一种Topcon电池专用晶体硅抛光凝胶及其使用方法技术

本发明专利技术涉及太阳能电池生产技术领域，尤其涉及一种Topcon电池专用晶体硅抛光凝胶，包括甲基丙烯酰胺基明胶10~20份、乙醇钠10~15份、氢氧化六甲双铵2~5份、三（丙烯酸）硼酸酯1~3份、抛光促进剂1~3份、粘度调节剂0.5~3份、表面活性剂0.5~1份、光引发剂0.1~0.5份以及水100份。其使用方法如下：将混合得到的抛光凝胶均匀涂抹于晶体硅表面，经紫外光固化得到交联水凝胶膜，升温静置一定时间，移除交联水凝胶膜即可得到抛光后的晶体硅。本发明专利技术克服了现有技术中的抛光液在抛光过程中的液体流动会对硅片的抛光造成不良影响，导致抛光均匀性不一，工艺不稳定的缺陷，经过抛光凝胶抛光之后的晶体硅片具有更高的抛光均匀性稳定，同时其表面反射率明显提升而表面缺陷则明显减少。

【技术实现步骤摘要】
一种Topcon电池专用晶体硅抛光凝胶及其使用方法
本专利技术涉及太阳能电池生产
，尤其涉及一种Topcon电池专用晶体硅抛光凝胶及其使用方法。
技术介绍
硅片在加工过程中，会经过多次的线切割以及研磨工艺，在这些加工过程中会在表面形成损伤层，从而使得表面形成具有一定的粗糙度。由于粗糙表面的影响，硅片背面与钝化膜及金属之间会产生接触不良的现象，Topcon电池(其中的一种技术路线)生产的第一步即对原硅片表面进行抛光处理，使硅片背表面更加光滑甚至达到镜面效果，背抛光后硅片的背面平整，一方面可以加强对透射光的反射，减小透光率；另一方面可以有效提高背钝化镀膜的均匀性，提高钝化效果，从而有效提升成品电池的电性能及EL良率等。目前，Topcon太阳能电池中的硅片大多是经过背面抛光的N型单晶硅片。现有的生产实践中，晶体硅的抛光主要包括化学酸腐蚀抛光和化学碱腐蚀抛光两种手段，其中使用酸腐蚀抛光的技术抛光效果差，平整度低，且抛光后会产生大量酸性污染物，这些污染物的处理成本较高，会对环境和人体的健康造成影响。而化学碱腐蚀则是通过使用含有浓碱的抛光液对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Topcon电池专用晶体硅抛光凝胶，其特征在于，按照分量份数计算，包括甲基丙烯酰胺基明胶10~20份、乙醇钠10~15份、氢氧化六甲双铵2~5份、三（丙烯酸）硼酸酯1~3份、抛光促进剂1~3份、粘度调节剂0.5~3份、表面活性剂0.5~1份、光引发剂0.1~0.5份以及水100份。/n

【技术特征摘要】
1.一种Topcon电池专用晶体硅抛光凝胶，其特征在于，按照分量份数计算，包括甲基丙烯酰胺基明胶10~20份、乙醇钠10~15份、氢氧化六甲双铵2~5份、三（丙烯酸）硼酸酯1~3份、抛光促进剂1~3份、粘度调节剂0.5~3份、表面活性剂0.5~1份、光引发剂0.1~0.5份以及水100份。


2.根据权利要求1所述的一种Topcon电池专用晶体硅抛光凝胶，其特征在于，所述抛光促进剂为氟化钠、氟化钾或者氟化铵中的一种。


3.根据权利要求1所述的一种Topcon电池专用晶体硅抛光凝胶，其特征在于，所述粘度调节剂为羧甲基纤维素钠、海藻酸钠、聚乙二醇或者卡波姆中的一种。


4.根据权利要求1所述的一种Topcon电池专用晶体硅抛光凝胶，其特征在于，所述表面活性剂为硬脂酰谷氨酸钠、硬脂酸钠、月桂基磺化琥珀酸单酯二钠或者月桂基磺化琥珀酸单酯二钠中的一种。


5.根据权利要求1所述的一种Topcon电池专用晶体硅抛光凝胶，其特征在于，所述光引发剂为苯基-2,4,6-三甲基苯甲酰基膦酸锂、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦或者1,1'-(亚甲基二-4,1-亚苯基)双[2-羟基-2-甲基-1-丙酮]中的一种。


6.一种如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏庆华，黄成斌，姚伟明，
申请(专利权)人：湖州飞鹿新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33