二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法技术

本发明专利技术提供一种二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法，包含以下步骤：对一无结晶相的二硅酸锂玻璃施予一热处理以形成一结晶度大于等于50％的二硅酸锂玻璃陶瓷，且定义该二硅酸锂玻璃陶瓷具有一欲加工区；及以脉冲式激光对该二硅酸锂玻璃陶瓷加工，以移除该二硅酸锂玻璃陶瓷的欲加工区的材料，且该脉冲式激光的脉冲宽度小于等于10

【技术实现步骤摘要】
二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法
本专利技术涉及一种二硅酸锂玻璃陶瓷(lithiumdisilicateglassceramics)，特别是涉及一种二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法。
技术介绍
二硅酸锂玻璃陶瓷做为牙冠重建材已是近二十多年来的趋势之一，惟今受限于二硅酸锂制成瓷块的过程因其含有较低结晶度而导致二硅酸锂玻璃陶瓷容易于外力作用下产生表面熔融、碎裂及材料移除效率不佳等问题，所以现有二硅酸锂玻璃陶瓷始终无法有所突破来因应市场主流的激光雕铣制程工法，而只适用于CNC车铣加工。参阅图1，一种现有的二硅酸锂玻璃陶瓷的成形方法，其包括下步骤：(A)一混合步骤11，是混合一含有二氧化硅(SiO2)粉末与氧化锂(Li2O)粉末的混合物以形成一批粉体；(B)一模造成形步骤12，是令该批粉体填充于一成形模具(图未示)内以初步成形出一无结晶相的坯体；(C)两阶段热处理步骤13，是对该无结晶相的坯体施予两阶段热处理以令该无结晶相的坯体晶化成一含有一结晶度介于20％至40％间的二硅酸锂主要晶相的二硅酸锂玻璃陶瓷坯体；(D)一车铣加工精密成形步骤14，是采用CNC车本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法，其特征在于：包含以下步骤：/n对无结晶相的二硅酸锂玻璃施予热处理以形成结晶度大于等于50％的二硅酸锂玻璃陶瓷，且定义该二硅酸锂玻璃陶瓷具有欲加工区；及/n以脉冲式激光对该二硅酸锂玻璃陶瓷加工，以移除该二硅酸锂玻璃陶瓷的欲加工区的材料，且该脉冲式激光的脉冲宽度小于等于10

【技术特征摘要】
1.一种二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法，其特征在于：包含以下步骤：
对无结晶相的二硅酸锂玻璃施予热处理以形成结晶度大于等于50％的二硅酸锂玻璃陶瓷，且定义该二硅酸锂玻璃陶瓷具有欲加工区；及
以脉冲式激光对该二硅酸锂玻璃陶瓷加工，以移除该二硅酸锂玻璃陶瓷的欲加工区的材料，且该脉冲式激光的脉冲宽度小于等于10-9秒。


2.根据权利要求1所述的二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法，其特征在于：该热处理是实施至少两阶段热处理，该至少两阶段热处理是依序成核与结晶化该二硅酸锂玻璃，且该至少两阶段热处理所形成的二硅酸锂玻璃陶瓷的结晶度是介于50％至95％间。


3.根据权利要求2所述的二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法，其特征在于：该脉冲式激光是选自奈秒激光、皮秒激光，或飞秒激光。


4.根据权利要求3所述的二硅酸锂玻璃陶瓷的加工方法，其特征在于：该脉冲式激光的扫描速度介...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄建元，方冠荣，黄冠玮，胡博期，陈泰辰，蔡淑仪，
申请(专利权)人：财团法人金属工业研究发展中心，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71