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本发明涉及一种兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器，所述该超材料吸收器的主要结构包括：所述结构包括依次设置的下基板、绝缘介质。下基板包括具有可见光波段与1550nm光通信波段超吸收功能的MIM结构。本发明可以实现兼容CMOS工艺的宽波段超表...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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