复合烧结体、静电卡盘部件、静电卡盘装置及复合烧结体的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的复合烧结体为含有作为主相的金属氧化物和作为副相的碳化硅的陶瓷复合烧结体，所述碳化硅的晶粒分散在所述金属氧化物的晶粒内及所述金属氧化物的晶界上，分散在所述金属氧化物的晶界上的所述碳化硅的平均晶体粒径为0.30μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】复合烧结体、静电卡盘部件、静电卡盘装置及复合烧结体的制造方法
本专利技术涉及一种复合烧结体、静电卡盘部件、静电卡盘装置及复合烧结体的制造方法。本申请主张基于2018年3月22日于日本申请的日本专利申请2018-055209号的优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
在实施等离子体工序的半导体制造装置中，使用能够将板状试样(晶片)简单地安装并固定在试样台上，并且能够将该晶片维持在所期望的温度的静电卡盘装置。静电卡盘装置具备一个主表面为载置晶片的载置面的基体及在与载置于载置面上的晶片之间产生静电力(库仑力)的静电吸附用电极(例如，参考专利文献1)。基体通常以陶瓷烧结体为形成材料。在这种静电卡盘装置中，利用在晶片与静电吸附用电极之间产生的静电力来固定晶片。具体而言，在静电卡盘装置中，在固定晶片时，对静电吸附用电极施加电压，从而在晶片与静电吸附用电极之间产生静电力。另一方面，在静电卡盘装置中，在拆除固定在载置面上的晶片时，停止对静电吸附用电极施加电压，从而使晶片与静电吸附用电极之间的静电力消失。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第4744855号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题在半导体制造装置中，会产生构成部件的气蚀或损伤(等离子体腐蚀)。其结果，存在器件的品质因所产生的微粒(颗粒)而降低的技术课题。例如，若在半导体制造工艺中微细的微粒掉落在电路上，则会发生线路断裂等不良情况，成为使成品率降低的原因。在用于半导体制造装置中的静电卡盘装置中使用的部件也被要求抑制微粒的产生。本专利技术是鉴于这种情况而完成的，其目的在于，提供一种抑制微粒的产生的静电卡盘用复合烧结体。并且，其目的还在于，提供一种使用这种复合烧结体的静电卡盘部件、静电卡盘装置。而且，其目的还在于，提供一种能够容易制造这种复合烧结体的复合烧结体的制造方法。用于解决技术课题的手段本专利技术包括以下[1]至[11]。[1]一种复合烧结体，其为含有作为主相的金属氧化物和作为副相的碳化硅的陶瓷复合烧结体，所述碳化硅的晶粒分散在所述金属氧化物的晶粒内及所述金属氧化物的晶界上，分散在所述金属氧化物的晶界上的所述碳化硅的平均晶体粒径(D50)为0.30μm以下。[2]根据[1]所述的复合烧结体，其中，分散在所述金属氧化物的晶粒内的所述碳化硅的平均晶体粒径(D50)为0.20μm以下。[3]根据[1]或[2]所述的复合烧结体，其中，分散在所述金属氧化物的晶粒内的所述碳化硅的晶粒的比例相对于全部所述碳化硅的晶粒以面积比计为40％以上。[4]根据[1]至[3]中任一项所述的复合烧结体，其中，所述金属氧化物为氧化铝或氧化钇。[5]根据[1]至[4]中任一项所述的复合烧结体，其中，所述金属氧化物的平均晶体粒径为1.2μm以上且10μm以下。[6]一种静电卡盘部件，其具有：板状的基体，以[1]至[5]中任一项所述的复合烧结体为形成材料，且一个主表面为载置板状试样的载置面；及静电吸附用电极，设置在所述基体的与所述载置面相反的一侧或所述基体的内部。[7]一种静电卡盘装置，其具备[6]所述的静电卡盘部件。[8]一种复合烧结体的制造方法，其包括：混合金属氧化物粒子、碳化硅粒子及分散介质的工序；针对在所述进行混合的工序中得到的浆料，将所述浆料的pH调整在所述浆料中的所述金属氧化物粒子的表面电荷成为正值且所述浆料中的所述碳化硅粒子的表面电荷成为负值的范围内的工序；在从调整pH之后的所述浆料中去除分散介质之后形成成型体的工序；及在非氧化性气氛下、以25MPa以上的压力压实得到的成型体的同时加热至1600℃以上来进行加压烧结的工序，所述进行混合的工序为将金属氧化物粒子、碳化硅及分散介质与分散媒介物一并投入到分散搅拌碾磨机中进行混合的工序。[9]根据[8]所述的复合烧结体的制造方法，其在所述进行混合的工序前还包括对所述碳化硅粒子的表面进行氧化处理的工序。[10]根据[8]或[9]所述的复合烧结体的制造方法，其中，所述调整pH的工序中，将所述浆料的pH设为5以上且7以下。[11]根据[8]至[10]中任一项所述的复合烧结体的制造方法，其中，所述金属氧化物粒子的金属氧化物的含量为99.99％以上。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种抑制微粒的产生的静电卡盘用复合烧结体。并且，能够提供一种使用这种复合烧结体的静电卡盘部件、静电卡盘装置。而且，能够提供一种能够容易制造这种复合烧结体的复合烧结体的制造方法。附图说明图1是表示本实施方式的静电卡盘装置的概略剖视图。图2是表示在实施例中测定体积电阻率时的烧结体的外形的示意图。具体实施方式以下，参考图1对本实施方式所涉及的静电卡盘装置的优选例进行说明。另外，在以下说明中，为了更好地理解专利技术的宗旨而进行具体的说明，只要没有特别指定，则并不限定本专利技术。能够在不脱离本专利技术的范围内对数量、位置、大小或数值等进行变更、省略或追加。并且，在以下的所有附图中，为了便于观察附图，适当地改变了所有或一部分各构成要件的尺寸或比率等。[静电卡盘装置]图1是表示本实施方式的静电卡盘装置的剖视图。本实施方式的静电卡盘装置1具备静电卡盘部2及温度调节用基底部3。静电卡盘部2为以一个主表面(上表面)侧为载置面的俯视圆板状。温度调节用基底部3为设置在所述静电卡盘部2的下方且将静电卡盘部2调整为所期望的温度的较厚的具有俯视圆板状的部件。并且，静电卡盘部2和温度调节用基底部3经由设置在静电卡盘部2与温度调节用基底部3之间的粘接剂层8粘接。以下，依次进行说明。(静电卡盘部)静电卡盘部2具有载置板11、支撑板12、设置在这些载置板11与支撑板12之间的静电吸附用电极13及使静电吸附用电极13的周围绝缘的绝缘材料层14。载置板11的上表面为载置半导体晶片等板状试样W的载置面11a。支撑板12与所述载置板11形成为一体，且支撑该载置板11的底部侧。载置板11及支撑板12相当于本专利技术中的“基体”。载置板11及支撑板12为重叠的面的形状相同的圆板状的部件。载置板11及支撑板12由具有机械强度且对腐蚀性气体及其等离子体具有耐久性的陶瓷烧结体形成。对载置板11及支撑板12的形成材料将在后面进行详细叙述。载置板11的载置面11a上以规定的间隔形成有多个直径小于板状试样的厚度的突起部11b，这些突起部11b支撑板状试样W。包括载置板11、支撑板12、静电吸附用电极13及绝缘材料层14的整体的厚度(即，静电卡盘部2的厚度)能够任意选择，作为一例，为0.7mm以上且5.0mm以下。例如，若静电卡盘部2的厚度小于0.7mm，则有时会难以确保静电卡盘部2的机械强度。若静电卡盘部2的厚度大于5.0mm，则静电卡盘部2的热容量变大，导致所载置的板状试样W的热响应性劣化，有时会因静电卡盘部的横向的热传递的增加而难以将板状试样W的面内温度维本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合烧结体，其为含有作为主相的金属氧化物和作为副相的碳化硅的陶瓷复合烧结体，/n所述碳化硅的晶粒分散在所述金属氧化物的晶粒内及所述金属氧化物的晶界上，/n分散在所述金属氧化物的晶界上的所述碳化硅的平均晶体粒径即D50为0.30μm以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180322 JP 2018-0552091.一种复合烧结体，其为含有作为主相的金属氧化物和作为副相的碳化硅的陶瓷复合烧结体，
所述碳化硅的晶粒分散在所述金属氧化物的晶粒内及所述金属氧化物的晶界上，
分散在所述金属氧化物的晶界上的所述碳化硅的平均晶体粒径即D50为0.30μm以下。


2.根据权利要求1所述的复合烧结体，其中，
分散在所述金属氧化物的晶粒内的所述碳化硅的平均晶体粒径即D50为0.20μm以下。


3.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其中，
分散在所述金属氧化物的晶粒内的所述碳化硅的晶粒的比例相对于全部所述碳化硅的晶粒以面积比计为40％以上。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的复合烧结体，其中，
所述金属氧化物为氧化铝或氧化钇。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的复合烧结体，其中，
所述金属氧化物的平均晶体粒径为1.2μm以上且10μm以下。


6.一种静电卡盘部件，其具有：
板状的基体，以权利要求1至5中任一项所述的复合烧结体为形成材料，且一个主表面为载置板状试样的载置面；及
静电吸附用电极，设置在所述基体的与所述载...

【专利技术属性】
技术研发人员：日高宣浩，木村直人，
申请(专利权)人：住友大阪水泥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP