电阻法鉴别中小功率三极管质量制造技术

电阻法鉴别中小功率三极管质量的发明专利技术，用万用表检测结电阻，主要存在万用表档位，实测阻值范围和质量鉴别的技术问题。解决方案是：１．无论何种管型均用Ｒ×１０档测正向电阻，Ｒ×１０Ｋ档测反向电阻。２．对于ＰＮＰ型三极管ｂｅ、ｂｃ正向结电阻是几十欧，ｃｅ正向结电阻为几百欧至几百千欧；ｂｅ、ｂｃ反向结电阻为几百千欧至∞，ｃｅ反向结电阻为几十千欧至∞。对于ＮＰＮ型三极管ｂｅ、ｂｃ正向结电阻是几百欧，ｃｅ正向结电阻为几十千欧；ｂｅ、ｂｃ、ｃｅ反向结电阻均为几百千欧。３．在技术理论值范围内，反正向结电阻比值越大越好。通常硅管结电阻大于锗管。正反向结电阻等于技术理论值，为优质管。ＰＮ结断线，结电阻阻值不合规律。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关利用万用表检测中小功率三极管结电阻，以鉴别其质量的新型实用技术。二、与专利技术相关的现有技术现今世界各国用万用表只能检测出2个中小功率三极管结电阻阻值，还不能测量出4个结电阻阻值。一九九八年元月辽宁科技出版社出版了，由中国人民解放军某部队专业研究所所长，高级工程师杜虎林编著的权威著作一《用万用表检测电子元器件》，该书所介绍的检测技术，也只能检测出2个数据。虽说一九九四年元月人民邮电出版社出版的，由章长生编著的《用万用表检修彩色电视机(修订本)》一书中列出了六个结电阻阻值，且用R×10，R×1K欧姆档测量，但是那六个电阻值为技术理论值，除了少数几个国家可以在实验室检测出来以外，实际应用中是测量不出来的，既便是美国、日本和西欧国家在检测晶体管时，也没有利用上。指出那六个数据是技术理论值，目前在西欧、日本和美国仍处于保密状态，这是本人在台湾华龄电子(深圳)有限公司务工时获取的信息，是本人对国家作出的贡献。我八百多本电子技术书刊中，有关检测晶体管的内容，即使是2002年出版的，也反映出目前还没有能够检测出2个以上结电阻阻值的技术。事实上无论进口还是国产三极管，尽管是优质的，连六个非技术理论电阻值都体现不出来，更不用说符合六个技术理论值了。再一目前还没有晶体管实测正反向结电阻阻值范围。这些就是晶体管现有检测技术中存在的问题。这一问题，限制了“电阻法”检测技术的应用范围，也成为强电电子产品开发研究的障碍。三、专利技术的目的1、怎样选择万用表欧姆档档位实测晶体管4个结电阻阻值？2、晶体管的各结电阻实测正反向阻值范围是多少？3、系统总结鉴别晶体管质量的技术，以及故障判断技术。四、专利技术的
技术实现思路
目前绝大多数PNP型晶体管为锗材料，绝大多数NPN型三极管为硅材料。现在分别介绍这两种晶体管质量的检测技术方案。(一)PNP型三极管质量的检测1、测量正向电阻1)万用表量程拔至R×10欧姆档，be、bc正向结电阻应为几十欧姆。2)万用表量程拔至R×10欧姆档或R×10k欧姆档，ce正向电阻为几百欧至几百千欧。2、测反向电阻万用表量程拔至R×10k欧姆档。be、bc反向结电阻为几百千欧至∞，ce反向结电阻为几十千欧至∞。符合以上正反向电阻值的三极管为合格品。(二)NPN型三极管质量的检测1、测正向电阻1)万用表量程拔至R×10欧姆档，be、bc正向结电阻为几百欧。2)万用表量程拔至R×10k欧姆档，ce正向结电阻为几十千欧。2、测反向电阻1)万用表量程拔至R×10k欧姆档，be、bc、ce反向结电阻均为几百千欧。符合以上数据的NPN型三极管为合格品。小结1、在检测三极管质量好坏时，以上数据仅供参考，应灵活应用。2、实测时三极管内部在不短路、断线的情况下，反向结电阻与正向结电阻的比值越大越好。但正反向结电阻最小值不能低于技术理论值，结电阻过小，稳定性差，这样的三极管也不是合格品。3、一般锗材料管子比硅材料管子的结电阻较小。4、按以上数据测量时，万用表指针不会动的，实测时动了一点，按以上数据指针只动一点的管子，实测时动得大一些，这样的三极管就是优质的，也可以说正反向结电阻阻值接近或等于技术理论值的三极管就是优质三极管。5、三极管结电阻为∞的PN结，若为内部断线，其余各极间结电阻阻值就不会符合以上数据规律。(三)三极管的内部故障判断1、用R×10欧姆档实测三极管时，如果be、bc或ce正向结电阻为零，说明be、bc或cePN结击穿短路。2、用R×10欧姆档实测晶体管时，测得be、bc或ce正向结电阻为∞，改用R×1k或R×10k欧姆档测量仍为∞，说明be、bc或cePN结断线。3、用R×10k欧姆档实测三极管，如果测得be、bc或ce反向结电阻为0，改用R×10欧姆档测量还是零，说明PN结反向击穿短路。4、用R×10k欧姆档实测三极管，be、bc或ce反向结电阻为∞，其它反向结电阻不符合以上数据范围，说明be、bc或cePN结断线。五、专利技术的效果对三极管结电阻的检测，世界各国只能测出2个数据，我巧妙地变换测量档次，将R×1k档上提到R×10k档，增大了测量电压，测量灵敏度提高了，也就成功地测出了四个数据，使万用表检测晶体管的技术迈出了实质性的一步，是质的变化。另外根据实际检测经验系统归纳总结出了晶体管质量好坏的判断技术。通过数据分析得出了实测晶体管正反向结电阻阻值范围，并作为鉴别晶体管质量的依据。这一检测技术的改进为检测仪表的研究提供了切实可行的思路，即提高万用表工作电压，增大灵敏度，要测出六个数据是可望实现的。再有这一检测技术的改进，使“电阻法”检测技术真E达到了较完善的实用阶段，并且发展了“替代法”技术，也使强电产品的开发研究视野，更加广阔。六、附图及其说明附图说明图1左上区间为检测PNP型晶体管bc间正反向结电阻原理图。图1左下区间为测量PNP型三极管be间正反向结电阻原理图。图1右区间为测量PNP型三极管ce间正反向结电阻原理图。图2左上区间为测量NPN型三极管bc间正反向结电阻原理图。图2左下区间为检测NPN型三极管be间正反向结电阻原理图。图2右区间为检测NPN型三极管ce间正反向结电阻原理图。H-万用表测量高阻；L-万用表检测低阻；A-万用表红表笔；B-万用表黑表笔；b-三极管基极；c-三极管集电极；e-三极管发射极。七、实现专利技术的最好方式例1以3DG12晶体管为例。该晶体管为硅NPN型高频小功率管，用500型万用表检测。1)按图2检测bc间正反向结电阻，万用表用R×10档检测正向电阻，结果为120欧。用R×10k挡检测反向电阻为470千欧。2)按图2检测be间正反向结电阻。用R×10档测正向电阻为120欧。用R×10k档测反向电阻为300k。3)按图2，且用R×10k档测ce间正反向结电阻。结果正向电阻为900千欧，反向电阻为560千欧。所以这只三极管为合格品。例2，判断3DG6晶体管的故障。该三极管为硅NPN型高频小功率三极管。按图1测其bc间正反向结电阻，万用表拔至R×10欧姆档检测正反向结电阻均为零，故可判断bc间PN结短路。例3，判断3DG6A的故障。该三极管为硅NPN型高频小功率管，按图2用R×10欧姆档检测be间正向电阻为∞，用R×1k档，R×10k档复测仍为∞，说明该三极管内部断线。权利要求1.新型电阻法可以检测出中小功率三极管结电阻，其特征是万用表选用高、低档分别检测反、正向结电阻，且归纳出实测正、反向结电阻阻值范围，总结了质量鉴别和故障判断规律。2.根据权利要求1所述检测技术，其特征是(一)PNP型三极管质量的检测1)测量正向电阻①万用表量程拔至R×10欧姆档，be、bc正向结电阻应为几十欧姆。②万用表量程拔至R×10欧姆档或R×10k欧姆档，ce正向电阻为几百欧至几百千欧。2)、测反向电阻万用表量程拔至R×10k欧姆档。be、bc反向结电阻为几百千欧至∞，ce反向结电阻为几十千欧至∞。符合以上正反向电阻值的三极管为合格品。(二)NPN型三极管质量的检测1)、测正向电阻①万用表量程拔至R×10欧姆档，be、bc正向结电阻为几百欧。②万用表量程拔至R×10k欧姆档，ce正向结电阻为几十千欧。2)、测反向电阻万用表量程拔至R×10k欧姆档，be、bc、ce反向结电阻均为几百千欧。本文档来自技高网...

【技术保护点】
新型电阻法可以检测出中小功率三极管结电阻，其特征是：万用表选用高、低档分别检测反、正向结电阻，且归纳出实测正、反向结电阻阻值范围，总结了质量鉴别和故障判断规律。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡忠贞，
申请(专利权)人：蔡忠贞，
类型：发明
国别省市：36[中国|江西]