显示设备制造技术

在显示设备中，第二配线(SH)延伸显示区域，向第二配线(SH)的延伸方向，从第二配线(SH)延伸的虚拟直线与边缘罩(23)的开口(23A)正交，第二配线(SH)以避开与边缘罩(23)的开口(23A)的正交的方式沿着开口(23A)的周缘延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示设备技术区域本专利技术是关于显示设备。
技术介绍
专利文献1公开，通过在栅极配线以及源极配线的上层设置平坦化膜，尽量使形成于平坦化膜的上层的反射电极(阳极)不产生凹凸的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本公开专利公报“特开2009-055065号公报(2009年3月12日公开)”
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在现有的方法中，存在与覆盖发光元件层的反射电极(阳极)的周缘的边缘罩的开口正交，并且台阶较大的源极配线延伸，则在反射电极产生凹凸而降低从EL层发光的光的反射率的问题。解决问题的手段本专利技术的一方式所涉及的显示设备，其包括：形成于基板的TFT层、形成于比所述TFT层更上层的发光元件层，所述显示设备特征在于：所述TFT层依次包括第一金属层、第一无机绝缘膜、第二金属层、第二无机绝缘膜、第三金属层、平坦化膜，所述发光元件层包括：多个第一电极；边缘罩，形成为所述第一电极的周缘，并且具有开口；功能层，形成于所述边缘罩的开口；第二电极，形成于比所述功能层更上层，并且与所述多个第一电极共用；由所述第一金属层形成的多个第一配线形成为与由所述第三金属层形成的多个第二配线正交，向所述第二配线的延伸方向，从所述第二配线延伸的虚拟直线与所述边缘罩的开口正交，所述第二配线以避开与所述边缘罩的开口的正交的方式沿着所述开口的周缘延伸。专利技术效果根据本专利技术的一方式，能够抑制EL层的发光效率的降低。附图说明图1是表示显示设备的制造方法的一例的流程图。图2是表示显示设备的显示区域的构成例的剖视图。图3的(a)是表示比较例所涉及的显示设备的主要部分剖面的图，(b)是其上面图。图4的(a)是实施方式所涉及的显示设备的主要部分剖面的图，(b)是其上面图。图5的(a)是表示比较例所涉及的显示设备的第二配线与边缘罩的开口的关系的示意性俯视图,(b)是表示实施方式所涉及的显示设备的第二配线与边缘罩的开口的关系的示意性俯视图。图6的(a)是实施方式所涉及的形成于显示设备的子像素电路的电路图,(b)是表示形成于上述子像素电路的晶体管与边缘罩的开口之间的关系的示意图。图7是表示变形例所涉及的形成于子像素电路的晶体管与边缘罩的开口之间的关系的示意图。具体实施方式以下，“下层”是指在比比较对象的层更早的工序中形成，“上层”指在比比较对象的层更晚的工序中形成。(实施方式一)图1是表示显示设备2的制造方法的一例的流程图。图2是表示显示设备2的显示区域的构成的剖视图。在制造柔性显示设备2的情况下，如图1以及图2所示，首先在透光性的支撑基板(例如母玻璃基板)上形成树脂层12(步骤S1)。然后，形成势垒层3(步骤S2)。然后，形成TFT层4(步骤S3)。然后，形成顶部发射型的发光元件层5(步骤S4)。然后，形成密封层6(步骤S5)。然后，在密封层6上贴附上表面膜(步骤S6)。然后，通过激光的照射等使支撑基板从树脂层12剥离(步骤S7)。然后，在树脂层12的下表面贴附下表面膜10(步骤S8)。然后，分割包括下表面膜10、树脂层12、势垒层3、TFT层4、发光元件层5、密封层6的层叠体而获得多个单片(步骤S9)。然后，在获得的单片上贴附功能膜39(步骤S10)。然后，在比形成有多个子像素的显示区域更靠外侧(非显示区域，边框)的一部分(端子部)上安装电子电路基板(例如，IC芯片以及FPC)(步骤S11)。此外，步骤S1至S11是由显示设备制造装置(包括进行步骤S1至S5的各工序的成膜装置)进行。作为树脂层12的材料，例如列举聚酰亚胺等。也能够将树脂层12的部分置换成两层的树脂膜(例如，聚酰亚胺膜)以及被这些夹的无机绝缘膜。势垒层3是防止水、氧等的异物侵入于TFT层4与发光元件层5的层，能够由例如通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜、或这些的层叠膜构成。TFT层4包含：半导体层、比半导体层更上层的第三无机绝缘膜16、比第三无机绝缘膜16更上层且由第一金属层形成的栅极电极GE以及第一配线GH、比第一金属层更上层的第一无机绝缘膜18、比第一无机绝缘膜18更上层且由第二金属层形成的电容电极CE、比第二金属层更上层的第二无机绝缘膜20、比第二无机绝缘膜20更上层且由第三金属层形成的第二配线SH、比第三金属层更上层的平坦化膜21(层间绝缘膜)。半导体层例如由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体(例如In-Ga-Zn-O系列的半导体)构成。例如由半导体层形成有第一半导体膜15且构成第一晶体管(TFT)T1。在图2中，第一晶体管T1以顶栅结构示出，但也可以是底栅结构。第一金属层、第二金属层、以及第三金属层例如由包含铝、钨、钼、钽、铬、钛以及铜中的至少一个的金属的单层膜或层叠膜构成。如后所述，尤其用第三金属层形成的第二配线SH包括数据信号线或高电源电压线，优选为低电阻的配线，并且优选为由多个金属材料构成的层叠配线。例如，优选由从下层起钛、铝、钛的三层的层叠配线来形成，或优选由从下层起钛、铜的两层的层叠配线来形成。第三金属层优选为低电阻，因此例如与由钼或钛的单层形成的第一金属层、第二金属层相比，第三金属层的膜厚度厚。如上所述，图2的TFT层4中包含一层的半导体膜以及三层的金属层(第一金属层、第二金属层以及第三金属层)。但，也可以进一步形成其他半导体膜、金属层。第三无机绝缘膜16、第一无机绝缘膜18、第二无机绝缘膜20例如可以由通过CVD法形成的、氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或这些的层叠膜构成。平坦化膜21例如由聚酰亚胺、丙烯酸等的可涂布的有机材料构成。发光元件层5包括：比平坦化膜21更上层的阳极22(第一电极)、比阳极22的更上层的绝缘性的边缘罩23、比边缘罩23更上层的EL(电致发光)层24(功能层、发光元件层)、比EL层24更上层的阴极25(第二电极)。阴极25与多个阳极22共通，并且覆盖显示区域设置。边缘罩23在涂布聚酰亚胺、丙烯酸等的有机材料之后，通过光刻法进行图案化而形成。在每个子像素中，包含岛状的阳极22、EL层24以及阴极25的发光元件ES(例如，OLED：有机发光二极管，QLED：量子点发光二极管)形成于发光元件层5，且控制发光元件ES的子像素电路形成于TFT层4。EL层24例如由从下层侧起依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层以及电子注入层构成。发光层通过蒸镀法或喷墨法在边缘罩23的开口23A(每个子像素)形成为岛状。边缘罩23形成为覆盖阳极22的周缘，具有露出阳极22的开口23A。该开口23A成为副像素的发光区域。其他层形成为岛状或整面状(共用层)。另外，也可以是不形成空穴注入层、空穴输送层、电子输送层以及电子注入层中一个或多个层的构成。在蒸镀形成OLED的发光层的情况下，使用FMM(高精度金属)。FMM是包括多个开口的薄片(例如，殷钢材制)，通过一个开口的有机物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示设备，其包括：/n形成于基板的TFT层、形成于比所述TFT层更上层的发光元件层，所述显示设备特征在于：/n所述TFT层依次包括第一金属层、第一无机绝缘膜、第二金属层、第二无机绝缘膜、第三金属层、平坦化膜，/n所述发光元件层包括：/n多个第一电极；/n边缘罩，形成为覆盖所述第一电极的周缘，并且具有开口；/n功能层，形成于所述边缘罩的开口；/n第二电极，形成于比所述功能层更上层，并且与所述多个第一电极共用；/n由所述第一金属层形成的多个第一配线形成为与由所述第三金属层形成的多个第二配线正交，/n向所述第二配线的延伸方向，从所述第二配线延伸的虚拟直线与所述边缘罩的开口正交，/n所述第二配线以避开与所述边缘罩的开口的正交的方式沿着所述开口的周缘延伸。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示设备，其包括：
形成于基板的TFT层、形成于比所述TFT层更上层的发光元件层，所述显示设备特征在于：
所述TFT层依次包括第一金属层、第一无机绝缘膜、第二金属层、第二无机绝缘膜、第三金属层、平坦化膜，
所述发光元件层包括：
多个第一电极；
边缘罩，形成为覆盖所述第一电极的周缘，并且具有开口；
功能层，形成于所述边缘罩的开口；
第二电极，形成于比所述功能层更上层，并且与所述多个第一电极共用；
由所述第一金属层形成的多个第一配线形成为与由所述第三金属层形成的多个第二配线正交，
向所述第二配线的延伸方向，从所述第二配线延伸的虚拟直线与所述边缘罩的开口正交，
所述第二配线以避开与所述边缘罩的开口的正交的方式沿着所述开口的周缘延伸。


2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，
所述第二配线包括数据信号线以及高电源电压线的至少一方。


3.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，
所述第二配线以避开与所述边缘罩的开口的正交的方式沿着所述开口的周缘延伸之后，在与所述虚拟直线正交的位置向所述虚拟直线的方向延伸。


4.根据权利要求1或2所述的显示设备，其特征在于，
所述显示区域包括对应于副像素的多个子像素电路，
所述子像素电路包括多个晶体管，
在与所述边缘罩的开口重叠的位置，形成第一晶体管，以使第一半导体膜与由所述第一金属层形成的栅极电极重叠，
由所述第三金属层形成的连接配线经由形成于所述第一无机绝缘膜与所述第二无机绝缘膜的第一接触孔，与所述栅极电极电连接，
从与所述基板垂直的方向来看，所述第一接触孔形成在与所述边缘罩的开口不重叠的位置。


5.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，
所述子像素电路包括电容，该电容形成为与所述边缘罩的开口重叠，
所述电容通过由所述第二金属层形成的电容电极与所述栅极电极，经由所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：郡司辽佑，冈部达，斋田信介，市川伸治，有贺广司，谷山博己，仲田芳浩，谷村康治，小原义博，神村浩治，井上彬，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP