显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种即使应用于高温环境时也能够推迟发光元件的劣化的显示装置。显示装置(2)包括:TFT层、具有多个发光元件的发光元件层(5)、其将从外部到发光元件的热量隔热的隔热层(50)，隔热层(50)由包含第一树脂的材料制成，在所述第一树脂中分散有铵盐作为配体的金属络合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置
本专利技术涉及包括隔热层的显示装置。
技术介绍
各种显示装置中使用的发光元件的耐热性低，并且在高温环境下发光亮度容易降低。因此，在现有的显示装置中，例如如以下专利文献1所记载，提出了在显示装置的支撑基板的表面设置散热层的方案。现有技术文献专利文献专利文献1:日本国公开专利公报“特开2010-147179号公报(2010年7月1日公开)”。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题然而，在如上所述的现有显示装置中，例如，当将其应用于车载用途等的高温环境下，存在散热层不能适当地起作用，导致难以防止发光元件本身会发热等引起发光元件劣化的问题。鉴于上述问题而做出本专利技术，其目的是提供一种即使应用于高温环境时也能够推迟发光元件的劣化的显示装置。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一方面涉及的显示装置包括:发光元件层，其具有多个发光元件；以及TFT层，其设置在所述发光元件层的下层并具备驱动所述发光元件的TFT，还包括至少一层隔热层，其对从外部到所述发光元件的热量进行隔热，所述隔热层由包含第一树脂的材料制成，在所述第一树脂中分散有铵盐作为配体的金属络合物。有益效果根据本专利技术的一方面，能够提供一种即使应用于高温环境时也能够推迟发光元件的劣化的显示装置。附图说明图1是示出显示装置的制造方法的一个例子的流程图。图2是示出显示装置的显示区域的构成的截面图。图3是示出第一实施方式涉及的显示装置的构成的截面图。图4是示出第一实施方式涉及的其他显示装置的概略构成的截面图。图5是示出第二实施方式涉及的显示装置的概略构成的截面图。图6是示出第三实施方式涉及的显示装置的概略构成的截面图。图7是示出第四实施方式涉及的显示装置的概略构成的截面图。图8是示出第五实施方式涉及的显示装置的概略构成的截面图。图9的(a)示出第六实施方式涉及的显示装置的显示区域的构成例的截面图，(b)是(a)示出的显示装置的的构成的平面图。图10(a)～(d)是按照工序顺序说明散热层的的制造工序的截面图。具体实施方式[显示装置的制造方法和构成的概要说明]以下，将参照图1～图2详细说明本专利技术一实施方式涉及的显示装置的制造方法。另外，在下文中，“同层”指的是在同一工序(成膜工序)中由同一材料形成的，“下层”指的是在比比较对象层更前面的工序中形成的层，“上层”指的是在比比较对象层更后面的工序中形成的。图1是示出显示装置的制造方法的一个例子的流程图。图2是示出显示装置的显示区域的构成的截面图。当制造柔性的显示装置时，如图1和图2所示，首先，在透光性的支承基板(例如，母玻璃)上形成树脂层12(步骤S1)。接着，形成屏障层3(步骤S2)。接着，形成TFT层4(步骤S3)。接着，形成顶发射型的发光元件层5(步骤S4)。接着，形成密封层6(步骤S5)。接着，在密封层6粘贴上表面膜39(步骤S6)。接着，通过激光的照射等将支承基板从树脂层12剥离(步骤S7)。接着，在密封层12的下表面粘贴下表面膜10(步骤S8)。接下来，将包括下表面膜10、树脂层12、屏障层3、TFT层4、发光元件层5、密封膜6的层叠体切割以获得多个单片(步骤S9)。接着，在获得的单片上粘贴功能膜(步骤S10)。接下来，将电子电路板(例如，IC芯片和FPC)安装在比形成有多个子像素的显示区域更靠外侧(非显示区域，边框)的一部分(端子部)上(步骤S11)。另外，步骤S1～S11由显示装置制造装置(包括执行步骤S1～S5的各工序的成膜装置)执行。作为树脂层12的材料可以例举，例如PI(聚酰亚胺)等。可以用两层树脂膜(例如，聚酰亚胺膜)和夹在其间的无机绝缘膜来代替树脂层12的部分。屏障层3是防止水、氧气等异物侵入TFT层4和发光元件层5的层，例如可以由通过CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积)法形成的氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、或这些层的层叠膜构成。TFT层4包括半导体膜15、与半导体膜15相比更上层的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、与无机绝缘膜16相比更上层的栅极GE和栅极配线GH、与栅极GE和栅极配线GH相比更上层的无机绝缘膜18、与无机绝缘膜18相比更上层的电容电极CE、与电容电极CE相比更上层的无机绝缘膜20、与无机绝缘膜20相比更上层的源极配线SH、以及与源极配线SH相比更上层的平坦化膜21(层间绝缘膜)。半导体膜15由例如低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体(例如In-Ga-Zn-O系半导体)构成，晶体管(TFT)构成为包括半导体膜15和栅电极GE。在图2中，晶体管被表示为顶栅结构，但也可以是底栅结构。栅极GE、栅极配线GH、电容电极CE和源极配线SH由例如包含铝、钨、钼、钽、铬、钛和铜中的至少一种的金属的单层膜或层叠膜构成。图2的TFT层4上包括一层半导体层和三层金属层。栅极绝缘膜16、18、20可以由例如通过CVD法形成的，氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或它们的层叠膜构成。平坦化膜21可以由例如聚酰亚胺、丙烯酸等可涂布的有机材料构成。发光元件层5包括与平坦化膜21相比更上层的阳极22、覆盖阳极22的边缘的绝缘性的阳极覆盖膜23、与阳极覆盖膜23相比更上层的EL(电致发光)层24、以及与EL层24相比更上层的阴极25。阳极覆盖膜23是例如通过涂布聚酰亚胺、丙烯酸等有机材料后通过光刻进行图案化来形成。在每个子像素上，在发光元件层5上形成包括岛状的阳极22、EL层24以及阴极25的发光元件ES(例如，OLED:有机发光二极管，QLED:量子点二极管)，并在TFT层4上形成用于控制TFT的子像素电路。EL层24构成为例如从下层侧依次层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。通过蒸镀法或喷墨法在阳极覆盖膜23的开口(对每个子像素)中以岛状形成发光层。其他层为岛状或整体(共用层)地形成。此外，也构成为不形成空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一层以上。当通过蒸镀形成OLED的发光层时，使用FMM(精细金属掩模)。FMM是具有大量开口的片材(例如，由殷瓦钢材料制成)，由穿过一个开口的有机物质形成岛状发光层(对应一个子像素)。例如使量子点扩散的溶剂通过喷墨涂布，可以使QLED的发光层形成为岛状的发光层(对应一个子像素)。阳极22由例如ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)、Ag(银)或含Ag的合金通过层叠构成，具有光反射性。阴极25可以由MgAg合金(极薄膜)、ITO、IZO(IndiumzincOxide，铟锌氧化物)等透光性的导电材料构成。当发光元件ES是OLED时，空穴和电子通过阳极22和阴极25之间的驱动电流在发光层内重组，由此产生的激子跌落到基态，从而发出光。由于阴极25具有透光性，阳极22具有光反射性，因此从E本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其特征在于，包括:/n发光元件层，其具有多个发光元件；以及/nTFT层，其设置在所述发光元件层的下层，并具备驱动所述发光元件的TFT，/n还包括至少一层隔热层，其对从外部到所述发光元件的热量进行隔热，/n所述隔热层由包含第一树脂的材料制成，在所述第一树脂中分散有铵盐作为配体的金属络合物。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，其特征在于，包括:
发光元件层，其具有多个发光元件；以及
TFT层，其设置在所述发光元件层的下层，并具备驱动所述发光元件的TFT，
还包括至少一层隔热层，其对从外部到所述发光元件的热量进行隔热，
所述隔热层由包含第一树脂的材料制成，在所述第一树脂中分散有铵盐作为配体的金属络合物。


2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述金属络合物中所包含的金属原子为难熔金属原子。


3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
所述金属配位化合物所包含的金属原子是选自由钼、钨、钽、铬、铌和钒构成的组中的至少一种金属原子。


4.根据权利要求2或3所述的显示装置，其特征在于，
所述金属络合物是由以下通式(1)代表的金属络合物，
(NH4)m[XSn]...(1)
所述通式(1)中，m表示1～3的整数，n表示1～4的整数，X表示所述金属原子。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述金属络合物相对于所述第一树脂的混合比例为1mol％以上且30mol％以下。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一树脂包含选自由例如聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯和丙烯酸树脂构成的组中的至少一种树脂。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置包括基板，
所述隔热层形成在所述基板与所述TFT层之间。


8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述基板是柔性基板，所述柔性基板包括由第二树脂构成的树脂层，所述第一树脂和所述第二树脂为相同的树脂。


9.根据权利要求1至6中任一项所述的显示装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：水崎真伸，柴崎正和，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP