一种兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器制造技术

本发明专利技术涉及一种兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器，所述该超材料吸收器的主要结构包括：所述结构包括依次设置的下基板、绝缘介质。下基板包括具有可见光波段与1550nm光通信波段超吸收功能的MIM结构。本发明专利技术可以实现兼容CMOS工艺的宽波段超表面吸收结构，在可见光和光通信波段实现宽范围的高吸收率功能。

【技术实现步骤摘要】
一种兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器
本专利技术涉及一种吸收器，具体涉及一种兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器，属于光学器件

技术介绍
超材料指的是一类在自然界不存在的，具有特殊性质的人造材料，具有传统材料不具备的性质，能够实现传染材料无法实现的功能。超材料在控制电磁波的吸收、反射和传播方面显示出强大而通用的能力。他们激发了惊人的设计和设备，包括一个完美的镜头，黑洞，等离子体传感器，新颖的太阳能收集概念和更多。其中，超材料吸收器的性能与组成材料及其单元结构和尺寸有关，具有近乎完美的吸收、深度亚波长厚度和可调谐性。在光学范围内，通常由金、银、铜或镍等金属制成的超材料吸收器能够显著增加结构的光学截面，从而在一定的光谱范围内大大增强由表面等离子体激振引起的吸收。然而，由于等离子体激振的共振性质以及强金属响应引起的非共振频率的高反射系数，使得吸收带宽往往受到高度限制。人工结构材料的独特之处在于其能带结构和色散关系可以被精确地调整。研究表明，在入射光的照射下，金属表面的表面电荷密度波可以被激发，这种表面电荷密度波通常被称为表面等离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器，其特征在于，所述吸收器包括依次设置的下基板和绝缘介质，下基板包括具有光波段吸收功能的MIM(金属-介质-金属)结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器，其特征在于，所述吸收器包括依次设置的下基板和绝缘介质，下基板包括具有光波段吸收功能的MIM(金属-介质-金属)结构。


2.根据权利要求1所述的兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器，其特征在于，所述下基板中具有光波段超吸收功能的MIM结构，由底层金属/金属化合物，介质层，上层金属/金属化合物构成。


3.根据权利要求1或2所述的兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器，其特征在于，所述MIM结构下基板中，可选用的底层金属/金属化合物材料包括：铝(Al)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锗(Ge)中的一种或者几种；可选用的介质层材料包括：硅(Si)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)、聚酰亚胺(Pl)、氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：张易晨，夏军，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32