一种高效功率半导体组合器件制造技术

本发明专利技术公开一种高效功率半导体组合器件，包括MOS管、IGBT管和DIODE管，MOS管、IGBT管和DIODE管相互并联。MOS管的漏极、IGBT管的集电极和DIODE管的阴极相连，MOS管的源极、IGBT管的发射极和DIODE管的阳极相连。与现有技术相比，本发明专利技术的优点在于：本发明专利技术将MOS管、IGBT管和DIODE管三者并联，可以发挥三者的优点而避开三者的缺点，可以明显降低器件损耗，提高变换器的效率。此外，本电路复合器件适用范围广泛，可以使用于现在Si IGBT或者SiC MOSFET器件成熟使用的场合，例如BUCK、BOOST、APFC、INVERTER、DC/DC变换器等电能变换器。

【技术实现步骤摘要】
一种高效功率半导体组合器件
本专利技术为电力电子器件应用领域，具体涉及一种由MOS管、IGBT管和DIODE管三者并联的高效功率半导体组合器件。
技术介绍
随着半导体集成电路的发展，各种晶体管成为非常重要的电子元件，在这之中，MOS管、IGBT管与DIODE管由于其良好的性能受到了越来越多的关注。IGBT管具有高反向耐压和大电流特性，但是对驱动电路要求很严格，并且不适合工作在高频场合，一般IGBT管的工作频率为20kHz以下。MOS管具有工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势，但是，MOS管相对于IGBT管导通内阻高，这就限制了它的应用。因此获得一种开关速度快且开关损耗小的电路组合器件十分重要。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供一种高效功率半导体组合器件，包括MOS管、IGBT管和DIODE管，MOS管、IGBT管和DIODE管相互并联。MOS管的漏极、IGBT管的集电极和DIODE管的阴极相连，MOS管的源极、IGBT管的发射极和DI本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高效功率半导体组合器件，其特征在于：包括MOS管、IGBT管和DIODE管，所述MOS管、IGBT管和DIODE管相互并联。/n

【技术特征摘要】
1.一种高效功率半导体组合器件，其特征在于：包括MOS管、IGBT管和DIODE管，所述MOS管、IGBT管和DIODE管相互并联。


2.根据权利要求1所述的高效功率半导体组合器件，其特征在于：所述MOS管的漏极、IGBT管的集电极和DIODE管的阴极相连，MOS管的源极、IGBT管的发射极和DIODE管的阳极相连。


3.根据权利要求2所述的高效功率半导体组合器件，其特征在于：所述MOS管的漏极、IGBT管的集电极和DIODE管的阴极通过低感导线相连、或通过集成电路板相连、或直接相连。


4.根据权利要求3所述的高效功率半导体组合器件，其特征在于：所述MOS管的源极、IGBT管的发射极和DIODE管的阳极通过低感导线相连、或通过集成电路板相连、或直接相连。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王一鸣，张波，魏万腾，
申请(专利权)人：锦浪科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33