成型体制造技术

本发明专利技术提供机械强度、耐热性、表面粗糙度和强介电性优异的成型体。一种成型体，其是包含偏二氟乙烯/四氟乙烯系共聚物的结晶的成型体，其特征在于，上述结晶为β晶，上述结晶是尺寸为100nm以下的纳米取向结晶，该成型体的算术平均粗糙度为3.0μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成型体
本专利技术涉及机械强度、耐热性、表面粗糙度和强介电性优异的成型体。
技术介绍
以往作为属于强介电性材料的压电膜或用于电润湿用途、膜电容器用途中的膜，已知有各种有机电介质膜、无机电介质膜。这些之中，偏二氟乙烯(VdF)/四氟乙烯(TFE)共聚物、偏二氟乙烯(VdF)聚合物的膜具有透明性、并且与无机电介质薄膜不同地具有挠性，由于具有这些优点而能够应用于各种用途中。以往，作为VdF聚合物的强介电性膜(其是高分子强介电性膜的典型例)的制造工序，由于通过熔液结晶化而使膜成型后形成α晶，因此为了制成表现出强介电性的β晶，需要进行对膜进行拉伸、热定型、极化处理之类的复杂的工序。以往，VdF/TFE系共聚物的强介电性膜中，在包含7mol％以上的TFE单元时，会成型出通过熔液结晶化而直接结晶化成β晶的膜，因此能够通过进行极化处理而制造出膜，但为了表现出较高的强介电性，需要通过拉伸、热定型的复杂工序使分子链发生取向(非专利文献1)。以往，作为提高VdF/TFE系共聚物的强介电性的方法，已知有通过经高温高压化进行熔液结晶化的制造工序来本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成型体，其是包含偏二氟乙烯/四氟乙烯系共聚物的结晶的成型体，其特征在于，/n所述结晶为β晶，所述结晶是尺寸为100nm以下的纳米取向结晶，/n该成型体的算术平均粗糙度为3.0μm以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180330 JP 2018-0697041.一种成型体，其是包含偏二氟乙烯/四氟乙烯系共聚物的结晶的成型体，其特征在于，
所述结晶为β晶，所述结晶是尺寸为100nm以下的纳米取向结晶，
该成型体的算术平均粗糙度为3.0μm以下。


2.如权利要求1所述的成型体，其中，所述偏二氟乙烯/四氟乙烯系共聚物为高结晶性的共聚物。


3.如权利要求1或2所述的成型体，其中，所述偏二氟乙烯/四氟乙烯系共聚物中，相对于偏二氟乙烯单元与四氟乙烯单元的合计100摩尔％，偏二氟乙烯单元为50摩尔％～95摩尔％、四氟乙烯单元为5摩尔％～50摩尔％。...

【专利技术属性】
技术研发人员：彦坂正道，冈田圣香，福岛俊行，泽木恭平，冈西谦，山口安行，
申请(专利权)人：国立大学法人广岛大学，大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP