SSD掉电速度提高方法、装置、计算机设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及SSD掉电速度提高方法、装置、计算机设备及存储介质，该方法包括在掉电时，保存日志信息；获取来自第一个核的发送VU命令；将VU命令对应的信息发送至第三个核，以使得第三个核将VU命令对应的信息写入至NAND Flash中，完成掉电操作。本发明专利技术通过由第三个核监管第一个核以及第二个核的方式进行掉电操作，降低三个核之间的交互动作，节省关机所需的时间，另外，对于第二个核以及第三个核设置异常处理机制，使用Nvme自定义命令，获取关机流程中异常日志，提高了SSD检错的效率，实现缩短了关机流程的时间，有效提高了SSD的掉电速度。

【技术实现步骤摘要】
SSD掉电速度提高方法、装置、计算机设备及存储介质
本专利技术涉及固态硬盘，更具体地说是指SSD掉电速度提高方法、装置、计算机设备及存储介质。
技术介绍
目前，SSD(SolidStateDisk，固态硬盘)广泛运用于PC终端上，现有的SSD掉电流程不完善，以3核为例，传统的SSD主控设计采用第一个核来监控其他两个核的状态。第一个核与第二个核共用一块共享FIFO(先进先出，FirstInputFirstOutput)，第二个核与第三个核共用一块共享FIFO。3核命令从第一个核流向第二个核，再流向第三个核，完成命令的状态从第三个核流向第二个核，再流向第一个核。第一个核统筹监管第二个核与第三个核，第二个核与第三个核需要向第一个核返还命令的完成状态，但是，在关机流程中，采用该方式会导致第一个核一直要等到其他两个核的动作全部完成才能通知主机进行掉电。在这段时间中，第二个核动作完成后会在共享FIFO中设置第三个核命令的完成状态，第二个核检测到后会将该状态通过FIFO传给第一个核，第一个核检测到状态完成，才会去置CSTS.SHST字段，主机检测到后认为主控完成关机流程，从而对SSD进行掉电。在上述的掉电流程中，主控已完成保护措施等信息的保存，但是DRAM(动态随机存取存储器，DynamicRandomAccessMemory)中还有部分数据未保存到NAND中，需要第一个核发送VU(自定义命令，vendorundefined)命令进行保存，第一个核需要等待第二个核与第三个核全部完成命令才能结束关机流程，时间较长，动作较多，拖慢了SSD的掉电速度，增加了SSD的掉电的时间，影响了整体关机时间，并且没有异常检错机制，当第二个核或第三个核发生错误时，没有办法进行异常定位。因此，有必要设计一种新的方法，实现缩短了关机流程的时间，有效提高了SSD的掉电速度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供SSD掉电速度提高方法、装置、计算机设备及存储介质。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：SSD掉电速度提高方法，包括：在掉电时，保存日志信息；获取来自第一个核的发送VU命令；将VU命令对应的信息发送至第三个核，以使得第三个核将VU命令对应的信息写入至NANDFlash中，完成掉电操作。其进一步技术方案为：所述获取来自第一个核的发送VU命令，包括：通过共享FIFO轮询到VU命令。其进一步技术方案为：所述VU命令对应的信息包括逻辑物理映射表以及已写入的数据。其进一步技术方案为：所述将VU命令对应的信息发送至第三个核，以使得第三个核将VU命令对应的信息写入至NANDFlash中，完成掉电操作，包括：将VU命令对应的信息发送至第三个核，由第三个核将VU命令对应的信息写入NANDFlash中，以得到写入完成状态；由第三个核判断写入完成状态是否是数据写入错误；若写入完成状态是数据写入错误，则第三个核通过中断唤醒第二个核，使第二个核再发送一次数据进行写入，若还出现数据写入错误，则记录异常数据，并置特定的字段，第三个核通知主机进行掉电操作；若写入完成状态不是数据写入错误，则第三个核通知主机进行掉电操作。其进一步技术方案为：所述将VU命令对应的信息发送至第三个核，由第三个核将VU命令对应的信息写入NANDFlash中，以得到写入完成状态，还包括：将VU命令对应的信息发送至第三个核，以得到发送结果；判断所述发送结果是否是未提交完成；若所述发送结果是未提交完成，则保存异常日志并设置特定的字段，以供主机根据特定的字段进行掉电操作；若所述发送结果不是未提交完成，则由第三个核将VU命令对应的信息写入NANDFlash中，以得到写入完成状态。其进一步技术方案为：所述第三个核通知主机进行掉电操作之后，还包括：主机发送Nvme自定义命令以获取所保存的异常日志。本专利技术还提供了SSD掉电速度提高装置，包括：信息保存单元，用于在掉电时，保存日志信息；命令获取单元，用于获取来自第一个核的发送VU命令；信息发送单元，用于将VU命令对应的信息发送至第三个核，以使得第三个核将VU命令对应的信息写入至NANDFlash中，完成掉电操作。其进一步技术方案为：所述信息保存单元，用于通过共享FIFO轮询到VU命令。本专利技术还提供了一种计算机设备，所述计算机设备包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的方法。本专利技术还提供了一种存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时可实现上述的方法。本专利技术与现有技术相比的有益效果是：本专利技术通过由第三个核监管第一个核以及第二个核的方式进行掉电操作，降低三个核之间的交互动作，节省关机所需的时间，另外，对于第二个核以及第三个核设置异常处理机制，使用Nvme自定义命令，获取关机流程中异常日志，提高了SSD检错的效率，实现缩短了关机流程的时间，有效提高了SSD的掉电速度。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步描述。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的SSD掉电速度提高方法的应用场景示意图；图2为本专利技术实施例提供的SSD掉电速度提高方法的流程示意图；图3为本专利技术实施例提供的SSD掉电速度提高方法的子流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的SSD掉电速度提高方法的子流程示意图；图5为本专利技术实施例提供的SSD掉电速度提高装置的示意性框图；图6为本专利技术实施例提供的计算机设备的示意性框图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。还应当理解，在此本专利技术说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本专利技术。如在本专利技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。还应当进一步理解，在本专利技术说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。请参阅图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.SSD掉电速度提高方法，其特征在于，包括：/n在掉电时，保存日志信息；/n获取来自第一个核的发送VU命令；/n将VU命令对应的信息发送至第三个核，以使得第三个核将VU命令对应的信息写入至NAND Flash中，完成掉电操作。/n

【技术特征摘要】
1.SSD掉电速度提高方法，其特征在于，包括：
在掉电时，保存日志信息；
获取来自第一个核的发送VU命令；
将VU命令对应的信息发送至第三个核，以使得第三个核将VU命令对应的信息写入至NANDFlash中，完成掉电操作。


2.根据权利要求1所述的SSD掉电速度提高方法，其特征在于，所述获取来自第一个核的发送VU命令，包括：
通过共享FIFO轮询到VU命令。


3.根据权利要求1所述的SSD掉电速度提高方法，其特征在于，所述VU命令对应的信息包括逻辑物理映射表以及已写入的数据。


4.根据权利要求2所述的SSD掉电速度提高方法，其特征在于，所述将VU命令对应的信息发送至第三个核，以使得第三个核将VU命令对应的信息写入至NANDFlash中，完成掉电操作，包括：
将VU命令对应的信息发送至第三个核，由第三个核将VU命令对应的信息写入NANDFlash中，以得到写入完成状态；
由第三个核判断写入完成状态是否是数据写入错误；
若写入完成状态是数据写入错误，则第三个核通过中断唤醒第二个核，使第二个核再发送一次数据进行写入，若还出现数据写入错误，则记录异常数据，并置特定的字段，第三个核通知主机进行掉电操作；
若写入完成状态不是数据写入错误，则第三个核通知主机进行掉电操作。


5.根据权利要求4所述的SSD掉电速度提高方法，其特征在于，所述将VU命令对应的信息发送至第三个核，由第三个核将VU命令对应的信息写入NAND...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚宁波，贾宗铭，郭芳芳，
申请(专利权)人：深圳忆联信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44