半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具有：器件基板(1)，其形成有包含对高频进行放大的晶体管的半导体电路；盖基板(2)；以及导电体的封装框(30)，其在器件基板(1)与盖基板(2)之间，形成将形成有半导体电路的区域包围的空间而进行气密封装，该半导体装置构成为，封装框(30)作为高频电路的部件而进行动作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本申请涉及进行高频动作的中空构造的半导体装置。
技术介绍
通常，半导体芯片有时由于大气中的水分而产生电极的腐蚀等导致动作不良，因此有时以具有中空气密构造的方式而进行封装件化。另外，就进行高频动作的半导体芯片而言，为了防止由外部电磁波的影响导致的动作的不稳定化以及来自半导体自身的不必要辐射的问题，要求封装件具有电磁屏蔽功能。就这样的芯片的封装件材料而言，通常在CuW等基材形成金属盖，但价格高，成为成本上升的要因。与此相对，近年来，盛行进行以下方法的开发，即，将半导体芯片以芯片尺度进行封装件化(CSP(ChipScalePackage)构造化)而削减封装件化的成本。就以往的具有中空构造(空腔)的半导体装置而言，通过由导电性材料形成的封装框而将器件基板与盖基板接合(参照专利文献1)，或者将第1封装件的壁部与第2封装件接合(参照专利文献2、3)，由此实现空腔。封装框或者壁部仅是为了实现空腔而安装的，在安装匹配电路的情况下，设为在封装框或者壁部的内侧、即空腔内，与封装框或者壁部分隔开地配置的结构。专利文献1：国际公开WO2017/029822号专利文献2：日本特开2003－234452号公报专利文献3：日本特开2003－197863号公报
技术实现思路
就以往的具有中空构造的半导体装置而言，为了装置的小型化，以及将装置向系统安装时的安装面积的缩小化，在为了实现空腔而安装的盖基板或者封装件之上配置有匹配电路。但是，在例如多尔蒂结构的放大器那样，将大于或等于2个放大器并排合成而构成的半导体装置的情况下，除了各个放大器的输入侧以及输出侧的匹配电路以外，还需要在输入侧配置电力分配电路，在输出侧配置电力合成电路，在盖基板之上没有能够安装全部电路这种程度的空间。因此，电力分配电路、电力合成电路等需要与具有中空构造的半导体装置分开而例如在树脂基板之上构成，存在安装面积与之相应地扩大的问题。本申请公开了用于解决上述这样的课题的技术，其目的在于，以简单的结构，将装置整体的安装面积进一步缩小。本申请所公开的半导体装置具有：器件基板，其形成有包含对高频进行放大的晶体管的半导体电路；盖基板；以及导电体的封装框，其在器件基板与盖基板之间，形成将形成有半导体电路的区域包围的空间而进行气密封装，该半导体装置构成为，封装框作为高频电路的部件而进行动作。专利技术的效果根据本申请所公开的半导体装置，将用于进行气密封装的封装框还用作高频电路的部件，因此能够减少半导体装置的部件数，能够以简单的结构，与以往相比，进一步缩小装置整体的安装面积。附图说明图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的器件基板的基本结构的俯视图。图2是以将器件基板与盖基板分离的状态示出实施方式1涉及的半导体装置的基本结构的斜视图。图3是表示实施方式1涉及的半导体装置的器件基板的实际结构的一个例子的俯视图。图4是以将器件基板与盖基板分离的状态示出实施方式1涉及的半导体装置的实际结构的一个例子的斜视图。图5是表示实施方式2涉及的半导体装置的器件基板的基本结构的俯视图。图6是以将器件基板与盖基板分离的状态示出实施方式2涉及的半导体装置的基本结构的斜视图。图7是表示实施方式2涉及的半导体装置的器件基板的实际结构的一个例子的俯视图。图8是以将器件基板与盖基板分离的状态示出实施方式涉及的半导体装置的实际结构的一个例子的斜视图。具体实施方式实施方式1.图1是从正上方观察实施方式1涉及的半导体装置的器件基板1的俯视图，示出了半导体装置的内部结构。图2是将图1的器件基板1与盖基板2分离地示出的斜视图，该盖基板2用于对器件基板1加盖而实现气密。在器件基板1安装有将晶体管50、晶体管51等元件作为主体的半导体电路，在安装有半导体电路的面的周边部形成有导电体的器件基板侧封装框301。在半导体电路之上，在需要与器件基板1之上的电路以外的部分进行连接的部位形成有凸块。在图1、图2的例子中，在晶体管50的栅极电极形成有凸块110，在漏极电极形成有凸块140，在晶体管51的栅极电极形成有凸块120，在漏极电极形成有凸块130。各晶体管的源极电极经由将器件基板1的表面与背面之间贯通的通路部而与在背面形成的接地电极连接。晶体管50以及晶体管51各自构成高频放大器。即，图1的结构的半导体装置具有2个高频放大器。另一方面，在盖基板2形成有端口7、端口8、端口9以及端口10，这些端口由电极焊盘和导电体的通路部构成，其中，该电极焊盘配置于盖基板2之上，该导电体的通路部将盖基板2的表面与背面之间贯通。另外，在与器件基板1的器件基板侧封装框301接合的盖基板2的部分，即，器件基板1侧的面即背面的周边部形成有导电体的盖基板侧封装框302。还形成有端口11、端口12、端口13以及端口14。此外，在周边部形成的端口7、端口8、端口9以及端口10与盖基板侧封装框302电连接，不贯通盖基板侧封装框302。器件基板侧封装框301与盖基板侧封装框302通过例如焊料这样的导电性接合材料而气密接合。通过进行气密接合，从而在器件基板1与盖基板2之间形成将器件基板侧封装框301的厚度(例如20μm)与盖基板侧封装框302的厚度(例如2μm)相加后的厚度的空间，能够将该空间、即安装有晶体管50以及晶体管51等半导体电路的区域设为气密状态。由于将器件基板侧封装框301和盖基板侧封装框302接合而得到的接合体具有封装框的作用，因此将该接合体称为封装框30。封装框30可以像例如器件基板侧封装框301的厚度为2μm、盖基板侧封装框302的厚度为20μm那样，盖基板侧封装框302更厚，只要通过在器件基板1与盖基板2之间设置的封装框30而在安装有半导体电路的区域形成空间，构成中空构造的半导体装置即可。如在图2的斜视图中由虚线箭头所示的那样，在盖基板2设置的端口7在图1以及图2中由黑圆点70示出的端口部70的位置处与封装框30电连接。同样地，端口8在端口部80的位置处、端口9在端口部90的位置处、端口10在端口部100的位置处各自与封装框30电连接。另外，盖基板2的端口11与器件基板1的凸块110、端口12与凸块120、端口13与凸块130、端口14与凸块140各自连接。在本申请中，将封装框30用作传输高频的线路等高频电路部件。将封装框30用作线路时的线路的阻抗由器件基板1以及盖基板2的介电常数和厚度、以及构成线路的导体即封装框30的宽度决定。将作为接合体的封装框30中的从与端口7电连接的端口部70至与端口10电连接的端口部100为止的由标号31示出的区间的部分设为封装框部31。同样地，将从端口部70至端口部80为止的部分设为封装框部32，将从端口部80至端口部90为止的部分设为封装框部33，将从端口部90至端口部100为止的部分设为封装框部34。例如在将半导体电路的线路的设计特性阻抗设为Z0的情况下，以如下的方式设定各封装框部的特性。就封装框部31以及封装框部33的部分而言，宽度调本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具有：/n器件基板，其形成有包含对高频进行放大的晶体管的半导体电路；盖基板；以及导电体的封装框，其在所述器件基板与所述盖基板之间，形成将形成有所述半导体电路的区域包围的空间而进行气密封装，/n该半导体装置的特征在于，/n该半导体装置构成为，所述封装框作为高频电路的部件而进行动作。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其具有：
器件基板，其形成有包含对高频进行放大的晶体管的半导体电路；盖基板；以及导电体的封装框，其在所述器件基板与所述盖基板之间，形成将形成有所述半导体电路的区域包围的空间而进行气密封装，
该半导体装置的特征在于，
该半导体装置构成为，所述封装框作为高频电路的部件而进行动作。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述封装框被用作高频的线路。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体电路包含多个高频放大器。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体电路包含2个高频放大器。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：三轮真一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP