显示装置制造方法及图纸

与阳极(22)同层的第一导电层(22M)经由形成在非显示区域(DA)的平坦化膜(21)的第一狭缝(H1)及第二狭缝(H2)和与源极(SE)同层的第三导电层(SM)和阴极(25)连接，与第一狭缝(H1)和第二狭缝(H2)重叠的电容电极(CE)设置有同层的第二导电层CM1/CM2。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置
本专利技术关于一种显示装置。
技术介绍
专利文献1公开了如下构成，在OLED(有机发光二极管)的阳极(像素电极)的下侧设置有平坦化膜，该漏极和TFT的阳极经由形成在平坦化膜上的接触孔连接。现有技术文献专利文献专利文献1：日本国公开特许公报“2010-161058号公报(2010年7月22日公开)”
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在专利文献1的构成中，由于向OLED(有机发光二极管)的阴极供给恒定电压，因此，需要在平坦化膜上设置狭缝，并且将平坦化膜下层的导电层经由狭缝连接至阴极。但是，在设置在平坦化膜的狭缝部分中，阴极或导电层与设置在该导电层更下层的引绕布线之间的距离变得更近。由于与供给到阴极的恒定电压不同的电压被供给至该引绕布线，因此，存在以下问题：当引绕布线彼此重叠时，由于电压不同而相互影响电容负载。用于解决技术问题的技术方案为了解决上述问题，根据本专利技术的一个实施方式的显示装置，其包括显示区域及非显示区域，所述显示区域包括多个形成有子像素，所述子像素形成有包含晶体管的子像素电路，所述非显示区域是在所述显示区域的周围的区域并且是所述子像素的非形成区域，在所述显示区域形成有：第一金属层，其包括所述子像素电路所包含的下层的电极；第一无机绝缘膜，其形成在所述第一金属层的上层；第二金属层，其形成在所述第一无机绝缘膜的上层，且包括所述子像素电路所包含的电极中比所述第一金属层更上层的电极；第二无机绝缘膜，其形成在所述第二金属层的上层；第三金属层，其形成在所述第二无机绝缘膜的上层，且包括所述子像素电路所包含的电极中比所述第二金属层更上层的电极；平坦化膜，其形成在所述第三金属层的上层；发光元件，其形成在所述平坦化膜的上层，且包括第一电极和第二电极，发光层介于所述第一电极及所述第二电极之间，所述第一电极针对每个所述子像素呈岛状地形成，所述第二电极横跨多个所述子像素形成，在所述非显示区域中，所述平坦化膜上形成有包围所述显示区域的外周的至少一部分的狭缝，在所述狭缝中，与所述第一电极同层并且与所述第一电极分离的第一导电层的下表面和由所述第三金属层形成的所述第三导电层或所述第二无机绝缘膜接触，在所述狭缝中，所述第一导电层和由所述第二金属层形成的第二导电层隔着所述第二无机绝缘膜重叠，进一步地，设置有多条引绕布线，所述引绕布线包括由所述第一金属层形成的布线，并与所述显示区域的布线电连接，所述引绕布线在所述狭缝中隔着所述第一无机绝缘膜与所述第二导电层重叠。有益效果根据本专利技术的一形态，设置在所述狭缝内的第一导电层的电压和所述引绕布线的电压不同导致的、对彼此的电容负载的影响可以通过所述第二导电层遮蔽。由此，在上述显示装置中，引绕布线的设计的自由度增大，不受噪声的影响而显示高品质的图像。附图说明图1是表示第一实施方式的显示装置的制造方法的流程图。图2是第一实施方式的显示装置的俯视图。图3是沿图2所示的A-A'线截取的剖面图。图4是沿图2所示的B-B'线截取的剖面图。图5是沿图2所示的C-C'线截取的剖面图。图6是沿图2所示的D-D'线截取的剖面图。图7是表示在第一实施方式的显示装置的显示区域所配置的子像素电路的构成的图。图8是第二实施方式的显示装置的俯视图。图9是表示第三实施方式的显示装置的构成的俯视图。图10是表示第三实施方式的显示装置中的选择输出电路的构成的示例的图。图11是表示第三实施方式的显示装置中的选择输出电路的构成的另一示例的图。图12是第四实施方式的显示装置的剖面图。具体实施方式[第一实施方式](显示装置的概略)以下，“同层”是指在同一工序(成膜工序)中形成的，“下层”是指在比比较对象的层在更前的工序中形成的，“上层”是指在比比较对象的层在更晚的工序中形成的。图1是表示第一实施方式的显示装置的制造方法的流程图。图2是第一实施方式的显示装置的俯视图。图3是沿图1所示的A-A'线截取的剖面图。图4是沿图2所示的B-B'线截取的剖面图。图5是沿图2所示的C-C'线截取的剖面图。图6是沿图2所示的D-D'线截取的剖面图。在制造柔性显示装置的情况下，如图1～图6所示，首先在具有透光性的支承基板(例如，母玻璃基板)上形成树脂层12(步骤S1)。接着，形成阻挡层3(步骤S2)。接着，形成TFT层4(步骤S3)。接着，形成顶部发射型的发光元件层5(步骤S4)。接着，形成密封层6(步骤S5)。接着，将上面薄膜贴附到密封层6上(步骤S6)。接着，通过激光的照射等从树脂层12剥离支承基板(步骤S7)。接着，将下面薄膜10贴附到树脂层12的下表面(步骤S8)。接着，将包括下面薄膜10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4、发光元件层5以及密封层6的层叠体分割，得到多个单片(步骤S9)。接着，将功能薄膜贴附到所得到的单片上(步骤S10)。接着，将电子电路基板(例如IC芯片和FPC)安装到在比形成有多个子像素的显示区域DA靠外侧的非显示区域NA(边框区域)的一部分即端部形成的端子部TS(步骤S11)。接着，实施边缘弯折加工(将图1的弯折部CL弯折180度的加工)，且作为显示装置2(步骤S12)。接着，进行断线检查，如果存在断线则进行校正(步骤S13)。此外，步骤S1～S13由显示装置制造装置(包括进行步骤S1～S5的各工序的成膜装置)进行。作为树脂层12的材料，例如例举出聚酰亚胺等。树脂层12的部分也可以用两层树脂膜(例如，聚酰亚胺膜)以及夹在它们之间的无机绝缘膜来替换。阻挡层3是防止水、氧等异物侵入TFT层4和发光元件层5的层，例如，可以由CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜，或它们的层叠膜构成。TFT层4包括：半导体膜15；比半导体膜15更上层的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)；比无机绝缘膜16更上层的栅极GE；扫描信号线GL和发光控制线EM；比栅极GE和扫描信号线GL更上层的无机绝缘膜(第一无机绝缘膜)18；比无机绝缘膜18更上层的电容电极CE；比电容电极CE更上层的无机绝缘膜(第二无机绝缘膜)20；比无机绝缘膜20更上层的、源极SE、漏极DE、数据线DL及比高电平电源线HL更上层的平坦化膜21。半导体膜15例如由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体(例如In-Ga-Zn-O类的半导体)构成。薄膜晶体管(TFT)Tr被构成为包括半导体膜15、栅极GE、源极SE和漏极DE。在图2中，晶体管以顶栅结构示出，但也可以是底栅结构。栅极(第一金属层)GE、扫描信号线GL、发光控制线EM、电容电极(第二金属层)CE、源极(第三金属层)SE、漏极(第三金属层)DE、数据线DL和高电平电源布线HL例如由包含铝、钨、钼、钽、铬、钛和铜中的至少一种的金属的单层膜或层叠膜构成。图2的TFT层4包括一层半导体层和三层金属层(第一电极层、第二电极层和第三电极层)。栅极(第一金属层)GE是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其包括显示区域及非显示区域，所述显示区域包括多个子像素，所述子像素形成有包含晶体管的子像素电路，所述非显示区域是在所述显示区域的周围的区域并且是所述子像素的非形成区域，所述显示装置的特征在于，/n在所述显示区域形成有：/n第一金属层，其包括所述子像素电路所包含的下层的电极；/n第一无机绝缘膜，其形成在所述第一金属层的上层；/n第二金属层，其形成在所述第一无机绝缘膜的上层，且包括所述子像素电路所包含的电极中比所述第一金属层更上层的电极；/n第二无机绝缘膜，其形成在所述第二金属层的上层；/n第三金属层，其形成在所述第二无机绝缘膜的上层，且包括所述子像素电路所包含的电极中比所述第二金属层更上层的电极；/n平坦化膜，其形成在所述第三金属层的上层；/n发光元件，其形成在所述平坦化膜的上层，并包括第一电极和第二电极，且发光层介于所述第一电极及所述第二电极之间，/n所述第一电极针对每个所述子像素呈岛状地形成，/n所述第二电极横跨多个所述子像素形成，/n在所述非显示区域中，所述平坦化膜上形成有包围所述显示区域的外周的至少一部分的狭缝，/n在所述狭缝中，与所述第一电极同层并且与所述第一电极分离的第一导电层的下表面和由所述第三金属层形成的所述第三导电层或所述第二无机绝缘膜接触，/n在所述狭缝中，所述第一导电层和由所述第二金属层形成的第二导电层隔着所述第二无机绝缘膜重叠，/n进一步地，设置有多条引绕布线，所述引绕布线包括由所述第一金属层形成的布线，并与所述显示区域的布线电连接，/n所述引绕布线在所述狭缝中隔着所述第一无机绝缘膜与所述第二导电层重叠。/n...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，其包括显示区域及非显示区域，所述显示区域包括多个子像素，所述子像素形成有包含晶体管的子像素电路，所述非显示区域是在所述显示区域的周围的区域并且是所述子像素的非形成区域，所述显示装置的特征在于，
在所述显示区域形成有：
第一金属层，其包括所述子像素电路所包含的下层的电极；
第一无机绝缘膜，其形成在所述第一金属层的上层；
第二金属层，其形成在所述第一无机绝缘膜的上层，且包括所述子像素电路所包含的电极中比所述第一金属层更上层的电极；
第二无机绝缘膜，其形成在所述第二金属层的上层；
第三金属层，其形成在所述第二无机绝缘膜的上层，且包括所述子像素电路所包含的电极中比所述第二金属层更上层的电极；
平坦化膜，其形成在所述第三金属层的上层；
发光元件，其形成在所述平坦化膜的上层，并包括第一电极和第二电极，且发光层介于所述第一电极及所述第二电极之间，
所述第一电极针对每个所述子像素呈岛状地形成，
所述第二电极横跨多个所述子像素形成，
在所述非显示区域中，所述平坦化膜上形成有包围所述显示区域的外周的至少一部分的狭缝，
在所述狭缝中，与所述第一电极同层并且与所述第一电极分离的第一导电层的下表面和由所述第三金属层形成的所述第三导电层或所述第二无机绝缘膜接触，
在所述狭缝中，所述第一导电层和由所述第二金属层形成的第二导电层隔着所述第二无机绝缘膜重叠，
进一步地，设置有多条引绕布线，所述引绕布线包括由所述第一金属层形成的布线，并与所述显示区域的布线电连接，
所述引绕布线在所述狭缝中隔着所述第一无机绝缘膜与所述第二导电层重叠。


2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述非显示区域设置有包围所述显示区域的外周的第一框状堤栏和包围所述第一框状堤栏的外侧的第二框状堤栏，
所述狭缝包括第一狭缝，
所述第一狭缝设置在所述平坦化膜与所述第二框状堤栏之间。


3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
在所述第一狭缝内，所述第一导电层和所述第三导电层接触。


4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
进一步地，具有密封层，所述密封层覆盖所述显示区域整体，
所述密封层包括第一无机层、形成在所述第一无机层的上层的有机层以及形成在所述有机层的上层的第二无机层，
所述有机层的边缘与所述第一框状堤栏或所述第二框状堤栏重叠。


5.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述狭缝包括第二狭缝，
所述第二狭缝设置在所述第一狭缝的内周侧，并包围所述显示区域的外周的一部分且两端部间隔开。


6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述第一导电层横跨所述第一狭缝和所述第二狭缝，并沿着所述显示区域的外周中的三边延伸。


7.根据权利要求5或6所述的显示装置，其特征在于，
在所述第一狭缝和所述第二狭缝的下层以彼此重叠的方式形成有多个所述第二导电层。


8.根据权利要求5～7中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述第二狭缝中，所述第一导电层与所述第二电极接触，并且所述第二电极和所述第二导电层经由所述第一导电层电连接。


9.根据权利要求5～8中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述显示区域设置有将数据信号供给至所述子像素的多条数据信号线和与所述数据信号线交叉并扫描所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈部达，斋田信介，市川伸治，谷山博己，郡司辽佑，有贺广司，仲田芳浩，谷村康治，小原义博，井上彬，神村浩治，家根田刚士，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP