复合烧结体、半导体制造装置部件以及复合烧结体的制造方法制造方法及图纸

复合烧结体具备Al

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】复合烧结体、半导体制造装置部件以及复合烧结体的制造方法
本专利技术涉及复合烧结体、半导体制造装置部件以及复合烧结体的制造方法。
技术介绍
以往，在半导体基板的制造装置等中，采用利用库仑力或约翰生·拉别克力吸附半导体基板进行保持的静电卡盘、对半导体基板进行加热的加热器、将静电卡盘和加热器组合的静电卡盘加热器等基座。对于该基座，要求具有高耐电压及高体积电阻率。该基座是使用例如以氧化铝为主相的烧结体而制造的。但是，如果在上述烧结体烧成时发生氧化铝的异常粒生长，则有时烧结体的材料特性大幅变动。因此，在日本特开2017－095333号公报(文献1)中，出于抑制氧化铝的粒生长的目的，在以氧化铝为主成分的烧成原料中添加氧化镁，由此，使氧化铝的平均烧结粒径为3μm～18μm，使烧结粒径分布的变异系数为7％～21％。另外，在日本特开2013－321270号公报(文献2)中，在以氧化铝为主成分的烧成原料中添加二氧化硅、氧化镁、氧化钙以及氧化氧化锆，由此，使氧化铝的平均烧结粒径为0.8μm～4.6μm，堆积密度为3.80g/cm3～3.92g本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合烧结体，其中，/n具备：氧化铝和镁铝尖晶石，/n所述氧化铝的含有率为95.5重量％以上，/n所述氧化铝的平均烧结粒径为2μm以上且4μm以下，/n所述氧化铝的烧结粒径分布的标准偏差为0.35以下，/n所述复合烧结体的堆积密度为3.94g/cm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180328 JP PCT/JP2018/0128321.一种复合烧结体，其中，
具备：氧化铝和镁铝尖晶石，
所述氧化铝的含有率为95.5重量％以上，
所述氧化铝的平均烧结粒径为2μm以上且4μm以下，
所述氧化铝的烧结粒径分布的标准偏差为0.35以下，
所述复合烧结体的堆积密度为3.94g/cm3以上且3.98g/cm3以下，
所述镁铝尖晶石与所述氧化铝的晶相量之比为0.003以上且0.01以下。


2.根据权利要求1所述的复合烧结体，其中，
还具备碳化硅，
所述碳化硅的含有率为0.01重量％以上且4重量％以下。


3.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其中，
镁的含有率为0.35重量％以下。


4.根据权利要求1至3中的任一项所述的复合烧结体，其中，
耐电压为100kV/mm以上。


5.根据权利要求1至4中的任一项所述的复合烧结体，其中，
250℃下的体积电阻率为1.0×1015Ω·cm以上。


6.根据权利要求1至5中的任一项所述的复合烧结体，其中，
4点弯曲强度为450MPa以上。


7.一种半导体制造装置部件，其在半导体制造装置中被使用，其中，
所述半导体制造装置部件是使用权利要求1至6中的任一项所述的复合烧结体而制作的。


8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿闭恭平，西村升，永井明日美，胜田祐司，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP