【技术实现步骤摘要】
一种高温光电半导体材料用胶粘剂及其制备方法
本专利技术涉及半导体材料加工
,具体涉及到一种高温光电半导体材料用胶粘剂及其制备方法。
技术介绍
半导体材料是生产半导体器件必需的材料,是半导体器件应用中的基础,它决定和支撑着整个半导体电子产品的水平和发展。目前半导体材料中最重要的一种就是半导体外延材料,它通常包括很多层,有衬底材料、缓冲层(n型、p型或者本征半导体材料)、有源区、接触层(p型或者n型),其应用范围包括微电子、光电子器件电路,如LED、LD、PD、IC等等。制备半导体外延材料的方法种类很多,其中MOCVD方法是目前产业界制备化合物外延材料尤其是光电子材料的主要手段。其中MOCVD外延生长中所用到的装载衬底片的石墨托盘,是MOCVD设备中十分重要的部件。III族氮化物外延生长中用到的石墨托盘,为了避免氨气、氢气等气体对石墨的腐蚀作用,一般在石墨托盘的表面会镀一层均匀的保护层。材料的外延生长中对该保护层的均匀性、一致性、导热性要求非常高,然而由于石磨盘在使用过程中其表面的涂层容易出现开裂等破损现象,造成反应室内存 ...
【技术保护点】
1.一种高温光电半导体材料用胶粘剂,其特征在于,所述胶粘剂的制备原料包括如下组分:聚醋酸乙烯酯乳液25~50份、填料40~60份、增稠剂0~1.0份、功能助剂1~3.5份、分散剂0.1~0.8份、消泡剂0.1~0.8份、溶剂3~12份。/n
【技术特征摘要】
1.一种高温光电半导体材料用胶粘剂,其特征在于,所述胶粘剂的制备原料包括如下组分:聚醋酸乙烯酯乳液25~50份、填料40~60份、增稠剂0~1.0份、功能助剂1~3.5份、分散剂0.1~0.8份、消泡剂0.1~0.8份、溶剂3~12份。
2.根据权利要求1所述的高温光电半导体材料用胶粘剂,其特征在于,所述填料为硅粉和/或碳化硅。
3.根据权利要求2所述的高温光电半导体材料用胶粘剂,其特征在于,所述硅粉的粒径不高于50微米。
4.根据权利要求2所述的高温光电半导体材料用胶粘剂,其特征在于,所述碳化硅与硅粉的重量比例为1:(3~5)。
5.根据权利要求2所述的高温光电半导体材料用胶粘剂,其特征在于,所述碳化硅的粒径不大于50微米。
6.根据权利要求1所述的高温光电半导体材料用胶粘剂,其特征在于,所述功能助剂为三乙酸甘油酯。
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