇胺搅拌均匀后得到研磨油。本发明专利技术公开了一种晶片研磨油及其制备方法,具有良好的防锈能力,能够有效防止研磨盘生锈,进而保证了磷化铟晶片研磨质量。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片研磨油及其制备方法
本专利技术涉及半导体材料
,尤其涉及一种晶片研磨油及其制备方法。
技术介绍
在整个半导体材料加工中,研磨工艺是非常重要的一项工艺过程。研磨的主要作用是利用涂敷或压嵌在研具上的磨料颗粒,通过研具与工件在一定压力下的相对运动对加工表面进行的精整加工(如切削加工)。研磨可用于加工各种金属和非金属材料,加工的表面形状有平面,内、外圆柱面和圆锥面,凸、凹球面,螺纹,齿面及其他型面。晶片的研磨是晶片抛光之前最重要的加工过程之一,也是去除晶片轻微缺陷,调整晶片表面平整度,达到高质量晶片表面的重要环节。只有晶片研磨后,去除表面可去除的划伤、锯纹、脏印等缺陷,达到合适的TTV与WARP,得到平整的晶片表面,为晶片的腐蚀与抛光提供良好的基础。现在研磨采用的研磨方式是研磨机双面研磨,采用湿法研磨,晶片在研磨盘上在研磨液的作用下,进行研磨减薄。在研磨过程中,采用的研磨液是由研磨粉、分散剂、研磨油等配置而成。其中的研磨油是研磨液的重要组成部分,研磨油具有以下作用:(1)软化作用:即对金属表面氧化膜的化学作用,使其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片研磨油,其特征在于,所述研磨油的原料包含有壬二酸酰胺钠、月桂二酸钠。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶片研磨油,其特征在于,所述研磨油的原料包含有壬二酸酰胺钠、月桂二酸钠。


2.根据权利要求1所述的一种晶片研磨油,其特征在于,所述研磨油的原料包含有8wt%~10wt%壬二酸酰胺钠、8wt%~10wt%月桂二酸钠。


3.根据权利要求1或2所述的一种晶片研磨油,其特征在于,所述研磨油包括以下质量百分比的原料:8%~10%壬二酸酰胺钠、8%~10%月桂二酸钠、10%~20%单乙醇胺、15%~25%三乙醇胺、35%~59%水。


4.根据权利要求3所述的一种晶片研磨油,其特征在于,所述研磨油包括以下质量百分比的原料:8%壬二酸酰胺钠、8%月桂二酸钠、10%单乙醇胺、25%三乙醇胺、49%水。


5.根据权利要求3所述的一种晶片研磨油,其特征在于,所述研磨油包括以下质量百分比的原料:10%壬二酸酰胺钠、10%月桂二酸钠、10%单乙醇胺、25%三乙醇胺、45%水。


6.根据权利要求3所述的一种晶片研磨油,其特征在于,所述研磨油包括以下质量百...

【专利技术属性】
技术研发人员:周一毕洪伟刘留苏小平
申请(专利权)人:威科赛乐微电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:重庆;50

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1