具有集成磁场突变保护的超导磁体低温恒温器制造技术

本发明专利技术公开了一种具有集成磁场突变保护的超导磁体低温恒温器。当系统中各组件选用的材料具有适合的相对电导率时，可以提供针对杂散磁场的保护，特别是针对与磁体失超相关的杂散磁场的保护。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种超导磁体低温恒温器，特别涉及在失超时对杂散磁场大小的控制。
技术介绍
大型超导磁体在医疗设备中的应用越来越普遍，例如核磁共振(NMR)光谱仪、磁共振成像(MRI)扫描仪。这样的设备会产生大型磁场，在包含有对磁场反应灵敏的科学和医疗设备的环境中，需要对这些大型磁场加以严格控制。磁体工作区域周围的磁场称为杂散磁场。MRI扫描仪主要在医院应用，而在医院中出现带有医疗植体的人的可能性很大，因此，对MRI扫描仪周围的杂散磁场的控制就尤为重要。由于一个相对较弱的磁场都能够导致某些植体出现故障，所以与杂散磁场有关的风险更大。行业公约定义了5高斯轮廓，这是磁场B的大小等于5×10-4特斯拉(5高斯)的杂散磁场表面。当前的超导磁体具有内置的屏蔽线圈，这些屏蔽线圈在正常工作时能够将杂散磁场约束在一个轴对称的近似椭圆体的范围内。对于典型的MRI磁体而言，该椭圆体沿磁体轴线的半轴长度约为4m，半径约为2.5m。超导磁体在工作时可能会失超。失超是一种温度升高而导致超导磁体进入正常导电态的过程。这个过程可能会持续几秒，在该过程中电流崩塌而引起磁场变化。而变化的磁场又会在磁体支架及低温恒温器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种限制与安装在管状支架上的轴对称超导磁体相关的杂散磁场范围的方法，包括将部件定位在该磁体径向内侧以及将部件定位在该磁体径向外侧的步骤，其中，所述定位于该超导磁体径向内侧的部件具有比所述定位于该超导磁体径向外侧的部件显著更低的周向电导。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：G吉尔格拉斯，MJM克瑞普，
申请(专利权)人：西门子磁体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]