陶瓷基体及基座制造技术

本发明专利技术的陶瓷基体以含有碳化硅粒子的电介质材料为形成材料，基体的表面上的每单位面积的碳化硅粒子的个数少于基体的截面上的每单位面积的碳化硅粒子的个数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷基体及基座
本专利技术涉及一种陶瓷基体及基座。本申请主张基于2018年3月30日于日本申请的日本专利申请2018-066504号的优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
近年来，在实施等离子体工序的半导体制造装置中，使用能够在试样台上简单地安装并固定板状试样(晶片)，并且能够以所期望的温度维持该晶片的基座。作为基座之一的静电卡盘装置具备一个主表面为载置晶片的载置面的基体及在与载置于载置面的晶片之间产生静电力(库仑力)的静电吸附用电极。通常，基体以电介质材料为形成材料。作为这种静电卡盘装置，已知一种对电介质材料制载置面进行加工来设置多个突起形状，并在突起形状的顶面上保持板状试样的结构的装置(例如，参考专利文献1)。在这种装置中，通过使冷却用气体在突起部之间的空间内流动，能够冷却板状试样来进行板状试样的温度控制。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-27207号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题在如专利文献1中记载的静电卡盘装置中，突起形状的顶面与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷基体，其以含有碳化硅粒子的电介质材料为形成材料，/n所述基体的表面上的每单位面积的所述碳化硅粒子的个数少于所述基体的截面上的每单位面积的所述碳化硅粒子的个数。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180330 JP 2018-0665041.一种陶瓷基体，其以含有碳化硅粒子的电介质材料为形成材料，
所述基体的表面上的每单位面积的所述碳化硅粒子的个数少于所述基体的截面上的每单位面积的所述碳化硅粒子的个数。


2.根据权利要求1所述的陶瓷基体，其中，
所述碳化硅粒子的平均粒径为0.2μm以下。


3.一种基座，其具备权利要求1或2所述的陶瓷基体，
所述陶瓷基体的表面为载置板状试样的载置面。


4.一种静电卡盘装置，其包括：
静电卡盘部，包括作为载置板的权利要求1的陶瓷基体、支撑板、设置在陶瓷基体与支撑板之间的静电吸附用电极及使静电吸附用电极的周围绝缘的绝缘材料层；
温度调节用基底部；及
粘接剂层，设置在静电卡盘部与温度调节用基底部之间。


5.根据权利要求1所述的陶瓷基体，其中，
...

【专利技术属性】
技术研发人员：小坂井守，日高宣浩，木村直人，钉本弘训，
申请(专利权)人：住友大阪水泥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP