控制静态磁场的方法和磁共振成像装置制造方法及图纸

技术编号:2634219 阅读:165 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
为了抑制泄漏而向主磁体(1u,1b)外周扩展的磁场,将多个辅助磁体(3u,3b)放置在主磁体(1u,1b)周围,以分别调节主磁体和辅助磁体(3u,3b)之间的间隔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及静态磁场的控制方法和MRI(磁共振成像)装置,更具体的说,涉及能充分获得形成静态磁场效果和防止漏磁通量效果的静态磁场的控制方法和磁共振成像装置。
技术介绍
已知有一种磁场发生器,其防漏磁通量的辅助磁体是配置在静态磁场发生磁体的主磁体相对表面上的磁板之外(见专利文件1)。〔专利文件1〕日本未审查专利出版物号2003-168604在常规的磁场发生器中,在主磁体的相对表面上提供有磁板,由磁板在一定程度上形成静态磁场,且磁板上提供有辅助磁体以防止漏磁通量。但问题在于为了简化磁场发生器的配置而取下磁板时,如果仅有辅助磁体,就不能充分获得形成静态磁场的效果和防止漏磁通量的效果。
技术实现思路
所以,本专利技术的一个目的就是提供一种静态磁场控制方法和磁共振成像装置,即使在取下磁板时,这种方法和这种装置仍能充分获得形成静态磁场的效果和防止漏磁通量的效果。按照第一方面,本专利技术提供一种静态磁场控制方法,所包括的步骤为在静态磁场发生磁体的主磁体周围放置多个辅助磁体,设置成与主磁体相斥的方向;分别调节主磁体和辅助磁体之间的间隔从而形成静态磁场;以及抑制泄漏到主磁体外周的磁场。在按照第一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静态磁场控制方法,它包括以下步骤:在静态磁场发生磁体的主磁体(1u,1b)周围放置多个辅助磁体(3u,3b),设置成与主磁体(1u,1b)相斥的方向;分别调节所述主磁体(1u,1b)和辅助磁体(3u,3b)之间的间隔从而形成静态磁场;以及抑制泄漏到所述主磁体(1u,1b)外周的磁场。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:后藤隆男佐藤隆洋
申请(专利权)人:GE医疗系统环球技术有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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