【技术实现步骤摘要】
一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法
本专利技术属于微机械工艺制造领域，尤其涉及一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法。
技术介绍
MEMS工艺技术是制造复杂三维结构的微加工技术，被广泛应用于半导体和微电子工艺，典型的三维微结构包括梁、隔膜、凹槽、孔、密封洞、锥、针尖、弹簧等。三维体硅微结构主要采用两种主流刻蚀技术。各向异性湿法腐蚀，由于腐蚀液对多晶硅的各个晶向腐蚀速率不一样，各向异性湿法腐蚀三维结构,很大程度上受体硅优势晶面的限制,就算改变腐蚀参数如腐蚀温度、腐蚀浓度等，还是得到固定形状微结构，这不适用于任意形状的微机械结构制备。干法刻蚀，刻蚀机理为具有化学活性的等离子体轰击刻蚀区域表面,近乎垂直的轰击方向决定了所获得的三维图形仅在掩模图案的厚度方向进行延伸,具有陡直侧壁,若加工具有特定倾斜度的侧壁或曲面侧壁有一定难度。但宏观机械构件的种类多样，除了以上构件，相当一部分具有曲面形貌：如凸轮、曲轴等，能推动或支撑从动件作一定的往复移动或摆动；如谐振腔、曲面透镜等，需要特定弧度的曲表面对声波、光形成谐振、...
【技术保护点】
1.一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的制备方法是首先将氧化好的硅片进行第一次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片一号，然后将光刻硅片一号放入恒温腐蚀液中进行第一次腐蚀得到腐蚀硅片一号，再把腐蚀硅片一号进行第二次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片二号，再然后将光刻硅片二号放入恒温腐蚀液中进行第二次腐蚀得到腐蚀硅片二号，再将腐蚀硅片二号进行第三次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片三号，然后将光刻硅片三号放入恒温腐蚀液中进行第三次腐蚀得到腐蚀硅片三号，再将腐蚀硅片三号用缓冲氢氟酸全部去掉二氧化硅再放入恒温腐蚀液中进行第四次腐...
【技术特征摘要】
1.一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的制备方法是首先将氧化好的硅片进行第一次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片一号，然后将光刻硅片一号放入恒温腐蚀液中进行第一次腐蚀得到腐蚀硅片一号，再把腐蚀硅片一号进行第二次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片二号，再然后将光刻硅片二号放入恒温腐蚀液中进行第二次腐蚀得到腐蚀硅片二号，再将腐蚀硅片二号进行第三次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片三号，然后将光刻硅片三号放入恒温腐蚀液中进行第三次腐蚀得到腐蚀硅片三号，再将腐蚀硅片三号用缓冲氢氟酸全部去掉二氧化硅再放入恒温腐蚀液中进行第四次腐蚀得到腐蚀硅片四号，最后将腐蚀硅片四号用混合酸腐蚀溶液进行第五次腐蚀圆滑侧面凸角得到最终的硅基MEMS微半球阵列。
2.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的缓冲氢氟酸是按照3ml氢氟酸∶6g氟化铵∶10ml水的比例配制而成的。
3.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的恒温腐蚀液是浓度为0.1%的聚乙二醇辛基苯基醚与25%四甲基氢氧化铵的混合水溶液。
4.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的混合酸腐蚀溶液是按照3ml氢氟酸：5ml硝酸：3ml乙酸：3g碘的比例配置而成的。
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【专利技术属性】
技术研发人员：马铁英，王佳晨，李达波，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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