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本发明公开一种高效功率半导体组合器件，包括MOS管、IGBT管和DIODE管，MOS管、IGBT管和DIODE管相互并联。MOS管的漏极、IGBT管的集电极和DIODE管的阴极相连，MOS管的源极、IGBT管的发射极和DIODE管的阳极相连...
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