控制静态磁场的方法和磁共振成像装置制造方法及图纸

为了抑制泄漏而向主磁体（１ｕ，１ｂ）外周扩展的磁场，将多个辅助磁体（３ｕ，３ｂ）放置在主磁体（１ｕ，１ｂ）周围，以分别调节主磁体和辅助磁体（３ｕ，３ｂ）之间的间隔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及静态磁场的控制方法和MRI(磁共振成像)装置，更具体的说，涉及能充分获得形成静态磁场效果和防止漏磁通量效果的静态磁场的控制方法和磁共振成像装置。
技术介绍
已知有一种磁场发生器，其防漏磁通量的辅助磁体是配置在静态磁场发生磁体的主磁体相对表面上的磁板之外(见专利文件1)。〔专利文件1〕日本未审查专利出版物号2003-168604在常规的磁场发生器中，在主磁体的相对表面上提供有磁板，由磁板在一定程度上形成静态磁场，且磁板上提供有辅助磁体以防止漏磁通量。但问题在于为了简化磁场发生器的配置而取下磁板时，如果仅有辅助磁体，就不能充分获得形成静态磁场的效果和防止漏磁通量的效果。
技术实现思路
所以，本专利技术的一个目的就是提供一种静态磁场控制方法和磁共振成像装置，即使在取下磁板时，这种方法和这种装置仍能充分获得形成静态磁场的效果和防止漏磁通量的效果。按照第一方面，本专利技术提供一种静态磁场控制方法，所包括的步骤为在静态磁场发生磁体的主磁体周围放置多个辅助磁体，设置成与主磁体相斥的方向；分别调节主磁体和辅助磁体之间的间隔从而形成静态磁场；以及抑制泄漏到主磁体外周的磁场。在按照第一方面的静态磁场控制方法中，将多个辅助磁体放置在静态磁场发生磁体的主磁体周围，取与主磁体相斥的方向。然后，调节主磁体和辅助磁体之间的间隔，调节方式应使静态磁场形成并扩展到主磁体的外周，且漏磁通量可被消除。这样，就可充分获得形成静态磁场的效果和防止漏磁通量的效果。按照第二方面，本专利技术提供一种静态磁场控制方法，其特点在于在具有上述配置的静态磁场控制方法中，将隔离片分别插到主磁体和辅助磁体之间。在按照第二方面的静态磁场控制方法中，将隔离片分别插到主磁体和辅助磁体之间，以便于在调节间隔之后易于固定辅助磁体的位置。按照第三方面，本专利技术提供一种静态磁场控制方法，其特点在于在具有上述配置的静态磁场控制方法中，每个隔离片都不含有磁体。在按照第三方面的静态磁场控制方法中，隔离片不影响磁场。按照第四方面，本专利技术提供一种静态磁场控制方法，其特点在于在具有上述配置的静态磁场控制方法中，每个隔离片都含有磁体。在按照第四方面的静态磁场控制方法中，磁场甚至可以由隔离片来调节。按照第五方面，本专利技术提供一种静态磁场控制方法，其特点在于在具有上述配置的静态磁场控制方法中，在主磁体和辅助磁体之间定义一个间隙。在按照第五方面的静态磁场控制方法中，对间隙可以自由进行再调节。按照第六方面，本专利技术提供一种磁共振成像装置，它包括一对主磁体，其正表面相互面对，二者之间插有间隙，其中置放对象；磁连接主磁体背表面的磁轭；分别放置在主磁体周围且方向与主磁体相斥的的多个辅助磁体；以及可分别调节主磁体和辅助磁体之间间隔的间隔控制装置。在按照第六方面的磁共振成像装置中，将主磁体和辅助磁体之间的间隔调节成静态磁场能够形成且泄漏而扩展到主磁体外周的磁场能被抑制。按照第七方面，本专利技术提供一种磁共振成像装置，其特点在于在具有上述配置的磁共振成像装置中，每个主磁体具有前外周边缘部分，其形状凸出于其中心部分之外。在按照第七方面的磁共振成像装置中，静态磁场的均匀度可以因主磁体的形状而增强。按照第八方面，本专利技术提供一种磁共振成像装置，其特点在于在具有上述配置的磁共振成像装置中，一个主磁体的正表面具有的磁极对应于S极，另一主磁体的正表面具有的磁极对应于N极。在按照第八方面的磁共振成像装置中，静态磁场可以在对象进入的空间中适当产生。按照第九方面，本专利技术提供一种磁共振成像装置，其特点在于在具有上述配置的磁共振成像装置中，主磁体的磁化方向对应于该对主磁体互相面对的方向。在按照第九方面的磁共振成像装置中，静态磁场可以在对象进入的空间中适当产生。按照第十方面，本专利技术提供一种磁共振成像装置，其特点在于在具有上述配置的磁共振成像装置中，放置在正表面具有S极的相应主磁体周围的每个辅助磁体外部具有的磁极对应于N极，且放置在正表面具有N极的相应主磁体周围的每个辅助磁体外部具有的磁极对应于S极。按照第十方面的磁共振成像装置能够按照主磁体的磁场方向和每个辅助磁体的磁场方向形成主磁体内的静态磁场并适当抑制主磁体周围的磁场泄漏。按照第十一方面，本专利技术提供一种磁共振成像装置，其特点在于在具有上述配置的磁共振成像装置中，辅助磁体的磁化方向对应于向空间中心倾斜的方向，对象从与该对主磁体的相对方向成正交的方向进入该空间。在按照第十一方面的磁共振成像装置中辅助磁体的磁化方向倾斜，从而能形成主磁体内的静态磁场并适当抑制主磁体周围的磁场泄漏。按照第十二方面，本专利技术提供一种磁共振成像装置，其特点在于在具有上述配置的磁共振成像装置中，辅助磁体的磁化方向对应于与该对主磁体的相对方向成正交的方向。按照第十二方面的磁共振成像装置易于操纵，因为辅助磁体的磁化方向易于确定。按照第十三方面，本专利技术提供一种磁共振成像装置，其特点在于在具有上述配置的磁共振成像装置中，将隔离片插到相应的主磁体及其周围的辅助磁体之间。在按照第十三方面的磁共振成像装置中，将隔离片插到相应的主磁体及其周围的辅助磁体之间，这样在调节间隔后辅助磁体的位置易于固定。按照第十四方面，本专利技术提供一种磁共振成像装置，其特点在于在具有上述配置的磁共振成像装置中，间隔片不含有磁体。在按照第十四方面的磁共振成像装置中，间隔片不影响磁场。按照第十五方面，本专利技术提供一种磁共振成像装置，其特点在于在具有上述配置的磁共振成像装置中，间隔片含有磁体。在按照第十五方面的磁共振成像装置中，磁场甚至可以由隔离片来调节。按照第十六方面，本专利技术提供一种磁共振成像装置，其特点在于在具有上述配置的磁共振成像装置中，在主磁体及其周围放置的辅助磁体之间分别定义一个间隙。在按照第五方面的静态磁场控制方法中，对间隙可以自由进行再调节。按照本专利技术的静态磁场控制方法和磁共振成像装置，泄漏而扩展到主磁体外周的磁场可以被抑制。按照本专利技术的静态磁场控制方法和磁共振成像装置可以用于MR图像的摄影。从如附图所示的对本专利技术优选实施例的以下说明就可对本专利技术的其它目的和优点一目了然。附图说明图1示出按照实施例1的磁共振成像装置的静态磁场发生磁体的正视图。图2示出沿图1中线A-A’的截面图。图3示出沿图1中线B-B’的截面图。图4示出由主磁体形成的磁场的说明视图。图5示出由辅助磁体使磁场均匀化的效果的说明视图。图6示出由辅助磁体抑制泄漏磁场的效果的说明视图。图7示出按照实施例3的磁共振成像装置的静态磁场发生磁体的正视图。图8示出沿图7中线A-A’的截面图。图9示出按照实施例4的磁共振成像装置的辅助磁体的磁化方向的说明视图。具体实施例方式以下用附图中所示的实施例更加详细的说明本专利技术。顺便说一下，这些并不限制本专利技术。〔实施例1〕图1示出按照实施例1的磁共振成像装置100的静态磁场发生磁体部分的正视图。图2示出沿图1中线A-A’的截面图。图3示出沿图1中线B-B’的典型剖面图。磁共振成像装置100配备有上主磁体1u和下主磁体1b，二者的正面在垂直方向上互相面对，其中的空间放入对象；上磁轭2u、右磁轭2r、下磁轭2b和左磁轭2l，它们磁连接主磁体1u和1b的背面；多个上辅助磁体3u，放置在上主磁体1u的周围；上支架台4u用于固定每个上辅助磁体3u相对上磁轭2u的高度；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静态磁场控制方法，它包括以下步骤：在静态磁场发生磁体的主磁体（１ｕ，１ｂ）周围放置多个辅助磁体（３ｕ，３ｂ），设置成与主磁体（１ｕ，１ｂ）相斥的方向；分别调节所述主磁体（１ｕ，１ｂ）和辅助磁体（３ｕ，３ｂ）之间的间隔从而形成静态磁场；以及抑制泄漏到所述主磁体（１ｕ，１ｂ）外周的磁场。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：后藤隆男，佐藤隆洋，
申请(专利权)人：GE医疗系统环球技术有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]