扇出型电磁屏蔽封装结构和封装方法技术

本发明专利技术公开的一种扇出型电磁屏蔽封装结构和封装方法，涉及半导体技术领域。该扇出型电磁屏蔽封装结构包括芯片和包覆芯片的塑封体，芯片的第一表面设置第一重布线层和第一介电层，第一重布线层与引脚电连接，芯片的第二表面设置第二重布线层和第二介电层；第二重布线层与第一重布线层电连接。第一重布线层上设置接地端，第二重布线层上设置植球焊盘，第一介电层的外表面以及第二介电层的外周面设置屏蔽层，屏蔽层与接地端电连接。该封装结构在芯片的两面设置重布线层，集成度更高；在第一重布线层上设置接地端，接地端与屏蔽层连接，电磁屏蔽效果好。

Structure and method of fan out electromagnetic shielding package

【技术实现步骤摘要】
扇出型电磁屏蔽封装结构和封装方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种扇出型电磁屏蔽封装结构和封装方法。
技术介绍
随着电子产品运用于通信领域高频信号，故需求电子产品具备电磁屏蔽结构，防止发生各种芯片和元器件互相产生的电磁干扰现象。现有扇出型封装结构中，大多只能实现单面RDL（RedistributionLayer，重布线层）布线，导致其产品功能低，集成度低。
技术实现思路
本专利技术的目的包括，例如，提供了一种扇出型电磁屏蔽封装结构和封装方法，其能够提高产品集成度，实现产品更多功能，且具有良好的抗电磁干扰特点。本专利技术的实施例可以这样实现：第一方面，本专利技术实施例提供一种扇出型电磁屏蔽封装结构，包括：芯片，所述芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设有引脚；包覆所述芯片的塑封体，所述引脚露出所述塑封体；所述芯片的第一表面设置第一重布线层和第一介电层，所述第一重布线层与所述引脚电连接，所述第一介电层用于保护所述第一重布线层；所述芯片的第二表面设置第二重布线层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扇出型电磁屏蔽封装结构，其特征在于，包括：/n芯片，所述芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设有引脚；/n包覆所述芯片的塑封体，所述引脚露出所述塑封体；/n所述芯片的第一表面设置第一重布线层和第一介电层，所述第一重布线层与所述引脚电连接，所述第一介电层用于保护所述第一重布线层；所述芯片的第二表面设置第二重布线层和第二介电层，所述第二介电层用于保护所述第二重布线层；所述第二重布线层与所述第一重布线层电连接，所述第一介电层和所述第二介电层分别设于所述塑封体的两侧；/n所述第一重布线层上设置接地端，所述第二重布线层上设置植球焊盘，所述第一介电层的外表面以及所述第二介电层的外周面...

【技术特征摘要】
1.一种扇出型电磁屏蔽封装结构，其特征在于，包括：
芯片，所述芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设有引脚；
包覆所述芯片的塑封体，所述引脚露出所述塑封体；
所述芯片的第一表面设置第一重布线层和第一介电层，所述第一重布线层与所述引脚电连接，所述第一介电层用于保护所述第一重布线层；所述芯片的第二表面设置第二重布线层和第二介电层，所述第二介电层用于保护所述第二重布线层；所述第二重布线层与所述第一重布线层电连接，所述第一介电层和所述第二介电层分别设于所述塑封体的两侧；
所述第一重布线层上设置接地端，所述第二重布线层上设置植球焊盘，所述第一介电层的外表面以及所述第二介电层的外周面设置屏蔽层，所述屏蔽层与所述接地端电连接。


2.根据权利要求1所述的扇出型电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述第二重布线层与所述第一重布线层之间设有导电柱，所述导电柱的一端与所述第一重布线层电连接，另一端与所述第二重布线层电连接；所述导电柱穿过所述塑封体。


3.根据权利要求2所述的扇出型电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述塑封体上靠近第二表面的一侧设有焊垫，所述导电柱远离所述第一重布线层的一端与所述焊垫连接，所述第二重布线层与所述焊垫连接。


4.根据权利要求1所述的扇出型电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述引脚上延伸出引线，所述引线上设有凸块，所述第一重布线层与所述凸块电连接。


5.根据权利要求1所述的扇出型电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述屏蔽层采用金属涂层或屏蔽膜。


6.一种封装方法，其特征在于，包括：
贴装芯片；其中，所述芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设有引脚，贴装所述芯片后，所述引脚朝上；
塑封所述芯片，以形成塑封体，且所述引脚露出所述塑封体；
在所述芯片的第一表面设置第一重布线层和第一介电层，所述第一重布线层与所述引脚连接，所述第一介电层用于保护所述第一重布线层；
在所述芯片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何正鸿，钟磊，
申请(专利权)人：甬矽电子宁波股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33