一种产生单一手性近场的结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种生单一手性近场的结构及其制备方法，结构包括基底和多个手性近场单元，所述多个手性近场单元呈周期排列设置在所述基底上；手性近场单元包括金属底板、第一金属侧板和第二金属侧板，所述金属底板设置于所述基底上，所述第一金属侧板和所述第二金属侧板设置于所述金属底板上，所述第一金属侧板与所述第二金属侧板之间具有间隙。本发明专利技术中由于金属底板抑制两金属板之间的驻波传播，在间隙内形成了陷波模式，第一金属侧臂上为正电荷，第二金属侧壁上为负电荷，所以电场和磁场的方向在间隙内不会变化，可以在间隙内产生单一手性近场。另外陷波模式会聚集大量的电磁波，产生的单一手性近场会更强。

A single chiral near-field structure and its preparation

【技术实现步骤摘要】
一种产生单一手性近场的结构及其制备方法
本专利技术涉及手性近场
，特别是涉及一种产生单一手性近场的结构及其制备方法。
技术介绍
自然界中的手性结构所具有的光学效应往往很弱，并且作用波段受到限制，大多数自然分子的响应波段为紫外波段，人们对手性结构的研究受到了阻碍。等离激元手性结构利用其自身等离激元能够增强电磁场从而达到放大和调控光场的性质，为手性分子的探测提供了更多的可能。但是，大多数等离激元纳米结构周围产生的手性近场既有左手性近场又有右手性近场，探测生物分子时，手性会抵消，影响探测的灵敏度。并且，手性场大多数都产生在各种微腔内，制备时很难制备。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种产生单一手性近场的结构及其制备方法，制备出的结构能产生大区域单一手性近场。为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：一种产生单一手性近场的结构，包括基底和多个手性近场单元，所述多个手性近场单元呈周期排列设置在所述基底上；手性近场单元包括金属底板、第一金属侧板和第二金属侧板，所述金属底板设置于所述基底上，所述第一金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种产生单一手性近场的结构，其特征在于，包括基底和多个手性近场单元，所述多个手性近场单元呈周期排列设置在所述基底上；手性近场单元包括金属底板、第一金属侧板和第二金属侧板，所述金属底板设置于所述基底上，所述第一金属侧板和所述第二金属侧板设置于所述金属底板上，所述第一金属侧板与所述第二金属侧板之间具有间隙。/n

【技术特征摘要】
1.一种产生单一手性近场的结构，其特征在于，包括基底和多个手性近场单元，所述多个手性近场单元呈周期排列设置在所述基底上；手性近场单元包括金属底板、第一金属侧板和第二金属侧板，所述金属底板设置于所述基底上，所述第一金属侧板和所述第二金属侧板设置于所述金属底板上，所述第一金属侧板与所述第二金属侧板之间具有间隙。


2.根据权利要求1所述的产生单一手性近场的结构，其特征在于，所述第一金属侧板与所述第二金属侧板平行并垂直设置于所述金属底板上，所述第一金属侧板、所述第二金属侧板与所述间隙组成长方体结构。


3.根据权利要求1所述的产生单一手性近场的结构，其特征在于，所述第一金属侧板与所述第二金属侧板的上方均设置有二维材料层。


4.根据权利要求1所述的产生单一手性近场的结构，其特征在于，所述第一金属侧板靠近所述金属底板的一端与所述第二金属侧板靠近所述金属底板的一端之间的距离小于所述第一金属侧板的另一端与所述第二金属侧板的另一端之间的距离。


5.根据权利要求1所述的产生单一手性近场的结构，其特征在于，所述第一金属侧板和所述第二金属侧板与所述金属底板之间均设置有热膨胀...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：中山科立特光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44