在MEMS元件和ASIC元件上的键合结构制造技术

MEMS元件(100)，具有：‑衬底(10)；‑布置在所述衬底(10)上的第一钝化层(20)；‑布置在所述第一钝化层(20)上的金属层(30)；‑在所述金属层(30)上并且在所述第一钝化层(20)上布置的第二钝化层(40)；和‑凸模元件(60)，其中，在所述凸模元件(60)上并且在所述第二钝化层(40)上布置有能导电的扩散阻隔层(50)，其中，在所述凸模元件(60)上布置有第一键合元件(70)。

Bonding structures on MEMS and ASIC components

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在MEMS元件和ASIC元件上的键合结构
本专利技术涉及一种MEMS元件。本专利技术还涉及一种ASIC元件。本专利技术还涉及一种具有MEMS元件和ASIC元件的微机械传感器。本专利技术还涉及一种用于制造微机械传感器的方法。
技术介绍
现在的封装技术需要使压力传感器的压力敏感的部分、压力传感器膜片借助于特定的弹簧设计与传感器的其余部分机械解耦并且由此使其与AVT(构造和封装技术)影响无关。此外，使压力传感器承受机械应力、例如弯曲的外部影响例如是由于模制过程的机械夹紧、借助具有不同热膨胀系数的材料混合物的构造和由于在外部客户电路板上构造的传感器的连接所引起的应力。DE102015116353A1公开了一种具有机械解耦的微集成的封装MEMS传感器和为此的制造方法。DE102015103485A1公开了一种MEMS传感器、尤其是压力传感器。US2014/0299948A1公开了一种基于硅的MEMS麦克风、一种系统和一种具有所提到的元件的组件。
技术实现思路
本专利技术的任务是，提供一种尤其用于微机械传感器的改本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.MEMS元件(100)，该MEMS元件具有：/n-衬底(10)；/n-布置在所述衬底(10)上的第一钝化层(20)；/n-布置在所述第一钝化层(20)上的金属层(30)；/n-在所述金属层(30)上并且在所述第一钝化层(20)上布置的第二钝化层(40)；和/n-凸模元件(60)，其中，在所述凸模元件(60)上并且在所述第二钝化层(40)上布置有能导电的扩散阻隔层(50)，其中，在所述凸模元件(60)上布置有第一键合元件(70)。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180405 DE 102018205156.91.MEMS元件(100)，该MEMS元件具有：
-衬底(10)；
-布置在所述衬底(10)上的第一钝化层(20)；
-布置在所述第一钝化层(20)上的金属层(30)；
-在所述金属层(30)上并且在所述第一钝化层(20)上布置的第二钝化层(40)；和
-凸模元件(60)，其中，在所述凸模元件(60)上并且在所述第二钝化层(40)上布置有能导电的扩散阻隔层(50)，其中，在所述凸模元件(60)上布置有第一键合元件(70)。


2.根据权利要求1所述的MEMS元件(100)，其特征在于，所述凸模元件(60)的材料是铝或电介质。


3.根据权利要去1或2所述的MEMS元件(100)，其特征在于，所述扩散阻隔层(50)相对于所述第一键合元件(70)是抗扩散的。


4.根据前述权利要求中任一项所述的MEMS元件(100)，其特征在于，所述扩散阻隔层(50)在平面区域中具有缺口(50c)。


5.根据前述权利要求中任一项所述的MEMS元件(100)，其特征在于，所述扩散阻隔层(50)包括两个部分阻隔层(50a、50b)。


6.根据权利要求5所述的MEMS元件(100)，其特征在于，第一部分阻隔层(50a)是结构化的。


7.根据权利要求2至6中任一项所述的MEMS元件(100)，其特征在于，所述凸模元件(60)布置在所述第一钝化层(20)上。


8.根据前述权利要求中任一项所述的MEMS元件(100)，其特征在于，所述凸模元件(60)布置在所述第二钝化层(20)的缺口(41)上。


9.根据权利要求1至7中任一项所述的MEMS元件(100)，其特征在于，所述凸模元件(60)布置在所述第一钝化层(20)上，其中，所述第一钝化层(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·森兹，T·弗里德里希，F·霍伊克，P·施莫尔林格鲁贝尔，M·施瓦茨，J·托马斯科，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE