半导体器件的检查装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供一种谋求半导体器件的试验成本降低的检查装置。该检查装置包括可接纳于腔内的试验板；凹座，多个凹座安装于试验板的第１主面上，在该凹座上装载有构成试验对象的半导体器件；器件试验机构，多个器件试验机构安装于试验板中的第２主面上，将规定的试验信号输入半导体器件中，并且根据对应于该试验信号，从半导体器件输出的输出信号，进行半导体器件的评价；对器件试验机构进行冷却的放热基板；在腔内部对装载于凹座上的半导体器件进行加热，并且通过放热基板，对器件试验机构进行冷却，与此同时，进行半导体器件的老化试验（Ｂｕｒｎ　　ｉｎ　　ｔｅｓｔ）和特性试验。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的检查装置，本专利技术特别是涉及进行用于确保制品的可靠性的老化试验和进行用于去除不良品的特性试验的检查装置。
技术介绍
直至制作完成半导体存储器IC、系统LSI这样的半导体器件的制造工艺非常复杂、精密，在所有地方具有产生故障的原因。设计上的问题、检查上的问题、具有来自用户的环境、电路结构的使用上的问题等就是这样。另外，在制造方面，具有产生硅基板、扩散钝化、布线电极、支架、包装件、小片焊接(die bonding)、线焊、密封等的相应故障的原因。另外，主要的故障模式为表面缺陷(离子污染等)、氧化膜缺陷(针孔)、金属布线缺陷、输入输出电路缺陷等。在用于判断包括这些故障模式的半导体器件的试验中，具有用于确保制品的可靠性的老化试验和用于去除不良品的特性试验(拣选试验)。在采用老化(Burn in)装置的老化试验中，为了去除初始故障，在比如，125℃的加热条件下，对半导体器件施加额定值或比该额定值高1～2成的电压，同时按照一定时间使其动作，进行筛选处理。另外，在采用存储器试验机的特性试验中，将从高温(85℃)，到低温(0℃或以下)，从最高动作速度到低速动作，电源电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的检查装置，其特征在于：该半导体器件的检查装置包括：腔；可接纳于该腔内的试验板；凹座，多个凹座安装于上述试验板的第１主面上，在该凹座上装载有构成试验对象的半导体器件；器件试验机构，多个器件试验机 构安装于上述试验板中的与上述第１主面相反一侧的第２主面上，将规定的试验信号输入１个或多个上述半导体器件，并且根据对应于该试验信号，从上述半导体器件输出的输出信号，进行上述半导体器件的评价；对上述器件试验机构进行冷却的冷却机构；　 　在上述腔内部对装载于上述凹座上的上述半导体器件进行加热，并且通过上述冷却机...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宫川末晴，池边亮司，
申请(专利权)人：STK技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]