利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的方法技术

本发明专利技术涉及氟化铝生产技术领域，具体涉及一种利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的方法。所述的利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的方法，步骤为：将混合硫酸和高硅萤石粉在外加热式回转反应炉中反应，得到粗氟化氢气体；将粗氟化氢气体通入预净化塔，与逆向流动的预净化酸充分接触进行预净化后，再降温至40‑60℃，依次通入水洗塔和酸洗塔，最后经除雾器分离酸雾，得到净化氟化氢气体；将净化氟化氢气体通入流化床反应器，与氢氧化铝反应得到干法氟化铝。本发明专利技术在采用高硅含量萤石粉生产氟化铝时，不仅提高了氟化氢气体的利用率，大大降低了生产成本，而且保证了氟化铝产品的品质，能够满足电解铝生产的正常使用。

【技术实现步骤摘要】
利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的方法
本专利技术涉及氟化铝生产
，具体涉及一种利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的方法。
技术介绍
干法氟化铝生产主要分为氟化氢制取和氟化铝合成两个部分。其中，在利用萤石制备氟化氢时，萤石中的杂质硅含量较高，会导致氟化氢的硅含量较高，从而影响氟化铝产品的延展性和柔韧性。因此，一方面需要严格控制萤石中的杂质硅含量；另一方面需要对氟化氢进行脱硅净化。现有的氟化氢脱硅方式有流化床脱硅法和导气管脱硅法。流化床脱硅法的原理为：SiF4+2H2O←→SiO2+4HF。其中，高位槽加酸可以加快预净化酸比重上升的速度，外加烟酸和硫酸比例的调整进一步加快预净化酸比重上升速度，达到在气体未到流化床之前烟酸中SO32-不被H2O吸收的目的。SO32-进流化床后SO32-+H2O→H2SO4吸收流化床内的水分，从而达到SiO2+4HF←→SiF4+2H2O使流化床SiO2转化为SiF4从而达到脱Si的目的。但是，流化床脱硅法存在以下缺陷：(1)流化床脱硅法要达到理想的脱硅效果，必然要使用大量烟酸产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的方法，其特征在于，步骤如下：/n(1)氟化氢制取：将混合硫酸和高硅萤石粉在外加热式回转反应炉中反应，得到粗氟化氢气体；/n(2)氟化氢净化：将粗氟化氢气体通入预净化塔，与逆向流动的预净化酸充分接触进行预净化后，再降温至40-60℃，依次通入水洗塔和酸洗塔，最后经除雾器分离酸雾，得到净化氟化氢气体；/n(3)氟化铝合成：将净化氟化氢气体通入流化床反应器，与氢氧化铝反应得到干法氟化铝。/n

【技术特征摘要】
1.一种利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的方法，其特征在于，步骤如下：
(1)氟化氢制取：将混合硫酸和高硅萤石粉在外加热式回转反应炉中反应，得到粗氟化氢气体；
(2)氟化氢净化：将粗氟化氢气体通入预净化塔，与逆向流动的预净化酸充分接触进行预净化后，再降温至40-60℃，依次通入水洗塔和酸洗塔，最后经除雾器分离酸雾，得到净化氟化氢气体；
(3)氟化铝合成：将净化氟化氢气体通入流化床反应器，与氢氧化铝反应得到干法氟化铝。


2.根据权利要求1所述的利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的方法，其特征在于：步骤(1)中混合硫酸为98wt％硫酸和105wt％烟酸按质量比1.5-4.5:1混合。


3.根据权利要求1所述的利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的方法，其特征在于：步骤(1)中高硅萤石粉为SiO2含量高于1.7wt％的萤石粉。


4.根据权利要求3所述的利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的方法，其特征在于：步骤(1)中高硅萤石粉为1.7wt％＜SiO2含量＜2.5wt％的萤石粉。


5.根据权利要求1所述的利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：毕建华，刘献力，董鹏，王小强，
申请(专利权)人：山东昭和新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37